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公开(公告)号：CN119208283A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411676032.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性的引线框架结构及其制作方法，所述引线框架结构包括多个引线框单元，每一引线框单元都包括一个方形基岛和设置于所述基岛外围的多个引脚，所述基岛上具有一用于装载芯片的芯片装载区域，所述基岛上所述芯片装载区域外围设置有凸起的凸台，所述凸台的侧壁设置有通孔。采用本发明的引线框架结构，可防止封装后出现分层现象，提高封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN114275444B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202210053379.7
申请日：2022-01-18
Applicant: 广东气派科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种自动清除料盘残留设备及清除方法，一种自动清除料盘残留设备包括上料台、和收料台，所述上料台和收料台之间设置传送组件，传送组件上设有清除装置，所述上料台用于将料盘推送至传送组件，所述料盘经所述传送组件传送至所述收料台，所述清除装置用于将所述料盘上的残留芯片清除。本发明能够解决目前芯片在加工生产过程中，需要料盘进行输送，料盘需循环使用，在料盘再次使用前需人工目检其正反面有无芯片残留，由于是人工目检容易出现漏检现象导致混料的技术问题。
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公开(公告)号：CN118099123B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410457869.2
申请日：2024-04-17
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种六行TO263框架及其加工方法，涉及芯片封装技术领域，包括框架本体，框架本体上设置有三行打凹区，相邻两行打凹区之间连接有引脚区一，打凹区包括两行基岛区和一行散热区，散热区设置于两行基岛区之间，基岛区包括有若干横向设置的基岛，散热区包括有若干横向设置的散热片，引脚区一包括有若干横向设置的引脚件，上下侧的打凹区相互远离的一侧设置有框架边框。本发明通过设置有三行打凹区，以及每一个打凹区内设置有两行基岛区，即形成了六行基岛区，从而增加了框架上芯片的安装数量，提高了框架的利用率，单次的加工效率得到了显著提升，实用性及经济性强。
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公开(公告)号：CN114084866B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111210616.8
申请日：2021-10-18
Applicant: 广东气派科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高稳定性的MEMS封装产品及其制造方法，产品包括基板、ASIC芯片和SENSOR芯片，所述ASIC芯片和SENSOR芯片安装在基板上，所述基板设有真空空间，所述真空空间位于ASIC芯片和SENSOR芯片的安装位置下端。制造方法包括：在基板上的ASIC芯片和SENSOR芯片的安装位置下端设置真空空间；将ASIC芯片安装在基板上的对应位置；将SENSOR芯片安装在基板上的对应位置；进行封装。本发明通过在ASIC芯片和SENSOR芯片的安装位置下的基板内设计真空空间，虽然在经过封装加工及烘烤后还会出现形变，但真空空间的存在使得形变不会对产品性能造成影响，即产品到客户端上板时不会出现感度离散、感度漂移等现象，实现了MEMS封装产品的优化，提高了MEMS封装产品的质量。
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公开(公告)号：CN118099123A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410457869.2
申请日：2024-04-17
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种六行TO263框架及其加工方法，涉及芯片封装技术领域，包括框架本体，框架本体上设置有三行打凹区，相邻两行打凹区之间连接有引脚区一，打凹区包括两行基岛区和一行散热区，散热区设置于两行基岛区之间，基岛区包括有若干横向设置的基岛，散热区包括有若干横向设置的散热片，引脚区一包括有若干横向设置的引脚件，上下侧的打凹区相互远离的一侧设置有框架边框。本发明通过设置有三行打凹区，以及每一个打凹区内设置有两行基岛区，即形成了六行基岛区，从而增加了框架上芯片的安装数量，提高了框架的利用率，单次的加工效率得到了显著提升，实用性及经济性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230702B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310507410.4
申请日：2023-05-08
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种GaN芯片的封装结构，包括框架基岛、框架引脚、GaN芯片、控制芯片和塑封体，GaN芯片为场效应管，GaN芯片正装固定在框架基岛上，控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的多个控制引脚分别与GaN芯片的G极、框架基岛和框架引脚直接焊接固定。本发明用了创新型的3D堆叠结构，先把控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，然后将控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的控制引脚与GaN芯片的G极连通距离大幅缩短，而且铜柱的导电面积大，产生的自感电感极小，对GaN芯片开关速度影响大幅减小，从而使GaN芯片充分发挥效能。
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公开(公告)号：CN117842925A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311804830.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 广东气派科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MEMS产品的切割方法，其包括：画不良步骤、贴膜步骤、切割步骤和剔除不良步骤，在所述贴膜步骤中，采用UV膜贴附在PCB背面，在所述切割步骤中，采用金属刀进行切割，将所述PCB板切割为多个MEMS产品。采用本发明的MEMS产品切割方法，可以减少在切割工序产生的残胶及碎屑。
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公开(公告)号：CN116613110B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310718302.1
申请日：2023-06-16
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L23/06 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种增强散热的盖板封装结构制备方法及盖板封装结构，涉及芯片封装技术领域，封装结构包括引线框架，引线框架上设置基岛与若干管脚，基岛上表面通过第一结合层与管芯下表面的下电极连接，管芯与管脚之间设置侧壁连接板，侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板另一端通过折弯与管脚连接，管芯上方设置封装盖板，管芯上表面的上电极通过第二结合层与封装盖板下表面连接，封装盖板上端外周设置凸缘，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板上表面连接。本发明中，封装盖板与若干侧壁连接板形成密闭空间封装管芯，封装盖板采用导热材料制成，管芯热量通
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公开(公告)号：CN116435293B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310705441.0
申请日：2023-06-15
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了双面打线的键合、倒装组合堆叠芯片结构及制备方法，涉及半导体技术领域，芯片结构包括第一裸片及化合物层，第一裸片下表面设置第二裸片，第一裸片上表面设置第三裸片，第一裸片下表面设置若干第一金属凸块，第一裸片内设置若干硅通孔，硅通孔两端分别贯穿第一裸片上下两侧，硅通孔上下两端分别设置第三金属凸块与第二金属凸块，第二裸片通过第二引线与第二金属凸块下端连接，第三裸片通过第三引线与第三金属凸块上端连接。本发明中，第二裸片与第三裸片分别设置在第一裸片两侧，缩短了裸片间的距离，从而缩短了裸片间的连接线路，降低了连接电阻，使得信号延迟减少，具有较好的高频率特性，提高了产品的电性能。
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公开(公告)号：CN116613110A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310718302.1
申请日：2023-06-16
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L23/06 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种增强散热的盖板封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，封装结构包括引线框架，引线框架上设置基岛与若干管脚，基岛上表面通过第一结合层与管芯下表面的下电极连接，管芯与管脚之间设置侧壁连接板，侧壁连接板一端与管芯上表面的上电极焊盘连接，侧壁连接板另一端通过折弯与管脚连接，管芯上方设置封装盖板，管芯上表面的上电极通过第二结合层与封装盖板下表面连接，封装盖板上端外周设置凸缘，凸缘下表面通过第三结合层与侧壁连接板上表面连接。本发明中，封装盖板与若干侧壁连接板形成密闭空间封装管芯，封装盖板采用导热材料制成，管芯热量通过封装盖板传递至外界环境中，提高了封装结构的散热效果。
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