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公开(公告)号：CN111337166A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010216105.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种新型绝对压声表面波压力传感器的制备方法，具体为：先在第一硅片表面刻蚀腔体阵列结构，第二硅片表面热氧化形成SiO2层，两片硅片的键合面经抛光后在真空环境下亲水键合，形成带集成真空腔阵列的SOI衬底，经顶层硅减薄、划片后用于器件制备，最后在其表面依次制备金属底电极、压电薄膜、叉指换能器、反射栅、SiO2温度补偿层和导电金属，得到绝对压声表面波压力传感器。本发明采用先制备带集成真空腔阵列的SOI衬底、后制备器件结构的制备工艺，有效减小器件尺寸，简化后续芯片封装步骤，有助于实现器件的批量化生产，同时本发明制得的器件具有优异的气密性和应力匹配性，提高传感器测试精度及稳定性。
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公开(公告)号：CN108642563B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810679428.1
申请日：2018-06-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种应用于乙醇传感器的VSe2单晶薄膜的制备方法，属于功能材料制备技术领域。首先将V和Se粉体放置于石英管底部，将石英管抽真空并进行封管；然后将封装好的石英管竖直放入立式炉中，通过设定立式炉的升降温及保温程序，精确控制炉内温度以满足晶体的加热、长晶过程，V和Se粉体在温度与重力场的协同作用下，变成蒸汽并在台阶处的基片上生长得到VSe2单晶薄膜。本发明方法中，晶体的生长是在真空石英管中完成的，不涉及气体的通入及废气的处理过程；且方法简单，成本低廉，得到的单晶薄膜纯度高，品质好，可作为高纯度本征单晶半导体材料，应用于乙醇传感器等气体传感器中。
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公开(公告)号：CN107267944B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710542699.8
申请日：2017-07-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于薄膜电阻应变计技术领域，提供一种具有温度自补偿的高温薄膜半桥式电阻应变计及制备方法，适用于原位温度不宜直接测得或者温度处于动态波动的高温环境。本发明半桥式电阻应变计，包括从下向上依次层叠的镍基合金基底、缓冲层、绝缘层、功能层及保护层，功能层由两个相同结构的图形化应变敏感单元构成，两个图形化应变敏感单元相互垂直设置、共同构成一个半桥式结构；将该薄膜半桥式电阻应变计接入惠斯通桥式电路中，能够有效的自补偿测试过程中由于温度波动(变化)引起的视应变误差以及敏感层电阻漂移所引起的漂移应变误差，从而提高应变计的测试精度和准确度；另外，其制备工艺简单、制备成本低、利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110987215A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911402146.8
申请日：2019-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种检测热障涂层隔热效果的薄膜温度传感器，属于薄膜传感器技术领域。所述薄膜温度传感器包括设置于涡轮叶片和热障涂层之间的薄膜热电偶敏感层，所述薄膜热电偶敏感层由N个薄膜热电偶正负极依次串联得到，所述热障涂层覆盖薄膜热电偶的冷端，其中，N≥1的正整数。本发明检测热障涂层隔热效果的薄膜温度传感器，在涡轮叶片与热障涂层之间设置薄膜热电偶，薄膜热电偶的热端位于无热障涂层保护的区域，冷端位于有热障涂层保护的区域，根据热电偶的工作原理，能够直接获得热障涂层的隔热效果，排除了多次或多样品测量隔热效果时所带来的误差。同时提高了器件的信号强度以及分辨率，在不破坏热障涂层的前提下实现了薄膜热电偶信号的引出。
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公开(公告)号：CN107012425B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710136413.6
申请日：2017-03-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，提供一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法，用以克服现有技术中由于绝缘层与敏感功能层热膨胀系数失配导致功能层高温附着力差的难题；本发明复合绝缘层由自下而上依次重叠的热生长Al2O3层和SiAlO成分梯度层组成，沿薄膜生长方向，所述SiAlO成分梯度层的成分中硅含量递增、同时铝含量递减。本发明复合梯度绝缘层的热膨胀系数可随成分的渐变而发生渐变，实现与不同敏感功能层材料热膨胀系数匹配的需要，减小绝缘层与敏感功能层之间因热膨胀系数失配而产生热应力，提高薄膜传感器的附着力；在高温条件下，可有效保证薄膜传感器的可靠性和稳定性，降低器件的失效几率，延长薄膜传感器的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109920863A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910082596.7
