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公开(公告)号:CN118742857A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202280090800.X
申请日:2022-12-15
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , ASML荷兰公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种EUV光刻系统,包括:壳体(25),其内部(24)包含残余气体(27);以及至少一个气体结合部件(29),其布置在内部(24)中并且包括用于结合污染物质(28)的气体结合材料。所述气体结合部件(29)包括至少一个流动管道(33),所述流动管道(33)具有至少一个具有所述气体结合材料的表面,所述流动管道(33)中的所述残余气体(27)的气流具有0.01与5之间、优选0.01与0.5之间、特别是0.01与0.3之间的克努森数,并且封装所述EUV光刻系统(1)的光束路径的外壳(26)布置在所述壳体(25)的内部(24)中。外壳(26)优选地包括具有维护井(36)的开口(37),所述气体结合部件(29)布置在所述维护井(36)中。