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公开(公告)号：CN104561639A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410836351.6
申请日：2014-12-26
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
摘要： 一种金合金靶材及其制备方法，主要用于GaAs基半导体器件的欧姆接触制作。该靶材合金由以下含量的成分组成：Ge 9.5～13.5wt％、Ni 4.2～5.8wt％，Au余量。靶材的致密度高于99.8％，含氧量低于50ppm，表面粗糙度Ra高于0.5μm，该靶材成分精确，尺寸精准，具有较细小的组织结构，采用离心铸造、热压和机械加工的方法制备，流程短，成本低，适于批量生产。采用该方法克服了合金脆带来的加工困难，可以制得性能优异的金合金溅射靶材。
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公开(公告)号：CN104002058A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201310058881.8
申请日：2013-02-25
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC分类号： B23K35/262 , B23K35/0244 , B23K35/40
摘要： 一种Sn-Zn-Ag-Ni合金无铅钎料及其制备方法，该钎料主要用于纯铝及铝合金的低温钎焊，由以下含量的成分组成：Zn8.0~10.0wt%、Ag0.5~1.5wt%、Ni0.5~1.2wt%，Sn余量。该钎料熔化温度低，钎焊工艺性好，具有良好的润湿性，焊着率高于75%，焊缝抗拉强度σb≥50MPa，适用于纯铝和3A21、6063、6061等多种铝合金的低温钎焊。
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公开(公告)号：CN102108478B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200910244363.9
申请日：2009-12-29
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
摘要： 一种航天器用金基电接触材料的热处理及矫直方法，是将该材料的合金铸锭先反复道次加工，其间采用真空退火去应力，温度为680±10℃，保温4小时；再进行成品前的最后一次道次加工，退火工艺采用管状炉中用水封或氢气保护下连续退火，退火温度750±10℃，加工为成品丝材。再进一步用专用矫直设备矫直：先将前制得的金基电接触材料丝材接入该专用矫直设备中，启动设备，细丝由定位准轴进入旋转矫直面板，调整矫直机电压大小与脉冲的频率，使面板工作转速在50～500±5转/min，保持细丝相对的角度α在35～105°，丝材通过矫直工件后，在牵引导轮的带动下，进入切断装置前行至触碰挡板时形成回路，切断装置的切刀动作，将其切割成符合长度要求的金基丝材段。
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公开(公告)号：CN102115834B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200910244556.4
申请日：2009-12-30
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
摘要： 本发明公开了一种金铜镍合金及其制备方法、用途，金铜镍合金成分组成及质量百分比：Cu：15～60％，Ni：1～5％，Au：余量。制备方法如下：按不超上述配比范围计算、称重；配高纯金、无氧铜、高纯镍材料；将原料先后放入真空连铸机中的石墨坩埚内，抽真空，升温，待料全熔后充氩气，开始拉铸，经拉铸得到的Φ8mm丝材，再通过拉拔工序可至成品尺寸。本发明金铜镍合金材料被广泛用作电真空器件的焊料，也可用来作轻负荷电接触材料，绕组材料和滑环材料。本发明金铜镍合金材料与金铜合金相比，镍元素的添加避免了有序化相变的发生，使材料更易加工，且作为焊料使用，提高了焊接的质量。
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公开(公告)号：CN102115833B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200910244557.9
申请日：2009-12-30
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种半导体器件用金铍材料及其制备方法和应用，金铍合金成分组成及质量百分比：Be：1-5％，Au：余量。制备方法如下：按组分及质量百分比配比计算、称重备原材料；按金、铍半导体器件用顺序先后放入氧化铝坩埚中，再将坩埚放入半圆形的可密封石英玻璃罩内，并抽真空；使用电阻炉加热，升温使金、铍熔化，精练后停止加热；冷却至50℃以下，得到金铍中间合金；将得到的金铍中间合金再用相同的方法与金一起熔化、精练，得到含铍量较低的金铍合金；用该合金再与金经过熔炼、连铸、拉拔工序，得到键合金丝。其是制备优质隧道二极管的基础合金材料，应用于制备二元化合物半导体薄膜电路上的线路与电极；还可制备键合金丝，利于实现金与半导体间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102398122B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010278010.3
