公开(公告)号：CN106854754A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201611166365.7

申请日：2016-12-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐华蕊 ,  陈一达 ,  赵昀云 ,  张秀元 ,  颜东亮

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/086

Abstract: 一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其步骤包括：1）安装溅射靶材；2）清洗玻璃基片并安装；3) 抽真空度至8×10‑4Pa以下；4）采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；5）生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过对基片温度、溅射气压、溅射功率等的控制先在玻璃基片上制备400主峰择优取向的ITO薄膜诱导层，然后再通过制备工艺参数的控制即可生长具有400主峰高度择择优的ITO薄膜。本发明采用同质诱导实现400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备，无需引入异质中间诱导层或经后续退火处理，具有工艺简单，易于实现工业化的特点，所制备的ITO薄膜具有高度400主峰晶面择优取向，光电性能优异。

公开(公告)号：CN103456983B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201310404223.X

申请日：2013-09-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐华蕊 ,  俞兆喆 ,  朱归胜

IPC: H01M10/0562

Abstract: 本发明公开了一种薄膜固体电解质材料及其制备方法，其结构为Li‑(Mn1‑xM1x)‑(Ti1‑yM2y)‑O表示，其中x满足0≤x＜1的关系，y满足0≤y＜1的关系，上述M1选自La、Sr、Na、Nd、Pr、Sm、Gd、Dy、Y、Eu、Tb、Ba中的至少一种，M2选自Mg、W、Al、Ge、Ru、Nb、Ni、Ta、Co、Fe、Zr、Hf、Fe、Cr、Ga中的至少一种。该薄膜固体电解质是经溶胶凝胶法或射频磁控溅射的方法制得。该薄膜固体电解质具有较高的Li离子导电率，较低的电子导电率和良好的热力学稳定性，特别适用于生产固体锂离子电池。

公开(公告)号：CN104465462A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410781212.8

申请日：2014-12-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐华蕊 ,  朱归胜 ,  颜东亮

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/35 ,  B23K26/364

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为：①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜，并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采用激光对薄膜进行加热处理；②将集成在磁控溅射仪上的激光刻蚀机与溅射台上的基片进行定位，并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上；③通过计算机设计好刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件，并设置激光参数和运动参数；④启动激光刻蚀对薄膜进行图案化刻蚀。本发明使薄膜在磁控溅射制备完成后即可在基片台上实现图案化，无需取出，具有工艺简单、易于工业化的特点，特别适合于制作各种多层薄膜元器件。

公开(公告)号：CN103896578A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410102318.0

申请日：2014-03-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  朱归胜 ,  王华 ,  徐华蕊 ,  张小文

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，所述方法包括在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，助烧剂是Bi2O3、B2O3和SiO2中的一种、两种或三种，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。本方法能够使得制备的氧化锌陶瓷靶材不仅具有高密度、低电阻率及降低对氧化锌粉体的粒度要求，而且因为降低了烧结温度，从而导致能耗的大幅降低。另外，本方法制备的氧化锌陶瓷靶材由于具有超高的密度及低的电阻率，使得在磁控溅射镀膜时，可以使用直流工艺进行溅射镀膜，在对靶材加高压进行镀膜过程中的放电次数少，高速沉积薄膜，靶材表面节瘤少。

公开(公告)号：CN119241900A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411357382.3

申请日：2024-09-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  陈江超 ,  徐华蕊 ,  王沪 ,  赵昀云 ,  张秀云 ,  庞鹏飞 ,  韦婷婷

IPC: C08J9/28 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明公开了一种制备多孔蜂窝状聚合物材料的方法，非溶剂相分离法。微乳液(由去离子水和丙三醇组成)作为造孔剂引入到聚合物PVDF‑HFP中，利用各个溶剂挥发温度的不同，实现微乳液的液相和聚合物PVDF‑HFP的凝胶相分离。所述方法是利用不同相之间的不相容性来形成多孔结构，这种方法制备的多孔蜂窝状聚合物材料，不仅可以在生物传感、药物控制释放和环境监测等领域展现出独特优势，以及在能源存储领域显示出优异的电化学性能，还可以应用于半固态、固态锂离子、钠离子电池等领域。所述方法是一种简便、绿色、可控并具有商业化应用潜力的多孔蜂窝状聚合物材料的制备方法。

公开(公告)号：CN117728014A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311741102.4

