公开(公告)号：CN106854754B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201611166365.7

申请日：2016-12-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐华蕊 ,  陈一达 ,  赵昀云 ,  张秀元 ,  颜东亮

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其步骤包括：1）安装溅射靶材；2）清洗玻璃基片并安装；3)抽真空度至8×10‑4Pa以下；4）采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；5）生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过对基片温度、溅射气压、溅射功率等的控制先在玻璃基片上制备400主峰择优取向的ITO薄膜诱导层，然后再通过制备工艺参数的控制即可生长具有400主峰高度择择优的ITO薄膜。本发明采用同质诱导实现400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备，无需引入异质中间诱导层或经后续退火处理，具有工艺简单，易于实现工业化的特点，所制备的ITO薄膜具有高度400主峰晶面择优取向，光电性能优异。

公开(公告)号：CN106854754A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201611166365.7

申请日：2016-12-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐华蕊 ,  陈一达 ,  赵昀云 ,  张秀元 ,  颜东亮

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/086

Abstract: 一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法，其步骤包括：1）安装溅射靶材；2）清洗玻璃基片并安装；3) 抽真空度至8×10‑4Pa以下；4）采用直流溅射制备ITO薄膜诱导层；5）生长400主峰晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过对基片温度、溅射气压、溅射功率等的控制先在玻璃基片上制备400主峰择优取向的ITO薄膜诱导层，然后再通过制备工艺参数的控制即可生长具有400主峰高度择择优的ITO薄膜。本发明采用同质诱导实现400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备，无需引入异质中间诱导层或经后续退火处理，具有工艺简单，易于实现工业化的特点，所制备的ITO薄膜具有高度400主峰晶面择优取向，光电性能优异。