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公开(公告)号:CN115997170A
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202080104190.5
申请日:2020-08-07
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , ASML荷兰公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明关于反射镜,特别是用于微光刻投射曝光设备。本发明的反射镜具有光学有效表面(101,201,301);反射镜基板(110,210,310,410);反射层系统(120,220,320),其用以反射入射在光学有效表面(101,201,301)上的电磁辐射;至少一个致动器层,其配置为在反射层系统(120,220,320)上传输可调整机械力,由此产生光学有效表面(101,201,301)的局部可变变形;以及至少一个冷却装置,其配置为至少部分地消散由该致动器层所产生的热。
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公开(公告)号:CN116324621A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202080104310.1
申请日:2020-08-07
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 , ASML荷兰公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明关于光学系统,特别是用于微光刻,且本发明关于用以操作光学系统的方法。根据本发明一方面,光学系统包含:至少一个反射镜(100,500,600),其具有光学有效表面(101,501,601)以及反射镜基板(110,510,610),其中冷却流体能够流动于其中的至少一个冷却通道(115,515,615)配置在反射镜基板中,以消散由于吸收了从光源入射在光学有效表面上的电磁辐射而在反射镜基板中产生的热;以及调整单元(135,535,635),用以根据将反射镜基板中热负载特征化的测量量值或根据在光源的给定功率下在反射镜基板中所预期的估计热负载,来调整冷却流体的温度和/或流速。
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公开(公告)号:CN116830003A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202180088266.4
申请日:2021-11-29
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种光学系统和一种用于操作光学系统的方法,特别是微光刻投射曝光设备中的光学系统。根据本发明的一个方面,一种光学系统包括:至少一个具有光学有效表面(101、201、301、401、501、601)和反射镜基板(110、210、310、410、510、610)的反射镜(100、200、300、400、500、600);多个温度调节区(131‑136、141‑146、231‑236、241‑246、331‑336、341‑346、431、441‑446、531‑536、541、631、641),布置在该反射镜基板中;以及温度调节装置(150、250、350、450、550、650),可以通过该温度调节装置彼此独立地调节存在于每个温度调节区中的温度,所述温度调节区布置在距光学有效表面不同距离处的至少两个平面中,并且所述至少两个平面中的温度调节区被配置为冷却通道,处于可变可调节的冷却流体温度的冷却流体能够彼此独立地流过该冷却通道。
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公开(公告)号:CN118382510A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202280082728.6
申请日:2022-12-13
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明揭露用于在反射镜基板形式的工件(25)中产生中空结构(28)的方法,特别是用于EUV反射镜(M4),利用脉冲激光辐射(35)进行材料去除加工,该方法包含:将来自辐射入射侧(27)的脉冲激光辐射(35)辐射进入工件(25),其由对脉冲激光辐射(35)透明的材料形成;将脉冲激光辐射(35)聚焦至焦点区域(39);通过沿着移动图案(41)移动焦点区域(39)形成用于工件(25)的材料二维去除的去除前置件(46);以及通过在工件(25)中移动该去除前置件(46)产生中空结构(28),其中在产生中空结构(28)的过程中,至少间歇性形成没有垂直对齐在工件(25)的辐射入射侧(27)处的脉冲激光辐射(35)的入射辐射方向(Z)的去除前置件(46),并且其中该中空结构产生为可供流体流经的通道形式。本发明也有关于一种在用于反射镜(M4)的基板(25)形式的工件(25)中产生通道(28)的方法,其中利用脉冲激光辐射(35)的材料去除加工产生通道(28),并且在产生通道(28)的过程中,流体供应装置(50)被至少部分引入通道(28)。本发明也包含一种用于执行该方法的装置和一种反射镜,特别是EUV反射镜、EUV光刻系统、流体供应装置和供应流体的方法。
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