公开(公告)号：CN113206168A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110383874.X

申请日：2021-04-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘兴钊 ,  刘倢瑃 ,  任羿烜 ,  李雨麒

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  C23C14/30 ,  C23C14/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/04 ,  C23C14/00

Abstract: 可见光探测器及制备方法，及电子信息材料与元器件技术，本发明的可见光探测器包括设置于Si(100)衬底上表面的Bi2O3层，所述Bi2O3层的上表面设置有Bi2(SeO3)3薄膜层，在Bi2O3层的上表面和Bi2(SeO3)3薄膜层的上表面设置有电极。本发明的探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。

公开(公告)号：CN113206168B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202110383874.X

申请日：2021-04-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘兴钊 ,  刘倢瑃 ,  任羿烜 ,  李雨麒

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  C23C14/30 ,  C23C14/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/04 ,  C23C14/00

Abstract: 可见光探测器及制备方法，及电子信息材料与元器件技术，本发明的可见光探测器包括设置于Si(100)衬底上表面的Bi2O3层，所述Bi2O3层的上表面设置有Bi2(SeO3)3薄膜层，在Bi2O3层的上表面和Bi2(SeO3)3薄膜层的上表面设置有电极。本发明的探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度。

公开(公告)号：CN109873046B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201910088614.2

申请日：2019-01-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘兴钊 ,  范旭东 ,  潘棋 ,  任羿烜 ,  代天军 ,  罗文博 ,  张万里 ,  李言荣

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 双异质结光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的双异质结光敏二极管，其特征在于，包括自下而上顺序设置的单晶基片、第一硫族化合物层、窄禁带半导体材料层、第二硫族化合物层，窄禁带半导体材料层覆盖第一硫族化合物层上表面的局部，第一硫族化合物层的上表面和第二硫族化合物层的上表面各设置有电极；所述窄禁带半导体的材料包含Pb1‑xSnxSe或Pb1‑xSnxTe，其中0≤x≤1；所述第一硫族化合物层的材料包含Mo1‑yWySe2，其中0≤y≤1；所述第二硫族化合物层的材料包含HfzZr1‑zSe2，其中0≤z≤1。本发明具有优良光电响应特性。

公开(公告)号：CN113465737A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110327846.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘兴钊 ,  李雨麒 ,  任羿烜 ,  刘倢瑃

IPC: G01J1/08 ,  G01J1/16

Abstract: 宽波段光电探测器测试装置，涉及光电技术。本发明包括光源、斩波器、源表、屏蔽黑箱、前置放大器和锁相放大器，其特征在于，还包括温度调节模块，所述温度调节模块的热量传输单元设置于屏蔽黑箱，屏蔽黑箱中设置有温度传感器。本发明可以实现不同温度、不同光照强度、不同偏压的测试。

公开(公告)号：CN114864732A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210276225.4

申请日：2022-03-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘兴钊 ,  王思杰 ,  任羿烜 ,  令康

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  C23C14/04 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35

Abstract: 紫外光探测器及制备方法，涉及电子信息材料与元器件技术。本发明的探测器包括设置于蓝宝石衬底上表面的NiO层，在NiO层的上表面设置有异质结区域和电极区；在异质结区域，由ZnGa2O4薄膜和NiO构成异质结，且ZnGa2O4薄膜上设置有电极；在电极区，设置有与NiO层直接连接的电极。本发明的紫外光探测器具有较低的暗电流和较快的光响应速度，同时可工作在20V外加偏压下，并且具有较高的灵敏度。

公开(公告)号：CN109920863A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910082596.7

申请日：2019-01-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘兴钊 ,  潘棋 ,  范旭东 ,  任羿烜 ,  代天军 ,  罗文博 ,  张万里 ,  李言荣

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 窄禁带半导体薄膜、光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的窄禁带半导体薄膜包括重叠设置于衬底基片上的二维硫族化合物薄膜层和窄禁带半导体层，所述二维硫族化合物薄膜层的材料至少包括下述选定硫族化合物材料之一：MoSe2、WSe2、HfSe2、ZrSe2、NbSe2、TaSe2、MoTe2、WTe2、HfTe2、ZrTe2、NbTe2、TaTe2及由MoSe2、WSe2、HfSe2、ZrSe2、NbSe2、TaSe2、MoTe2、WTe2、HfTe2、ZrTe2、NbTe2、TaTe2；所述窄禁带半导体层的材料的材料至少包括下述各材料之一：Pb1-xSnxSe和Pb1-xSnxTe，其中0≤x≤1。本发明的光敏二极管具有较高光响应度和探测率。

公开(公告)号：CN109873046A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201910088614.2

申请日：2019-01-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘兴钊 ,  范旭东 ,  潘棋 ,  任羿烜 ,  代天军 ,  罗文博 ,  张万里 ,  李言荣

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 双异质结光敏二极管及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域，本发明的双异质结光敏二极管，其特征在于，包括自下而上顺序设置的单晶基片、第一硫族化合物层、窄禁带半导体材料层、第二硫族化合物层，窄禁带半导体材料层覆盖第一硫族化合物层上表面的局部，第一硫族化合物层的上表面和第二硫族化合物层的上表面各设置有电极；所述窄禁带半导体的材料包含Pb1-xSnxSe或Pb1-xSnxTe，其中0≤x≤1；所述第一硫族化合物层的材料包含Mo1-yWySe2，其中0≤y≤1；所述第二硫族化合物层的材料包含HfzZr1-zSe2，其中0≤z≤1。本发明具有优良光电响应特性。