发明公开
- 专利标题： 一种硅基光波导边缘耦合结构
-
申请号： CN202410170323.9申请日： 2024-02-06
-
公开(公告)号： CN118033821A公开(公告)日： 2024-05-14
- 发明人: 刘亚东 , 陈艳秋 , 蔡鹏飞
- 申请人： NANO科技(北京)有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区永丰路9号院2号楼4层101
- 专利权人： NANO科技(北京)有限公司
- 当前专利权人： NANO科技(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区永丰路9号院2号楼4层101
- 主分类号： G02B6/26
- IPC分类号： G02B6/26 ; G02B6/122 ; G02B6/125 ; G02B6/14 ; G02B6/28 ; G02B6/12
摘要：
本发明公开一种硅基光波导边缘耦合结构，包括：分束器以及设置于所述分束器输出侧的至少两个硅波导；所述分束器为基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器，所述分束器将输入光分路后再耦合进各个所述硅波导中。本申请利用基于悬臂梁结构的二氧化硅分束器实现入射光的分束，将较大光功率的输入光分束为多路较小光功率的光后再耦合进入硅波导中，使得各硅波导可分摊应对输入光，不仅提升对入射光功率的承受上限，而且实现更小的耦合损耗，提高耦合效率。
