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公开(公告)号：CN100502005C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200380108046.5
申请日：2003-12-29
申请人： 全美达股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092
CPC分类号： H01L29/0646 , G11C5/146 , H01L21/823493 , H01L21/823892 , H01L23/481 , H01L27/0203 , H01L27/0222 , H01L27/0928 , H01L29/1095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供对角深阱区以用于在表面阱区里发送体偏置电压给金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
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公开(公告)号：CN1965480A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018676.2
申请日：2005-06-08
申请人： 全美达股份有限公司
发明人： 罗伯特·保罗·马斯莱德 , 安德烈·科瓦尔齐克
IPC分类号： H03K19/017
CPC分类号： H03K5/1252 , H03K5/133 , H03K17/6872 , H03K19/00361
摘要： 一种在线路上辅助信号跃迁的电路及其方法。该电路包括第一分支电路，该第一分支电路使得耦合到该电路的输出(34)的第一晶体管(16)在上升跃迁期间导通并接着断开。第一晶体管(16)驱动输出(34)至高状态以便在上升跃迁中辅助。该电路还包括第二分支电路，该第二分支电路使得耦合到该电路的输出(34)的第二晶体管(25)在下降跃迁期间导通并接着被断开。第二晶体管(25)驱动输出(34)至低状态以便在下降跃迁中辅助。
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公开(公告)号：CN1757008A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200380109985.1
申请日：2003-12-29
申请人： 全美达股份有限公司
IPC分类号： G06F1/32
CPC分类号： G06F17/50 , G06F1/3203 , G06F1/324 , G06F1/3296 , Y02D10/126 , Y02D10/172
摘要： 控制体偏置的软件。
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公开(公告)号：CN1997906A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200580019615.8
申请日：2005-06-14
申请人： 全美达股份有限公司
发明人： 铃木信吾
CPC分类号： G01R31/2856 , G01R31/2855 , G01R31/2884 , G01R31/3008 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 公开了根据一个实施例的集成电路，其包括耦合到第一环形振荡器模块的第一受测器件(DUT)模块和耦合到第二环形振荡器模块的第二DUT模块。在第一模式期间对第一DUT的电介质层施加应力，从而在第一电介质层中引起依赖于时间的电介质击穿。维持第二DUT的电介质层作为参考。在第二模式期间，第一环形振荡器模块的操作频率是受到应力的电介质层的栅极漏电流的函数。在第二模式期间，第二环形振荡器模块的操作频率是参考电介质层的栅极漏电流的函数。该集成电路还可以包括比较器模块，其用于根据第一环形振荡器模块的操作频率与第二环形振荡器模块的操作频率之间的差值生成输出信号。
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公开(公告)号：CN1938598A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580009762.7
申请日：2005-03-01
申请人： 全美达股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2879 , G01R31/2817 , G01R31/2875 , G01R31/31721
摘要： 描述了用于减少老化测试期间的温度耗散的系统和方法。使多个待测试器件均经受体偏置电压。该体偏置电压减少或基本上最小化与该待测试器件关联的泄漏电流。因此，减少老化期间的散热。
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公开(公告)号：CN1732571A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380108046.5
申请日：2003-12-29
申请人： 全美达股份有限公司
IPC分类号： H01L27/092
CPC分类号： H01L29/0646 , G11C5/146 , H01L21/823493 , H01L21/823892 , H01L23/481 , H01L27/0203 , H01L27/0222 , H01L27/0928 , H01L29/1095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供对角深阱区以用于在表面阱区里发送体偏置电压给金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
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公开(公告)号：CN101604663A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910140938.2
申请日：2003-12-29
申请人： 全美达股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/0646 , G11C5/146 , H01L21/823493 , H01L21/823892 , H01L23/481 , H01L27/0203 , H01L27/0222 , H01L27/0928 , H01L29/1095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件的阱区。本发明提供对角深阱区以用于在表面阱区里发送体偏置电压给金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。具体的，本发明提供了一种将体偏置电压发送到半导体器件中的第一传导性的表面阱的方法，所述方法包括：在所述半导体器件的表面之下和所述表面阱之下，形成具有所述第一传导性的次表面网状结构，其中所述次表面网状结构相对于所述表面阱的取向对角地取向；将所述次表面网状结构与所述表面阱电耦合，以生成传导路径；以及将所述体偏置电压施加到所述次表面网状结构。
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公开(公告)号：CN1997905A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200580019614.3
申请日：2005-06-14
申请人： 全美达股份有限公司
发明人： 铃木信吾
CPC分类号： G01R31/2856 , G01R31/2628 , G01R31/2855 , G01R31/2884 , G01R31/3008 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 根据本发明一个实施例的集成电路包括耦合到第一环形振荡器模块的第一受测器件(DUT)模块和耦合到第二环形振荡器模块的第二DUT模块。第一DUT模块在第一模式期间被偏置从而生成界面阱。所生成的界面阱造成第一DUT模块的第一驱动电流减少。第二受测器件模块在第一模式期间被偏置以维持参考驱动电流。第一环形振荡器模块的工作频率在第二模式期间是第一驱动电流的函数。第二环形振荡器模块的工作频率在第二模式期间是参考驱动电流的函数。该集成电路还可以包括用于根据第一环形振荡器模块的工作频率和第二环形振荡器模块的工作频率之间的差值来生成输出信号的比较器模块。
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公开(公告)号：CN1965481A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018677.7
申请日：2005-06-08
申请人： 全美达股份有限公司
发明人： 罗伯特·保罗·马斯莱德 , 瓦特萨尔·德霍拉布黑 , 克里斯蒂安·克林纳
IPC分类号： H03K19/017 , H04L25/24
CPC分类号： H03K5/1252 , H03K5/133 , H03K17/6872 , H03K19/00361
摘要： 一种用于在线路上辅助信号跃迁的电路及其方法。第一分支电路(15－22、65)使得耦合到该电路的输出(34)的第一晶体管(16)在上升跃迁期间导通并驱动输出(34)至高状态以便在上升跃迁中辅助。第二分支电路(24－30、66)使得耦合到该电路的输出(34)的第二晶体管(25)在下降跃迁期间导通并驱动输出(34)至低状态以便在下降跃迁中辅助。第三分支电路(61、62)对第一分支电路(15－22、65)的元件复位，第一分支电路操作在高于第一电压阈值而第三分支电路(61，62)操作在低于第一电压阈值。第四分支电路(63、64)对第二分支电路(24－30、66)的元件复位。第二分支电路操作在低于第二电压阈值并且第四分支电路(63，64)操作在高于第二电压阈值。
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公开(公告)号：CN101604663B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910140938.2
申请日：2003-12-29
申请人： 全美达股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/0646 , G11C5/146 , H01L21/823493 , H01L21/823892 , H01L23/481 , H01L27/0203 , H01L27/0222 , H01L27/0928 , H01L29/1095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件的阱区。本发明提供对角深阱区以用于在表面阱区里发送体偏置电压给金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。具体的，本发明提供了一种将体偏置电压发送到半导体器件中的第一传导性的表面阱的方法，所述方法包括：在所述半导体器件的表面之下和所述表面阱之下，形成具有所述第一传导性的次表面网状结构，其中所述次表面网状结构相对于所述表面阱的取向对角地取向；将所述次表面网状结构与所述表面阱电耦合，以生成传导路径；以及将所述体偏置电压施加到所述次表面网状结构。
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