公开(公告)号：CN116569104A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082331.2

申请日：2021-10-19

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： O·保罗 ,  D·钟

IPC: G03F1/22

Abstract: 本发明涉及一种在以EUV辐射工作的EUV系统中使用的二元强度掩模(100)，包括衬底(110)和掩模结构(140)，该掩模结构被施加到衬底上并包含吸收体材料。掩模结构(140)具有结构化层组件，该结构化层组件包括由第一层材料制成的第一层(151)和由第二层材料制成的第二层(152)。在EUV辐射的波长λ处，第一层材料的折射率的实部n1大于1，而第二层材料的折射率的实部n2小于1。

公开(公告)号：CN105074576B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201480016112.4

申请日：2014-01-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： H.H.P.T.贝克曼 ,  D.H.埃姆 ,  J.休布雷格特斯 ,  A.J.斯托姆 ,  T.格雷伯 ,  I.阿门特 ,  D.斯米茨 ,  E.特斯莱特 ,  A.库兹尼特索夫

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B1/14 ,  G02B5/08

CPC classification number: G02B1/14 ,  C23C16/56 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/062

Abstract: 本发明涉及一种光学元件(50)，包括：基板(52)、施加到所述基板(52)的EUV辐射反射式多层系统(51)和施加到所述多层系统(51)的保护层系统(60)，所述保护层系统具有至少第一和第二层(57,58)，其中，第一层(57)布置成比第二层(58)更接近所述多层系统(51)。所述第一层(57)充当氢的扩散阻挡物，并且对于氢的溶度低于所述第二层(58)，第二层用于吸收氢。本发明还涉及一种EUV光刻的光学系统，其包括至少一个这种光学元件(50)，还涉及一种处理光学元件(50)的方法，以移除包含在保护层系统(60)的至少一个层(57,58,59)和/或多层系统(51)的至少一个层(53,54)中的氢。

公开(公告)号：CN105074576A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480016112.4

申请日：2014-01-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： H.H.P.T.贝克曼 ,  D.H.埃姆 ,  J.休布雷格特斯 ,  A.J.斯托姆 ,  T.格雷伯 ,  I.阿门特 ,  D.斯米茨 ,  E.特斯莱特 ,  A.库兹尼特索夫

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B1/14 ,  G02B5/08

CPC classification number: G02B1/14 ,  C23C16/56 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983 ,  G21K1/062

Abstract: 本发明涉及一种光学元件(50)，包括：基板(52)、施加到所述基板(52)的EUV辐射反射式多层系统(51)和施加到所述多层系统(51)的保护层系统(60)，所述保护层系统具有至少第一和第二层(57,58)，其中，第一层(57)布置成比第二层(58)更接近所述多层系统(51)。所述第一层(57)充当氢的扩散阻挡物，并且对于氢的溶度低于所述第二层(58)，第二层用于吸收氢。本发明还涉及一种EUV光刻的光学系统，其包括至少一个这种光学元件(50)，还涉及一种处理光学元件(50)的方法，以移除包含在保护层系统(60)的至少一个层(57,58,59)和/或多层系统(51)的至少一个层(53,54)中的氢。

公开(公告)号：CN116696991A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310200027.4

申请日：2023-03-03

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： A·范兰克韦尔特 ,  M·维沃奥尔登克 ,  P·卡根 ,  M·范德维杰斯特 ,  G·T·特克贝 ,  M·惠斯坎普 ,  U·肖恩霍夫

IPC: F16F15/023 ,  F16F15/027 ,  F16F9/04 ,  F16F9/44 ,  F16F9/32

Abstract: 一种振动隔离器(10；210)，用于支撑有效载荷并将有效载荷与振动隔离，包括：配置用于支撑有效载荷的接触构件(12)，至少两个加压气体隔室(24)，其彼此相邻布置以在不同位置处支撑接触构件，所述加压气体隔室通过管道系统(54)彼此连接，其中管道系统包含至少一个限制部(66)，在该限制部处管道系统的横截面减小至少50％。

公开(公告)号：CN100472325C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN03806638.6

申请日：2003-03-19

Applicant: 麦克罗尼克激光系统公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： 安德斯·瑟伦 ,  卡雷尔·范德马斯特 ,  阿尔诺·布利克

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70725 ,  G03F7/70291 ,  G03F7/704 ,  G03F7/70508

Abstract: 本发明的一个方面包括一种用于在至少部分被对电磁辐射敏感的层覆盖的工件上形成图案的方法，包括步骤：提供将要成像到所述工件的多个位置上的至少一个图像的数据表示；将所述数据表示分割成多个扫描场条纹；重复下面步骤：光栅化所述数据表示的第一扫描场条纹，根据所述光栅化的扫描场条纹调制调制器，在所述工件的多个位置上成像所述第一扫描场条纹，在所述工件的多个位置上成像所述第一扫描场条纹的同时，光栅化所述数据表示的第二扫描场条纹，当预定量的所述图像被成像到所述工件的所述多个位置上时，终止该重复。本发明的其它方面详细地反映在说明、附图和权利要求中。

公开(公告)号：CN118742857A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202280090800.X

