公开(公告)号：CN118382510A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202280082728.6

申请日：2022-12-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： T·乌尔斯珀格 ,  S·诺尔特 ,  C·格里亚森 ,  S·诺尔 ,  T·蒙兹 ,  S·泽尔特 ,  M·克拉斯纳 ,  C·扎克泽克

IPC: B23K26/55 ,  G02B7/195

Abstract: 本发明揭露用于在反射镜基板形式的工件(25)中产生中空结构(28)的方法，特别是用于EUV反射镜(M4)，利用脉冲激光辐射(35)进行材料去除加工，该方法包含：将来自辐射入射侧(27)的脉冲激光辐射(35)辐射进入工件(25)，其由对脉冲激光辐射(35)透明的材料形成；将脉冲激光辐射(35)聚焦至焦点区域(39)；通过沿着移动图案(41)移动焦点区域(39)形成用于工件(25)的材料二维去除的去除前置件(46)；以及通过在工件(25)中移动该去除前置件(46)产生中空结构(28)，其中在产生中空结构(28)的过程中，至少间歇性形成没有垂直对齐在工件(25)的辐射入射侧(27)处的脉冲激光辐射(35)的入射辐射方向(Z)的去除前置件(46)，并且其中该中空结构产生为可供流体流经的通道形式。本发明也有关于一种在用于反射镜(M4)的基板(25)形式的工件(25)中产生通道(28)的方法，其中利用脉冲激光辐射(35)的材料去除加工产生通道(28)，并且在产生通道(28)的过程中，流体供应装置(50)被至少部分引入通道(28)。本发明也包含一种用于执行该方法的装置和一种反射镜，特别是EUV反射镜、EUV光刻系统、流体供应装置和供应流体的方法。