申请日：2023-12-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  陈江超 ,  徐华蕊 ,  王沪 ,  郑魁兴

IPC: H01M10/0565 ,  H01M10/42 ,  H01M10/0525 ,  C08G83/00

Abstract: 本发明公开了一种具有高离子电导率的凝胶聚合物固态电解质及制备方法，所述凝胶聚合物固态电解质的化学式为H‑Co/Zn‑ZIF/PVDF‑HFP，其中纳米填料H‑Co/Zn‑ZIF具有“笼”型双MOF结构，聚合物PVDF‑HFP具有连续且贯通的微孔通道，H‑Co/Zn‑ZIF处于PVDF‑HFP的微孔通道中。本发明利用了ZIF‑67在温和的溶剂热条件下从菱形十二面体到中空结构的自发相变。鉴于ZIF‑67和ZIF‑8是同构的，可以通过外延生长“笼”型结构（ZIF‑67@ZIF‑8），进一步利用ZIF‑67的内部相转变，实现了具有规则形貌和规整晶体特征的“笼”型双MOF结构。随后，将H‑Co/Zn‑ZIF引入多孔道的PVDF‑HFP中，解决了凝胶聚合物固态电解质机械性能差、长时间循环难以抵抗锂枝晶生长的问题。

公开(公告)号：CN116751053B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202310799881.7

申请日：2023-07-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  汪青 ,  杨玲 ,  徐华蕊

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明公开了一种高储能陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑Al3+；或者(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑(Sr0.7Ba0.3)5LaNb7Ti3O30。本发明通过优化陶瓷材料的组成，使材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。

公开(公告)号：CN117185780A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311141585.4

申请日：2023-09-06

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 许积文 ,  王倓 ,  徐华蕊 ,  朱归胜

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低氧化锡含量ITO靶材及制备方法，所述ITO靶材掺杂了0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，氧化锡在氧化铟、氧化锡两者中的重量占比为1‑3。所述ITO靶材的制备方法包括：（1）称取氧化铟和氧化锡粉末，其中氧化锡粉末重量占比1‑3；再另外添加0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，以无水乙醇为溶剂，球磨后烘干。（2）加入40wt%的乙酸再次充分研磨，获得浆料。（3）浆料置于模具中，缓慢加压至200‑300MPa，升温至400℃±10%，保温保压1‑2小时，得到ITO素坯。（4）ITO素坯在氧化气氛、1400‑1550℃温度下烧结，得到低氧化锡含量ITO靶材。本发明可以提高ITO薄膜中的载流子迁移率，有助于提高薄膜太阳能电池的性能。

公开(公告)号：CN116873972A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310827452.6

申请日：2023-07-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 赵昀云 ,  岳敬森 ,  上官明楠 ,  张秀云 ,  朱归胜 ,  徐华蕊

IPC: C01G23/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种钛酸钡纳米粉体及其制备方法，属于介电材料纳米粉体技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将酒石酸钡和偏钛酸进行混合得到混合物料，加入水充分搅拌，在所得的混合料液中加入分散剂和碱溶液，经过球磨处理，得到混合浆料；(2)将所得的混合浆料依次进行洗涤、抽滤、烘干和研磨，得到前驱体粉体；(3)将所得的前驱体粉体进行高温煅烧，经过研磨后，得到钛酸钡纳米粉体。本发明制得的钛酸钡纳米粉体中四方相含量高，性能优异，团聚少，粒径小(50～200nm)，均匀性和分散性好，具有很好的实际应用价值。同时，该制备工艺简单，操作简单易行，对设备要求低，能耗低，生产成本低，安全无污染，适合大批量生产。

公开(公告)号：CN113461420A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110684703.0

申请日：2021-06-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  龙神峰 ,  徐华蕊 ,  赵昀云

IPC: C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种高密度ITO靶材的制备方法，通过配制预设浓度的溶液；向ITO粉体中添加预设质量百分比的溶液，并经研磨分散得到ITO粉体的浆料；将浆料放入模具中，施加超声波振荡压力，同时将模具升温加热至预设温度，并保温保压特定时间，得到致密ITO靶材。上述工艺在≤400℃下制备出相对密度高于93％的靶材，有利于得到晶粒细小的靶材(＜100nm,晶粒尺寸，电阻率10‑4Ω˙cm2)，本发明较传统高温烧结降低了1000℃，有效降低了能源的消耗，缩短了ITO靶材的制备周期。