光学系统、投射曝光系统和方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118251634A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202280075853.4

    申请日:2022-10-26

    Abstract: 本发明涉及一种用于投射曝光系统(1)的光学系统(100、200),包括光阑(110、112、212、224、302),特别是遮蔽光阑(112、302)、用于数值孔径的光阑(110、212)或遮蔽眩光光阑(224),其至少部分布置在光学系统(100、200)的光束路径(114、218)中,以便遮蔽光束路径(114、218)的至少部分;用于将热量(Q)引入光阑(110、112、212、224、302)的加热装置(324),其中所述光阑(110、112、212、224、302)能够使用热量(Q)的引入从起始形状(Z1)变形为设计形状(Z2);以及温度传感器(334)、光元件(336)和/或红外相机(338),其中所述光学系统(100、200)的开环和闭环控制单元(340)被设计成使得基于所述温度传感器(334)、所述光元件(336)和/或所述红外相机(338)的测量信号和/或基于与另外的光学元件(124、M1‑M6)的温度分布有关的信息,它确定光阑(110、112、212、224、302)的局部光阑温度分布,并控制加热装置(324),使得可以实现光阑(110、112、212、224、302)的目标光阑温度分布,所述另外的光学元件布置在光束路径(114、218)中与所述光阑(110、112、212、224、302)相当的位置处。

    光学系统和用于操作光学系统的方法

    公开(公告)号:CN116830003A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202180088266.4

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明涉及一种光学系统和一种用于操作光学系统的方法,特别是微光刻投射曝光设备中的光学系统。根据本发明的一个方面,一种光学系统包括:至少一个具有光学有效表面(101、201、301、401、501、601)和反射镜基板(110、210、310、410、510、610)的反射镜(100、200、300、400、500、600);多个温度调节区(131‑136、141‑146、231‑236、241‑246、331‑336、341‑346、431、441‑446、531‑536、541、631、641),布置在该反射镜基板中;以及温度调节装置(150、250、350、450、550、650),可以通过该温度调节装置彼此独立地调节存在于每个温度调节区中的温度,所述温度调节区布置在距光学有效表面不同距离处的至少两个平面中,并且所述至少两个平面中的温度调节区被配置为冷却通道,处于可变可调节的冷却流体温度的冷却流体能够彼此独立地流过该冷却通道。

    设置投射曝光系统的方法、投射曝光方法以及用于微光刻的投射曝光系统

    公开(公告)号:CN116710847A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202180091123.9

    申请日:2021-01-19

    Abstract: 在一种设置用于以图案的至少一个图像曝光辐射敏感衬底的投射曝光系统的方法中,该投射曝光系统包括:照明系统(ILL),其被配置为在照明场中生成被引导到图案上的照明辐射(ILR);投射镜头(PO),其包括多个光学元件,该光学元件被配置为用投射辐射将位于照明场中的图案的一部分投射到衬底处的像场上;测量系统(MS),其能够测量投射辐射的至少一个属性,该属性代表分布在像场中的多个间隔开的测量点处的像差水平;以及操作控制系统,其包括至少一个操纵器,该操纵器操作地连接至投射曝光系统的光学元件,以基于由测量系统生成的测量结果来修改投射曝光系统的成像特性。该方法包括:在测量点分布计算(MPDC)中确定测量点分布的步骤,该测量点分布定义了待在测量中使用的测量点的数量和位置,其中测量点分布计算(MPDC)在边界条件下执行,该边界条件至少代表:(i)操作控制系统的操纵能力;(ii)测量系统的测量能力;以及(iii)预定义的用例场景,其定义了代表性用例集,其中每个用例对应于由投射曝光系统在预定义的使用条件集下生成的特定像差图案。

    投影曝光方法和投影曝光系统

    公开(公告)号:CN101517491B

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN200780035496.4

    申请日:2007-09-19

    CPC classification number: G03F7/70933 G03F7/70191 G03F7/70575 G03F7/70941

    Abstract: 在一种投影曝光方法中,具有中心波长λ的初级辐射被产生并且被引导沿照明路径通过照明系统并且沿投影路径通过投影系统。该中心波长在波长的变化范围Δλ内变化,该波长变化范围Δλ具有下限λMIN≤λ和上限λMAX>λ。至少一个气体吸收物的特定吸收系数k(λ)在最小吸收系数kMIN和最大吸收系数kMAX之间变化,以致吸收比(kMAX/kMIN)超过10,该至少一个气体吸收物从包含氧气(O2),臭氧(O3)和水汽(H2O)的组中选择,而且存在于沿着照明路径和投影路径的至少一个的至少一个充有气体的空间中。该充有气体的空间内的吸收物的浓度被控制为使得该吸收物对所有沿着不同的光线路径朝像场行进的光线所造成的总的吸收变化被保持在预定吸收变化阈值之下。

    包含光学装置的投射物镜
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116057474A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202180058649.7

    申请日:2021-07-27

    Abstract: 本发明关于包含投射物镜(408,107,200)的投射曝光装置(400,100),投射物镜(408,107,200)包含光学装置(1),光学装置(1)包含具有光学有效表面(2a)的光学元件(2)以及可通过所施加的控制电压产生变形的至少一个电致伸缩致动器(3),其中电致伸缩致动器(3)功能性地连接到光学元件(2)以影响光学有效表面(2a)的表面形状。控制装置(4)设置以提供控制电压给电致伸缩致动器(3),其中提供了测量装置(5),其配置为至少有时在电致伸缩致动器(3)影响光学元件(2)的光学有效表面(2a)时直接地测量和/或间接地决定电致伸缩致动器(3)和/或其周围环境的温度和/或温度变化,以在由控制装置(4)驱动电致伸缩致动器(3)的过程中考虑温度相关影响。

    光学系统,特别是用于EUV光刻
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116868130A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202280016218.9

    申请日:2022-01-17

    Abstract: 本发明关于一光学系统,特别是用于EUV光刻的光学系统,包含:用于使用照明辐射来照明一照明表面的照明源、用于照明辐射的空间分辨检测的具有检测表面(36)的检测器(35)、构造为将照明表面成像到检测表面(36)上的投射系统、以及构造为基于检测表面(36)处的照明辐射的强度(I)来推断在照明表面和检测表面(36)之间的射束路径(29)中的光学元件(M6)上的污染物(36)的评估装置(37)。光学系统配置为设定从照明表面传递到检测表面(36)的照明辐射的不同角度分布,且评估装置(37)构造为基于针对不同角度分布的检测表面(36)上的照明辐射强度(I),推断出光学元件(M6)上的污染物,特别是污染物在光学元件(M6)上的位置。

    反射镜、光学系统及操作光学系统的方法

    公开(公告)号:CN116583775A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202180084466.2

    申请日:2021-11-22

    Abstract: 本发明涉及一种用于操作光学系统的方法、以及一种反射镜与一种光学系统,尤其用于微光刻投射曝光装置。反射镜(尤其用于微光刻投射曝光装置,其中反射镜具有光学有效表面)包含反射镜基板(101、201、301、401、501)和多个配置在反射镜基板中的空腔(110、210、310、410、411、510),并且其中每个空腔都可被施加流体,其中可通过改变这些空腔(110、210、310、410、411、510)中的流体压力将变形传递到光学有效表面。

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