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公开(公告)号：CN114535148B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210046105.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 广东气派科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种适用于重力式分选机的压测装置，包括：压测座、驱动装置、下压装置和控制器；所述压测座设置在所述下压装置的下方，所述驱动装置设置在所述下压装置的上方，所述下压装置和所述驱动装置均与所述控制器电连接。本发明所述的适用于重力式分选机的压测装置，下压装置可以使芯片的引脚和压测座具有足够的接触面积和接触力度，压测座则使得本压测装置不会对待测产品的尺寸、型号有任何限制，只需要根据待测产品定制特定的压测座即可，由此便可以使本压测装置具有较高的利用率，不再需要单独定制压测机器，降低测试成本。
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公开(公告)号：CN114420664B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210053384.8
申请日：2022-01-18
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种多基岛大功率模组QFN的封装结构，包括：引线框架主体，所述引线框架主体上设有至少四个基岛，第一基岛上设置有IC芯片，第二基岛和第三基岛上分别设置有氮化镓芯片，第四基岛上用于承载打线需求，并将大功率信号引出。设置至少四个基岛，将一个IC芯片和两个氮化镓芯片封装在一起，实现了各芯片的功能，并可实现大功率模组的功能，确保了制造的可行性。
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公开(公告)号：CN114999994A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210928263.3
申请日：2022-08-03
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/603 , B23K37/04 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开了一种新型引线键合用夹具，涉及键合夹具技术领域，包括压板、加热垫块和引线框架，压板与加热垫块靠近，并配合在引线框架表面进行引线键合加工，压板的工作区域的内部开设有窗口，窗口与引线框架上的基岛的排布为基础对应分布，且窗口的数量，最少为引线框架上一列基岛的数量，加热垫块的底部固定连接有固定底座，固定底座用于与加热台连接，加热垫块的工作区表面开设有凹槽。本发明通过在加热垫块上支撑管脚的焊线区域增加一个梯形凸台，当夹具压合后，管脚的焊线区域垫在梯形凸台的斜坡面上，可以通过此梯形凸台高度补偿，使管脚能充分压合固定，解决多管脚晃动问题，有效提高了引线键合的焊线良率和稳定性。
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公开(公告)号：CN114400214A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210012117.6
申请日：2022-01-07
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种改善Flip chip晶圆电路层裂纹的方法，包括：基板改进和FC bump的工艺改进。本发明可以分为主动回避和被动降压两种方法，其中关于主动回避采用的是在对基板的unit设计时，主动加大pad之间的距离，从而使得芯片在进行bump的过程中，金球之间的距离增大，散热面积加大，从而使得电路层散热加快，进而使得电路层出现裂纹的几率减少，关于被动降压则是在芯片的制程中，被动降低芯片对于低介电常数材料的压力，在保证连接稳定性和电路连通的前提下，对于低介电常数材料的压力减小，使得金球受压变形后与电路层之间的接触面积减小，从而降低电路层的受热面积和压力，进而降低电路层出现裂纹的几率，以达到提高产品封装良率和可靠性的效果。
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公开(公告)号：CN114361041A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111570996.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 广东气派科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改善Flip chip bump桥接的制造方法，包括：S1：获取倒装芯片的基板在生产过程中的变化情况，基于所述变化情况确定出目标凸点的定位直径；S2：基于所述定位直径和凸点位置，确定出目标焊接范围；S3：基于所述目标焊接范围生成网状覆盖物，利用所述网状覆盖物进行回流焊接，形成初始目标凸点；S4：记录所述初始目标凸点的降温过程，基于所述降温过程获得对应的最优降温速率；S5：基于所述最优降温速率，调整环境温度；用以减少Flip chip bump bridge，提高封装良率，提高产品可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114275444B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202210053379.7
申请日：2022-01-18
Applicant: 广东气派科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种自动清除料盘残留设备及清除方法，一种自动清除料盘残留设备包括上料台、和收料台，所述上料台和收料台之间设置传送组件，传送组件上设有清除装置，所述上料台用于将料盘推送至传送组件，所述料盘经所述传送组件传送至所述收料台，所述清除装置用于将所述料盘上的残留芯片清除。本发明能够解决目前芯片在加工生产过程中，需要料盘进行输送，料盘需循环使用，在料盘再次使用前需人工目检其正反面有无芯片残留，由于是人工目检容易出现漏检现象导致混料的技术问题。
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公开(公告)号：CN116230702B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310507410.4
申请日：2023-05-08
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种GaN芯片的封装结构，包括框架基岛、框架引脚、GaN芯片、控制芯片和塑封体，GaN芯片为场效应管，GaN芯片正装固定在框架基岛上，控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的多个控制引脚分别与GaN芯片的G极、框架基岛和框架引脚直接焊接固定。本发明用了创新型的3D堆叠结构，先把控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，然后将控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的控制引脚与GaN芯片的G极连通距离大幅缩短，而且铜柱的导电面积大，产生的自感电感极小，对GaN芯片开关速度影响大幅减小，从而使GaN芯片充分发挥效能。
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公开(公告)号：CN116230702A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310507410.4
申请日：2023-05-08
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种GaN芯片的封装结构，包括框架基岛、框架引脚、GaN芯片、控制芯片和塑封体，GaN芯片为场效应管，GaN芯片正装固定在框架基岛上，控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的多个控制引脚分别与GaN芯片的G极、框架基岛和框架引脚直接焊接固定。本发明用了创新型的3D堆叠结构，先把控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，然后将控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的控制引脚与GaN芯片的G极连通距离大幅缩短，而且铜柱的导电面积大，产生的自感电感极小，对GaN芯片开关速度影响大幅减小，从而使GaN芯片充分发挥效能。
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公开(公告)号：CN114418206B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210019131.9
申请日：2022-01-10
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: G06Q10/04 , G06Q10/0639 , G06Q10/063
Abstract: 本发明提供了一种GaN产品上ESD现场管控方法，包括：获取基于切割分离旧流程下GaN产品与UV膜分离过程中对所述GaN产品所产生的第一静电影响；基于所述第一静电影响，重新设计所述GaN产品与所述UV膜的分离环境，并优化所述切割分离旧流程；获取基于优化后得到的切割分离新流程下所述GaN产品与所述UV膜分离过程中对所述GaN产品产生的第二静电影响，并基于所述第二静电影响，对ESD现场管控作业进行评估，本发明实现了在GaN产品与UV膜分离过程中，有效控制UV膜产生的静电对GaN产品产生冲击，进而提升GaN产品量产良率。
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公开(公告)号：CN114530390B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210423918.1
申请日：2022-04-22
Applicant: 广东气派科技有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/67 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种改善双面散热器件应力问题的集成电路封装制造方法，包括以下步骤：步骤1，制备载体；步骤2，在载体的预设位置安装第一金属垫块，并在第一金属垫块的上表面安装芯片模块；步骤3，在芯片模块的上表面安装第二金属垫块；以及，在第二金属垫块的上表面安装散热片；步骤4，对安装好散热片的器件置入塑封模具进行塑封。本发明用以实现芯片在使用时能够达到良好散热的目的，进一步提高芯片的使用寿命，减少芯片因过热导致其失效故障或损坏的情况。
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