申请日：2022-12-15

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： W·克鲁特霍夫 ,  P·雅古比 ,  J·利奥

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种EUV光刻系统，包括：壳体(25)，其内部(24)包含残余气体(27)；以及至少一个气体结合部件(29)，其布置在内部(24)中并且包括用于结合污染物质(28)的气体结合材料。所述气体结合部件(29)包括至少一个流动管道(33)，所述流动管道(33)具有至少一个具有所述气体结合材料的表面，所述流动管道(33)中的所述残余气体(27)的气流具有0.01与5之间、优选0.01与0.5之间、特别是0.01与0.3之间的克努森数，并且封装所述EUV光刻系统(1)的光束路径的外壳(26)布置在所述壳体(25)的内部(24)中。外壳(26)优选地包括具有维护井(36)的开口(37)，所述气体结合部件(29)布置在所述维护井(36)中。

公开(公告)号：CN115997170A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202080104190.5

申请日：2020-08-07

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： T·格鲁纳 ,  N·巴尔 ,  K·范伯克尔 ,  L·J·A·范博克霍文 ,  M·洛伦兹 ,  T·蒙兹 ,  E·施奈德 ,  H-M·斯蒂潘 ,  B·斯特里夫柯克

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明关于反射镜，特别是用于微光刻投射曝光设备。本发明的反射镜具有光学有效表面(101,201,301)；反射镜基板(110,210,310,410)；反射层系统(120,220,320)，其用以反射入射在光学有效表面(101,201,301)上的电磁辐射；至少一个致动器层，其配置为在反射层系统(120,220,320)上传输可调整机械力，由此产生光学有效表面(101,201,301)的局部可变变形；以及至少一个冷却装置，其配置为至少部分地消散由该致动器层所产生的热。

公开(公告)号：CN1643453A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806638.6

申请日：2003-03-19

Applicant: 麦克罗尼克激光系统公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： 安德斯·瑟伦 ,  卡雷尔·范德马斯特 ,  阿尔诺·布利克

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70725 ,  G03F7/70291 ,  G03F7/704 ,  G03F7/70508

Abstract: 本发明的一个方面包括一种用于在至少部分被对电磁辐射敏感的层覆盖的工件上形成图案的方法，包括步骤：提供将要成像到所述工件的多个位置上的至少一个图像的数据表示；将所述数据表示分割成多个扫描场条纹；重复下面步骤：光栅化所述数据表示的第一扫描场条纹，根据所述光栅化的扫描场条纹调制调制器，在所述工件的多个位置上成像所述第一扫描场条纹，在所述工件的多个位置上成像所述第一扫描场条纹的同时，光栅化所述数据表示的第二扫描场条纹，当预定量的所述图像被成像到所述工件的所述多个位置上时，终止该重复。本发明的其它方面详细地反映在说明、附图和权利要求中。

公开(公告)号：CN116324621A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202080104310.1

申请日：2020-08-07

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： T·格鲁纳 ,  N·巴尔 ,  K·范伯克尔 ,  L·J·A·范博克霍文 ,  M·洛伦兹 ,  T·蒙兹 ,  E·施奈德 ,  H-M·斯蒂潘 ,  B·斯特里夫柯克 ,  A·迪劳夫

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明关于光学系统，特别是用于微光刻，且本发明关于用以操作光学系统的方法。根据本发明一方面，光学系统包含：至少一个反射镜(100,500,600)，其具有光学有效表面(101,501,601)以及反射镜基板(110,510,610)，其中冷却流体能够流动于其中的至少一个冷却通道(115,515,615)配置在反射镜基板中，以消散由于吸收了从光源入射在光学有效表面上的电磁辐射而在反射镜基板中产生的热；以及调整单元(135,535,635)，用以根据将反射镜基板中热负载特征化的测量量值或根据在光源的给定功率下在反射镜基板中所预期的估计热负载，来调整冷却流体的温度和/或流速。

公开(公告)号：CN116710847A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180091123.9

申请日：2021-01-19

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  ASML荷兰公司

Inventor： E·施奈德 ,  T·格鲁纳 ,  T·图多罗夫斯基

IPC: G03F7/20

Abstract: 在一种设置用于以图案的至少一个图像曝光辐射敏感衬底的投射曝光系统的方法中，该投射曝光系统包括：照明系统(ILL)，其被配置为在照明场中生成被引导到图案上的照明辐射(ILR)；投射镜头(PO)，其包括多个光学元件，该光学元件被配置为用投射辐射将位于照明场中的图案的一部分投射到衬底处的像场上；测量系统(MS)，其能够测量投射辐射的至少一个属性，该属性代表分布在像场中的多个间隔开的测量点处的像差水平；以及操作控制系统，其包括至少一个操纵器，该操纵器操作地连接至投射曝光系统的光学元件，以基于由测量系统生成的测量结果来修改投射曝光系统的成像特性。该方法包括：在测量点分布计算(MPDC)中确定测量点分布的步骤，该测量点分布定义了待在测量中使用的测量点的数量和位置，其中测量点分布计算(MPDC)在边界条件下执行，该边界条件至少代表：(i)操作控制系统的操纵能力；(ii)测量系统的测量能力；以及(iii)预定义的用例场景，其定义了代表性用例集，其中每个用例对应于由投射曝光系统在预定义的使用条件集下生成的特定像差图案。