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公开(公告)号：CN118786005A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380023979.1
申请日：2023-02-21
Abstract: 一种机床，其在旋转单元的作用下使主轴旋转，并且移动单元和振动单元的作用下使切削对象物和工具进行相对振动和移动，由此对切削对象物(W)进行切削，所述机床具备：判定单元，其根据切削对象物和工具的相对振动中的去程时的分力和返程时的分力之间的差分来判定工具的前端的磨损程度，所述分力为工具所承受的来自切削对象物的力中的与基于所述移动单元的移动方向相平行的方向的分力。
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公开(公告)号：CN112135684A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980033481.7
申请日：2019-05-10
Applicant: 学校法人中央大学
Abstract: 一种捏合方法，其通过使多个分段(3A)的各个工作状态的组合发生变化来反复形成压缩空间(S)，从而捏合混合物(2)，该压缩空间(S)至少由开放状态的分段(3A)的膨缩体(4A)和与该分段(3A)相邻的封闭状态的分段(3A)的膨缩体(4A)形成，该压缩空间(S)在实质上被封锁且由通过被膨缩体(4A)按压而成为压缩状态的混合物(2)填满。
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公开(公告)号：CN104641417B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201380048634.8
申请日：2013-08-09
Applicant: 学校法人中央大学
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C29/06 , G11C2013/0047 , G11C2013/0057 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 本发明的目的是在防止电阻式存储元件中发生干扰的同时提高读取速度和写入速度。根据本发明的非易失性存储装置(100)包括：存储器(102)，其包括至少一个非易失性的电阻式存储元件；以及控制单元(104)，其被配置为向所述电阻式存储元件写入高电阻状态或低电阻状态，其中，所述控制单元(104)使得在写入所述高电阻状态之后的验证操作时向所述电阻式存储元件所施加的偏压的方向与在写入所述低电阻状态之后的验证操作时向所述电阻式存储元件所施加的偏压的方向彼此相反。
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公开(公告)号：CN104641417A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048634.8
申请日：2013-08-09
Applicant: 学校法人中央大学
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C29/06 , G11C2013/0047 , G11C2013/0057 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 本发明的目的是在防止电阻式存储元件中发生干扰的同时提高读取速度和写入速度。根据本发明的非易失性存储装置(100)包括：存储器(102)，其包括至少一个非易失性的电阻式存储元件；以及控制单元(104)，其被配置为向所述电阻式存储元件写入高电阻状态或低电阻状态，其中，所述控制单元(104)使得在写入所述高电阻状态之后的验证操作时向所述电阻式存储元件所施加的偏压的方向与在写入所述低电阻状态之后的验证操作时向所述电阻式存储元件所施加的偏压的方向彼此相反。
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公开(公告)号：CN101400687A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008365.7
申请日：2007-03-07
CPC classification number: H01L51/0085 , C07F15/0033 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/5016 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供带有具有3齿螯合配体的部分结构的特定结构的金属配位化合物，以及在一对电极间挟持有至少具有发光层的由一层或多层所构成的有机薄膜层的有机EL元件，该有机薄膜层的至少1层含有上述金属配位化合物，通过向两极间施加电压进行发光，获得短波长的发光、色纯度高的蓝色发光的有机电致发光元件和将其实现的金属配位化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1189721C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN01802781.4
申请日：2001-01-22
Applicant: 学校法人中央大学
IPC: G01B21/04
CPC classification number: B82Y15/00 , B23Q17/24 , B25J9/1669 , G01B21/042 , G01B21/045
Abstract: 在相互垂直的二轴或三轴方向上移动可移动物体的移动装置中，由连续二点法，利用关于与上述二或三轴中的确定二轴方向相垂直的一个方向的移动物体的位置误差来确定表示可移动物体在沿预定二轴线方向中的单轴方向的位置误差变化状态的直线误差曲线；对该二轴方向中的另一单轴方向重复直线误差曲线确定。
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公开(公告)号：CN1392950A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN01802781.4
申请日：2001-01-22
Applicant: 学校法人中央大学
CPC classification number: B82Y15/00 , B23Q17/24 , B25J9/1669 , G01B21/042 , G01B21/045
Abstract: 在相互垂直的二轴或三轴方向上移动可移动物体的移动装置中，由连续二点法，利用关于与上述二或三轴中的确定二轴方向相垂直的一个方向的移动物体的位置误差来确定表示可移动物体在沿预定二轴线方向中的单轴方向的位置误差变化状态的直线误差曲线；对该二轴方向中的另一单轴方向重复直线误差曲线确定。
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公开(公告)号：CN116948658A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310427595.8
申请日：2023-04-20
IPC: C09K19/52 , G02F1/1334 , G02F1/1337 , C09K19/60 , C09K19/54
Abstract: 根据本发明，本发明的课题在于能够提供一种不使用电能而仅以太阳光为能源进行自主驱动的智能窗用液晶组合物、具备其的液晶调光元件。本发明的液晶组合物含有非聚合性液晶化合物(LB)、以及至少1种具有光异构性基团的色素，所述非聚合性液晶化合物(LB)在室温呈现近晶A相，并且在比该近晶A相更靠近高温的一侧呈现手性向列相。
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公开(公告)号：CN104969202B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201380071951.1
申请日：2013-11-21
Applicant: 学校法人中央大学
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/065 , G06F3/0685 , G06F11/1012 , G06F11/1068 , G06F11/1076 , G06F11/1666 , G06F11/20 , G06F11/2056 , G06F2211/1009
Abstract: 提高可靠性且以一个分层高效地控制SSD。本发明所涉及的半导体存储装置具备：主存储器(3)、保存有与主存储器(3)中保存的数据对应的数据的镜像存储器(4)以及缓冲存储器(5)中的至少一个存储器；以及控制装置(2)，其控制至少一个存储器，将数据保存在至少一个存储器中，从至少一个存储器读出数据。
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公开(公告)号：CN104798055B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380060156.2
申请日：2013-08-20
Applicant: 学校法人中央大学
CPC classification number: G06F3/0611 , G06F3/0616 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F12/0238 , G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/1036 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , Y02D10/13
Abstract: 为了以更高的速度写入数据并且抑制非易失性存储器的劣化，在页利用率R小于阈值Rth1的情况下和在写入数据是高频率重写数据的情况下将写入数据存储至ReRAM中。此外，在ReRAM的空闲空间Semp2小于阈值Sth的情况下(步骤S110)，如果ReRAM数据是低频率重写数据并且在将对象数据存储至闪速存储器(22)中的情况下的页利用率R大于或等于阈值Rth3(步骤S120、S130)，从ReRAM读出转移列表中所存储的N个逻辑页地址中所包含的逻辑扇区中的数据，并写入闪速存储器(步骤S140‑S160)。通过这种方式，能够以更高的速度写入数据并且抑制非易失性存储器的劣化。
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