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公开(公告)号:CN109633210A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201910073039.9
申请日:2019-01-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01Q60/00
Abstract: 一种基于近场微波显微系统测量薄膜尺寸的方法,利用近场微波显微镜的探针沿着薄膜样品待测尺寸方向分别经由不同材料的过渡边界来进行扫描,得到谐振曲线并对其进行求导得到谐振频率变化曲线,经拟合得到谐振频率变化曲线的极值点,然后调整探针与样品的间距后重复上述操作,继而得到一组随探针与样品的间距线性变化的极值点差值或者得到两组随探针与样品的间距线性变化的极值点,通过线性拟合得到直线的截距或者两条直线截距的差值即为即为薄膜样品待测方向的尺寸。本发明实现了对薄膜样品平面尺寸的精确测量,有利于准确的表面形貌分析与材料分析,有利于缺陷精确检测的应用;同时避免测量良导体时探针与其接触情况下使得谐振频率消失导致无法测量的问题。
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公开(公告)号:CN111257647B
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN202010095658.0
申请日:2020-02-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 一种近场微波显微镜介电常数测量标定的软接触实现方法,属于近场微波显微镜的测试领域。采用至少3个已知介电常数的样品进行软接触测试,得到各样品在软接触时的谐振频率,然后通过拟合的方式得到常数A与f0,完成近场微波显微镜介电常数测量时的标定。本发明方法操作简单,误差较小,有效减小了针尖样品距离对介电常数测量的影响,很好地实现了利用近场微波显微镜测量介电常数时的标定。
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公开(公告)号:CN109633210B
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201910073039.9
申请日:2019-01-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01Q60/00
Abstract: 一种基于近场微波显微系统测量薄膜尺寸的方法,利用近场微波显微镜的探针沿着薄膜样品待测尺寸方向分别经由不同材料的过渡边界来进行扫描,得到谐振曲线并对其进行求导得到谐振频率变化曲线,经拟合得到谐振频率变化曲线的极值点,然后调整探针与样品的间距后重复上述操作,继而得到一组随探针与样品的间距线性变化的极值点差值或者得到两组随探针与样品的间距线性变化的极值点,通过线性拟合得到直线的截距或者两条直线截距的差值即为即为薄膜样品待测方向的尺寸。本发明实现了对薄膜样品平面尺寸的精确测量,有利于准确的表面形貌分析与材料分析,有利于缺陷精确检测的应用;同时避免测量良导体时探针与其接触情况下使得谐振频率消失导致无法测量的问题。
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公开(公告)号:CN111257647A
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN202010095658.0
申请日:2020-02-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 一种近场微波显微镜介电常数测量标定的软接触实现方法,属于近场微波显微镜的测试领域。采用至少3个已知介电常数的样品进行软接触测试,得到各样品在软接触时的谐振频率,然后通过拟合的方式得到常数A与f0,完成近场微波显微镜介电常数测量时的标定。本发明方法操作简单,误差较小,有效减小了针尖样品距离对介电常数测量的影响,很好地实现了利用近场微波显微镜测量介电常数时的标定。
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公开(公告)号:CN110596428B
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN201910768066.8
申请日:2019-08-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种近场扫描微波显微镜的扫描区域平面纠斜的方法,属于薄膜材料测试技术领域。本发明通过三点测试法,仅需测试三点处针尖与薄膜接触时,位移台在z轴上的移动距离,即可确定待测样品斜面的平面方程并得到面内各点z轴的坐标值,进而控制每一扫描点处针尖‑样品表面的距离保持一致,有效解决了测量时的样品平面倾斜影响测量结果准确性的问题,消除了样品倾斜放置所导致的测量结果误差。
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公开(公告)号:CN110596428A
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201910768066.8
申请日:2019-08-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种近场扫描微波显微镜的扫描区域平面纠斜的方法,属于薄膜材料测试技术领域。本发明通过三点测试法,仅需测试三点处针尖与薄膜接触时,位移台在z轴上的移动距离,即可确定待测样品斜面的平面方程并得到面内各点z轴的坐标值,进而控制每一扫描点处针尖-样品表面的距离保持一致,有效解决了测量时的样品平面倾斜影响测量结果准确性的问题,消除了样品倾斜放置所导致的测量结果误差。
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