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公开(公告)号：CN101071274A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710000151.7
申请日：2007-01-05
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/16 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/2041
摘要： 本发明公开一种使用浸没式光刻工艺制造半导体器件的方法。所述半导体器件通过如下步骤制造：利用用于除胺的化学过滤器过滤空气；以及在(i)用水清洗所述光阻膜之后且在曝光工序之前，或(ii)用水清洗所述光阻膜之后且在后烘工序之前，将所述已过滤空气施加于在半导体基板上形成的光阻膜上。这些步骤可以高效地防止水斑缺陷。
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公开(公告)号：CN100344653C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN01123294.3
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/10 , C09D133/08
CPC分类号： C08F220/28 , C08F220/18 , C08F220/36 , G03F7/091 , Y10S428/901 , Y10S430/151 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31667
摘要： 下式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、一种包括有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物和由其制得的抗反射涂层的制备方法。该包含聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波，防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案，改进生产产率和控制K值。还可以防止由于完成涂覆后不平衡酸度而导致的刻痕。
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公开(公告)号：CN1241065C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN01118895.2
申请日：2001-06-29
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0395 , Y10S430/115 , Y10S430/117 , Y10S430/122 , Y10S430/124 , Y10S430/126
摘要： 本发明涉及一种含有光自由基发生剂的光致抗蚀剂组合物，更具体涉及一种包括(a)光致抗蚀剂树脂，(b)光产酸剂，(c)有机溶剂和(d)光自由基发生剂的光致抗蚀剂组合物。该光致抗蚀剂组合物能降低或阻止由于光致抗蚀剂上部组合物产生的酸浓度相对于光致抗蚀剂下部组合物产生的酸浓度高所造成的倾斜图像的生成。
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公开(公告)号：CN1240816C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02151862.9
申请日：2002-12-12
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： C11D3/3738 , C11D1/44 , C11D1/72 , C11D1/721 , C11D1/722 , C11D3/373 , C11D3/3742 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/3218 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/422
摘要： 本发明涉及用于除去光致抗蚀剂树脂的洗涤液和使用该洗涤液形成图案的方法。本发明的洗涤液包括作为主要成分的水(H2O)以及作为添加剂的一种或多种表面活性剂和醇化合物，该表面活性剂选自聚氧化烯化合物、式1的醇胺与具有羧酸(-COOH)基团的烃化合物的盐、式1的醇胺与具有磺酸(-SO3H)基团的烃化合物的盐、式2的聚乙二醇化合物、式3的化合物、分子量范围为1000～10000并含有式4重复单元的化合物、聚醚变性的硅化合物。其中R1，R2，R3，R4，R5，A，l和n如说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN1637601A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410104922.3
申请日：2004-12-24
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G03F7/091 , C08F8/00 , C08F216/34 , C08F2810/20 , C08F116/34
摘要： 本发明披露一种用于有机抗反射涂层的交联聚合物，其可用于半导体器件制造过程中通过使用波长为194nm的ArF光源，改进有关用于光刻法的超细图案形成过程中形成的光刻胶图案的均匀性；一种包括该聚合物的有机抗反射涂层组合物；及一种使用该组合物形成光刻胶图案的方法。用于有机抗反射涂层的交联聚合物，其能够轻易地移除该有机抗反射涂层，其防止底部薄膜层的漫反射且消除由于光刻胶薄膜本身的厚度的改变所引起的驻波效应以使该光刻胶图案的均匀性增加，且同时增加该有机抗反射涂层的蚀刻速度，因而允许该有机抗反射涂层被轻易地移除；及一种含有该交联聚合物的有机抗反射涂层组合物。
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公开(公告)号：CN1619419A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410069634.9
申请日：2004-07-15
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
CPC分类号： G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/143 , Y10S430/146 , Y10S430/167
摘要： 本发明涉及用于远紫外区的光致抗蚀剂的组合物以及用于形成光致抗蚀剂图案的方法。更具体地，小于50nm而不塌陷的精细光致抗蚀剂图案以EUV(远紫外线)作为曝光光源，使用包含三聚氰胺衍生物及聚乙烯基苯酚的负型光致抗蚀剂组合物来形成。
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公开(公告)号：CN1609707A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410063569.9
申请日：2004-07-12
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0392 , Y10S430/168
摘要： 本发明公开用于光致抗蚀的保护涂层组合物及使用该组合物的方法。详言之，公开包含可稳定地将酸变弱的材料的用于光致抗蚀的保护涂层组合物。该等材料中和大量在光致抗蚀薄膜顶部所产生的酸，以使该酸的垂直分布一致化。结果可得到小于100nm厚度的垂直且精细的图案。
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公开(公告)号：CN1165072C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01123293.5
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/31
摘要： 本发明公开了形成半导体基底的微图样的方法，更具体说是涉及一种防止光致抗蚀图样中产生缺陷(如基蚀或基脚)的方法，该缺陷是由于有机抗反射涂层与光致抗蚀剂之间相互混合而产生的，通过对有机抗反射涂层进行固化处理，如离子注入或电子束固化，使该有机抗反射涂层表面形成碳化层来防止相互混合，从而防止缺陷的产生。
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公开(公告)号：CN1331257A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01123291.9
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F22/10 , C09D133/08
CPC分类号： C08F220/36 , C07C251/54 , C08F220/40 , G03F7/091 , Y10S430/111 , C08F2220/281 , C08F216/38
摘要： 式10的一种化合物,一种由式1化合物合成的具有式1结构的有机抗反射聚合物及其制备方法。一种含有以上有机抗反射聚合物的抗反射涂料组合物,以及抗反射涂料的制备方法。含有所公开聚合物的该抗反射涂层消除了由晶片上的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波,防止了回射,还解决了由于从该下层衍射和反射的光引起的CD变换问题。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16GDRAM半导体器件的稳定的超微图案且产品的产率增加。而且,还能控制K值。
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公开(公告)号：CN1331255A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01123296.X
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/10 , C09D133/04
CPC分类号： C08F220/36 , G03F7/091
摘要： 右式1的有机抗反射聚合物、其制备方法、含有该聚合物的抗反射涂料组合物、和由该组合物制得抗反射涂层的方法。含该聚合物的抗反射涂层消除了由晶片的下层光学性能和光刻胶的厚度变化所引起的驻波,防止了由于从下层衍射和反射的光引起的回射和CD变换。这些优点使得能够形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超微图案,改进生产产率和控制K值。还可以防止涂完后由于不平衡的酸度而导致的刻痕。
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