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公开(公告)号：CN112241046B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010701730.X
申请日：2020-07-20
申请人： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会
摘要： 一种光学系统，包括：第一光学部件，具有第一波导体和凹部，凹部从前侧到与前侧对置的后侧至少部分地穿过第一光学部件；第二光学部件，其布置在第一光学部件的凹部内，并且具有能够与第一波导体光学耦合的第二波导体；和载体基板，其中第一光学部件和第二光学部件分别布置在载体基板上。第一光学部件具有带有相对于第一波导体的限定的位置和/或取向的第一标记组，第二光学部件具有带有相对于第二波导体的限定的位置和/或取向的第二标记组，并且根据第一和第二标记组的相对位置和/或取向能够确定第一和第二光学部件是否在平行于载体基板的表面的参考平面内相互对准，使得实现第一和第二波导体的光学耦合。
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公开(公告)号：CN118050852A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211429315.9
申请日：2022-11-15
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种具有通孔的硅光芯片结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一半导体层，半导体包括基底层及位于基底层上的波导层，波导层包括在水平方向上依次排列且间隔设置的第一波导、第二波导及第三波导；形成包层于基底层上，包层覆盖波导层；形成间隔设置的第一通孔及第二通孔于包层中，第一通孔显露第一波导的一侧面，第二通孔显露第二波导的顶面与两侧面，并显露第三波导的顶面及两侧面。本发明采用光刻刻蚀、干法刻蚀及湿法刻蚀的组合刻蚀方法去除第一波导、第二波导及第三波导周围的预设区域的包层介质以形成通孔，在刻蚀过程中能够避免增大波导的表面粗糙度，降低波导的传输损耗，从而提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN118050849A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410453978.7
申请日：2024-04-16
申请人： 北京航空航天大学
摘要： 本发明公开了基于铌酸锂的光学陀螺用光引擎、加工方法及工作方法，属于光学器件集成领域，包括集成布置且依次经薄膜铌酸锂脊波导进行光级联的光源、起偏器、光分束器、调制器和探测器，薄膜铌酸锂脊波导包括铌酸锂波导层以及分别包覆于铌酸锂波导层上下两侧的SiO2上包层和SiO2下包层，铌酸锂波导层包括SOI晶圆基底层和铌酸锂薄膜。本发明采用上述基于铌酸锂的光学陀螺用光引擎、加工方法及工作方法，混合集成了光源，起偏器、分束器、调制器和探测器，在保证原有分立器件性能的同时，实现了器件组合整体结构的小型化。
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公开(公告)号：CN117805968B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410224750.0
申请日：2024-02-29
申请人： 江苏南里台科技有限公司
发明人： 周炆杰
摘要： 本发明实施例提供一种光子芯片图案结构的制作方法及系统，涉及光子芯片技术。光子芯片图案结构的制作方法包括：提供晶圆片和掩模版，所述掩模版包括透过区域和阻挡区域；将所述掩模版设置于所述晶圆片的正面一侧，并将所述掩模版与所述晶圆片对准；采用真空蒸发淀积、磁控溅射淀积和化学气相沉积中的至少一种制作工艺，在所述晶圆片上生长特定结构。本发明实施例提供一种光子芯片图案结构的制作方法及系统，以提供一种针对光子芯片图案结构中特定结构的制作方法及系统。
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公开(公告)号：CN116540356B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310307872.1
申请日：2023-03-27
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成铌酸锂薄膜和量子光源的光芯片及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1：在光刻胶的保护下，在LNOI晶圆上的单晶LiNbO3薄膜层刻蚀出LiNbO3光波导；S2：在光刻胶的保护下，在InP晶圆上制备出InP纳米束绝热锥体，所述InP纳米束绝热锥体内嵌有InAs量子点，且所述InP纳米束绝热锥体的尾部为由通孔阵列组成的布拉格反射结构；S3：通过聚焦离子束FIB的方法，将InP纳米束绝热锥体与衬底链接切断，并用纳米针吸附并转移InP纳米束绝热锥体，通过分子间作用力与LiNbO3光波导贴合。本发明制备方法通过InP纳米束绝热锥体的设计，可以将发射到纳米束中的单光子高效地传输到铌酸锂波导，从而解决薄膜铌酸锂光芯片缺少单光子发射器的问题。
