一种富硒石斛培育和种植方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118923470A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410984479.0

    申请日:2024-07-22

    摘要: 本发明提供了一种富硒石斛培育和种植方法,包括以下步骤:1)育苗:将石斛苗接种到富硒培养基中培育,得到富硒石斛苗;2)炼苗:将富硒石斛苗置于控制遮光率和温度的通风环境中晾晒;3)种植:将富硒石斛苗移栽于基质中种植;4)种植后管理和施肥:在石斛苗生长过程中,控制光照条件、生长温度和基质含水量;在石斛新根发生后施加硝酸钾或磷酸二氢钾,新芽长出后施加三元复合肥;在石斛生长旺盛期(8‑10月)施加无机硒肥亚硒酸钠溶液;在石斛生长前期、生长中期和生长后期对石斛叶面和基质施加富硒叶面肥。本发明提高了石斛中有机硒含量,增加了氨基酸等有益物质的含量,促进了植株生长,可以起到功效协同、互补及增效效果。

    一种烧结Re-Fe-B永磁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118507190B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410954632.5

    申请日:2024-07-17

    IPC分类号: H01F1/057 H01F41/02 H02K1/02

    摘要: 本发明提供一种烧结Re‑Fe‑B永磁体及其制备方法和应用。本发明的烧结Re‑Fe‑B永磁体具有Ti系析出相,所述Ti系析出相包括Re‑Fe‑Ti‑B棒状物;所述Re‑Fe‑Ti‑B棒状物的长度为100‑300nm;所述Ti系析出相中,Re的原子百分含量是1~20at%,Fe的原子百分含量是1~30at%,Ti的原子百分含量是40~90at%,B的原子百分含量是10~20at%;Ti和B的原子百分含量之比为4:1~9:1。本发明烧结钕铁硼永磁体通过配方设计结合工艺优化,形成大尺寸Re‑Fe‑Ti‑B棒状物,阻止富硼相形成,并且Re‑Fe‑Ti‑B棒状物只聚集于晶界中,能够阻碍晶粒尺寸长大,抑制主相晶粒长大,减弱主相晶粒间的磁耦合相应,提高烧结Re‑Fe‑B永磁体性能。

    R-T-B-M系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118486518B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410947526.4

    申请日:2024-07-16

    IPC分类号: H01F1/057 H01F41/02

    摘要: 本发明公开了一种R‑T‑B‑M系永磁材料及其制备方法和应用,所述永磁材料由主相和晶界相组成,其中晶界相至少包括R‑T‑Cu‑Ga‑O相;其中,M选自Cu、Ga、Al、Zr、Ti、Sn、Ta和Mn中的一种或多种;R选自稀土元素;T为至少包含铁(Fe)的过渡金属;B为硼。本发明所述R‑T‑B‑M系永磁材料的制备方法中,所述永磁材料经热处理后,可在晶界相中形成R‑T‑Cu‑Ga‑O相,该相沿晶界处均匀分布,可抑制晶粒的异常长大,降低R‑T‑B‑M系永磁材料对烧结处理温度的敏感性,防止永磁材料出现因晶粒异常长大而导致矫顽力Hcj性能下降的现象。