申请日：2019-01-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的窄禁带半导体薄膜包括重叠设置于衬底基片上的二维硫族化合物薄膜层和窄禁带半导体层，所述二维硫族化合物薄膜层的材料至少包括下述选定硫族化合物材料之一：MoSe2、WSe2、HfSe2、ZrSe2、NbSe2、TaSe2、MoTe2、WTe2、HfTe2、ZrTe2、NbTe2、TaTe2及由MoSe2、WSe2、HfSe2、ZrSe2、NbSe2、TaSe2、MoTe2、WTe2、HfTe2、ZrTe2、NbTe2、TaTe2；所述窄禁带半导体层的材料的材料至少包括下述各材料之一：Pb1-xSnxSe和Pb1-xSnxTe，其中0≤x≤1。本发明的光敏二极管具有较高光响应度和探测率。
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公开(公告)号：CN106948001B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710159585.5
申请日：2017-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单晶和薄膜材料制备技术领域，提供一种瓶颈式反应管、以及与该瓶颈式反应管配套使用的高通量二维单晶炉装置，用以克服现有单晶炉的操作繁复、生产单晶品质低、生产效率低等缺点。本发明瓶颈式反应管呈圆筒状，其底部封闭，顶部采用封管密封，其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部；同时，与其配套使用的高通量二维单晶炉装置，包括炉体、刚玉石英管、瓶颈式反应管、温控系统及环形加热圈，环形加热圈嵌套设置于刚玉石英管内部、与瓶颈式反应管中安装的基片呈一一对应关系、且处于同一水平位置。本发明能够实现高纯度、高品质二维单晶的高通量制备，且操作简单、成本低，大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN109873046A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910088614.2
申请日：2019-01-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 双异质结光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的双异质结光敏二极管，其特征在于，包括自下而上顺序设置的单晶基片、第一硫族化合物层、窄禁带半导体材料层、第二硫族化合物层，窄禁带半导体材料层覆盖第一硫族化合物层上表面的局部，第一硫族化合物层的上表面和第二硫族化合物层的上表面各设置有电极；所述窄禁带半导体的材料包含Pb1-xSnxSe或Pb1-xSnxTe，其中0≤x≤1；所述第一硫族化合物层的材料包含Mo1-yWySe2，其中0≤y≤1；所述第二硫族化合物层的材料包含HfzZr1-zSe2，其中0≤z≤1。本发明具有优良光电响应特性。
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公开(公告)号：CN109633210A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910073039.9
申请日：2019-01-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01Q60/00
Abstract: 一种基于近场微波显微系统测量薄膜尺寸的方法，利用近场微波显微镜的探针沿着薄膜样品待测尺寸方向分别经由不同材料的过渡边界来进行扫描，得到谐振曲线并对其进行求导得到谐振频率变化曲线，经拟合得到谐振频率变化曲线的极值点，然后调整探针与样品的间距后重复上述操作，继而得到一组随探针与样品的间距线性变化的极值点差值或者得到两组随探针与样品的间距线性变化的极值点，通过线性拟合得到直线的截距或者两条直线截距的差值即为即为薄膜样品待测方向的尺寸。本发明实现了对薄膜样品平面尺寸的精确测量，有利于准确的表面形貌分析与材料分析，有利于缺陷精确检测的应用；同时避免测量良导体时探针与其接触情况下使得谐振频率消失导致无法测量的问题。
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公开(公告)号：CN109541745A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811529297.5
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法，属于集成光学领域。该器件包括衬底1、键合层2、直波导4、介质层6、跑道型波导7，所述键合层2设置于衬底1上方，所述介质层6设置于键合层2上方，所述直波导4设置于介质层6中，所述跑道型波导7的直道部分在直波导4的正上方，其特征在于，还包括埋槽3，所述埋槽3设置于耦合区中的键合层2内，并位于直波导4的正下方，埋槽3的折射率小于衬底1的折射率。本发明中所采用埋槽结构，既可以减少光场在传输过程中的泄露损耗，又可以促使光场向其他介质转移，进而提高耦合效率，还具有在脊形波导中促进模式从多模向模式减少进行变化的优势。
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