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公开(公告)号：CN114675371B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210357094.2
申请日：2022-04-07
申请人： 嘉兴佳益量子科技有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种非对称结构布拉格光栅结构法布里‑波罗滤波器，其由输入非对称布拉格波导光栅、第一段F‑P腔直波导、单周期非对称布拉格波导、第二段F‑P腔直波导、输出非对称布拉格波导光栅组成。F‑P腔滤波器是由输入输出两个非对称布拉格光栅作为F‑P腔的反射镜，两个F‑P腔直波导中间插入单周期的光栅作为F‑P腔的谐振腔。本发明的用于窄线宽激光器的可调非对称布拉格光栅结构F‑P腔滤波器采用了非对称布拉格波导和覆盖电极的双F‑P腔直波导结构，解决了传统光栅滤波器的滤波波长调控精度不高、损耗大和无法对带宽进行调控的问题。
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公开(公告)号：CN118033821A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410170323.9
申请日：2024-02-06
申请人： NANO科技(北京)有限公司
摘要： 本发明公开一种硅基光波导边缘耦合结构，包括：分束器以及设置于所述分束器输出侧的至少两个硅波导；所述分束器为基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器，所述分束器将输入光分路后再耦合进各个所述硅波导中。本申请利用基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器实现入射光的分束，将较大光功率的输入光分束为多路较小光功率的光后再耦合进入硅波导中，使得各硅波导可分摊应对输入光，不仅提升对入射光功率的承受上限，而且实现更小的耦合损耗，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN118033818A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211425455.9
申请日：2022-11-14
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种氮化硅波导及其制备方法和半导体器件，氮化硅波导的制备方法包括：提供晶圆，晶圆包括相对的第一面及第二面，于晶圆的第一面形成隔离介质层；于隔离介质层及晶圆的第二面分别形成第一氮化硅层及第二氮化硅层；刻蚀第一氮化硅层，形成氮化硅波导，并进行退火处理；刻蚀第二氮化硅层，形成应力氮化硅波导，应力氮化硅波导与氮化硅波导位置相对，且形状大小尺寸完全相同，应力氮化硅波导用于使氮化硅波导达到应力平衡；于应力氮化硅波导间隙形成氧化硅层。本发明的制备方法通过在晶圆的第二面形成与晶圆第一面的氮化硅波导完全相同的应力氮化硅波导，来平衡氮化硅波导退火后的应力。
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公开(公告)号：CN118033810A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311314859.5
申请日：2023-10-11
申请人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人： M·莱维 , 西瓦·P·阿度苏米利 , 卞宇生
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明涉及具有气隙包覆层的化合物半导体波导，提供波导的结构以及形成波导的方法。该结构包括衬底、包括化合物半导体材料的波导芯、以及设于该衬底上的层。该层包括该化合物半导体材料，且该层包括设置于该波导芯下方的腔体。
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公开(公告)号：CN117878717B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410275170.4
申请日：2024-03-12
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片，涉及光器件集成技术领域，包括：硅衬底、二氧化硅埋氧层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长；硅波导层，设于二氧化硅埋氧层上，位于二氧化硅包埋层内部；二氧化硅包埋层包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域包括量子点激光器阵列，第二区域包括调制器阵列，第三区域包括光波导阵列，量子点激光器阵列、调制器阵列与光波导阵列呈同一方向排布，量子点激光器阵列的输出端面的高度与调制器阵列的输入端面的高度不同，每组量子点激光器阵列与调制器阵列通过光波导阵列对应连接。本发明能够解决量子点激光器与调制器之间模斑尺寸匹配与空间对准问题，更好实现光电单片集成。
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