申请日：2010-09-08
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
发明人： 李刚
IPC分类号： B23K35/22 , B23K35/26 , B23K35/363
摘要： 本发明公开了一种水清洗低温焊膏及其制备方法，该焊膏的组分及其重量百分比为：焊锡合金粉85％～90％；助焊剂10％～15％；其中的焊锡合金粉，按重量百分比，由36％～44％的Pb、18％～22％的Bi和余量Sn组成；助焊剂按重量百分比，由2％～10％的活性剂、1％～10％的成膏剂、20％～30％的润湿剂、2％～10％的触变剂、50％～70％的溶剂混合而成各组分总量100％。该焊膏可适宜多种焊接工艺，焊接速度快，不易损伤元器件，不含卤素，无腐蚀性，焊后残留物少。
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公开(公告)号：CN102534304B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010623785.X
申请日：2010-12-31
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
摘要： 一种高强度锌铝合金，其组成及配比为：Al，3.9～4.3％；Cu，0.5～1.25％；Mg，0.03～0.06％；Zn，余量。其用于制作低、中速中温重载轴承或通过连铸或离心铸造制作轴瓦、衬套型材。制备方法是：将存锌锭、铝锭放入坩埚中，升温，待锌锭、铝锭全部熔化后，依次按成分配比加入电解铜，并用石墨棒将其压入锌铝液中，升温至450℃，保温40分钟，保证铜充分熔化并分布均匀，按配比加入金属镁，炉加温，达到580℃～650℃时出炉；浇铸，挤压。其具有优良的室温和高温力学性能，尤其是优良的抗冲击性能，可以抵抗大过载的冲击，韧性好。并经过精密数控机床加工，可以用来制作用于国光工业中所需引信的核心零件的零部件，替代进口材料，实现国防工业关键材料和零部件的国产化。
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公开(公告)号：CN101748307B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810239843.1
申请日：2008-12-19
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
摘要： 本发明公开了一种金砷合金及其制备方法，金砷合金组成为As：1-20％，Au：余量。制备方法如下：首先制备中间合金，按所需中间合金配比称重；按砷、金的顺序先后放入石英坩埚；石英坩埚抽真空后密封；石英坩埚放入密封电阻炉内；以8～12℃/分钟的速度升温至600℃；向炉内充氩气；继续升温至1100-1500℃熔化并精炼金砷熔体；降温至680～1050℃；泄去炉内压力，快速打开坩埚密封塞，将合金熔液浇铸到水冷铸铁模内，得到中间合金锭。然后，按所需金砷合金配比量，将得到的中间合金锭再与剩余金一起以350～500℃/分钟速度升温至750～1200℃熔化精炼；浇铸，得到金砷合金材料。
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公开(公告)号：CN102115833A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244557.9
申请日：2009-12-30
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
CPC分类号： H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种半导体器件用金铍材料及其制备方法和应用，金铍合金成分组成及质量百分比：Be：1-5％，Au：余量。制备方法如下：按组分及质量百分比配比计算、称重备原材料；按金、铍半导体器件用顺序先后放入氧化铝坩埚中，再将坩埚放入半圆形的可密封石英玻璃罩内，并抽真空；使用电阻炉加热，升温使金、铍熔化，精练后停止加热；冷却至50℃以下，得到金铍中间合金；将得到的金铍中间合金再用相同的方法与金一起熔化、精练，得到含铍量较低的金铍合金；用该合金再与金经过熔炼、连铸、拉拔工序，得到键合金丝。其是制备优质隧道二极管的基础合金材料，应用于制备二元化合物半导体薄膜电路上的线路与电极；还可制备键合金丝，利于实现金与半导体间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101748307A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810239843.1
申请日：2008-12-19
申请人： 北京有色金属与稀土应用研究所
摘要： 本发明公开了一种金砷合金及其制备方法，金砷合金组成为As：1-20％，Au：余量。制备方法如下：首先制备中间合金，按所需中间合金配比称重；按砷、金的顺序先后放入石英坩埚；石英坩埚抽真空后密封；石英坩埚放入密封电阻炉内；以8～12℃/分钟的速度升温至600℃；向炉内充氩气；继续升温至1100-1500℃熔化并精炼金砷熔体；降温至680～1050℃；泄去炉内压力，快速打开坩埚密封塞，将合金熔液浇铸到水冷铸铁模内，得到中间合金锭。然后，按所需金砷合金配比量，将得到的中间合金锭再与剩余金一起以350～500℃/分钟速度升温至750～1200℃熔化精炼；浇铸，得到金砷合金材料。
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