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公开(公告)号：CN102832349A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210296067.5
申请日：2010-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07D209/86 , C09K11/06
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3246 , H01L27/3281 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/5036 , H01L51/5056 , H01L2251/552
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用寿命提高了的发光元件。该发光元件包括形成在第一电极上的第一发光层、与第一发光层接触地形成在第一发光层上的第二发光层、形成在第二发光层上的第二电极，其中，第一发光层包括第一发光物质及空穴传输性的有机化合物，并且第二发光层包括第二发光物质及电子传输性的有机化合物。选择物质，以便第一和第二发光物质的最低空分子轨道能级与电子传输性的有机化合物的最低空分子轨道能级之差各自是0.2eV以下，并且，空穴传输性的有机化合物的最高占有分子轨道能级与第一和第二发光物质的最高占有分子轨道能级之差各自是0.2eV以下，并且空穴传输性的有机化合物的最低空分子轨道能级和第一发光物质的最低空分子轨道能级之差大于0.3eV。
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公开(公告)号：CN102646793A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210123886.X
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN101692482B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810190698.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5004 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5076 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的课题是提供使用寿命长的发光元件、以及使用寿命长的发光装置和电子设备。本发明的目的在于提供一种发光元件，其包括在第一电极和第二电极之间的发光层和控制层，其中控制层包含第一有机化合物和第二有机化合物，在控制层中第一有机化合物被包含得多于第二有机化合物，第二有机化合物具有捕获与第一有机化合物传输的载流子同极性的载流子的载流子陷阱性，控制层中的第二有机化合物的浓度及载流子陷阱性满足一定条件。
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公开(公告)号：CN102015643A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114233.1
申请日：2009-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0081 , H01L51/5012
Abstract: 本发明提供新的蒽衍生物。此外，本发明提供分别使用新的蒽衍生物的发光元件、发光器件和电子设备。提供通式(G11)和(G21)所示的蒽衍生物。通式(G11)和(G21)所示的蒽衍生物以高的色纯度发射蓝光，并具有载流子传输性能。因此，通式(G11)和(G21)所示的蒽衍生物均适用于发光元件、发光器件和电子设备。
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公开(公告)号：CN101723876A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910208039.1
申请日：2009-10-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: C07D209/86 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012
Abstract: 本发明涉及蒽衍生物及使用其的发光装置、电子设备和照明装置。本发明的目的在于提供一种新的蒽衍生物及新的有机化合物。此外，本发明的目的还在于提供一种可靠性高的发光元件。此外，本发明的目的还在于提供一种发光效率高的发光元件。此外，本发明的目的还在于提供一种能够获得颜色纯度好的蓝色发光的发光元件。此外，本发明的目的还在于提供一种降低了耗电量的发光装置以及电子设备。提供通式(G1)所表示的蒽衍生物及通式(G2)所表示的有机化合物。在通式(G1)中，Ar2、Ar3、Ar4分别独立地表示亚苯基或者联苯-4，4′-二基。在通式(G2)中，Ar3、Ar4分别独立地表示亚苯基或者联苯-4，4′-二基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1592519B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410068251.X
申请日：2004-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/0012 , H01L51/5206 , H01L51/5262 , H01L51/5293
Abstract: 本发明的目的是在不损伤有机化合物的情况下，提供能够实现低驱动电压化或高电流效率化的发光元件的制作方法以及使用该制作方法的发光元件。在本发明中，为了控制包含在有机层中的有机化合物的分子排列，对形成有有机层的电极表面执行研磨处理。通过对电极表面执行研磨处理，可以使来自有机化合物的发光的方向朝向电极，这样可以提高电流效率，并进一步提高取光的效率。特别是在本发明中，作为形成有机层的电极，使用包含晶质成分，且以氧化铟锡(ITO)为典型的金属氧化物等的导电膜。
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公开(公告)号：CN101399319A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810168105.2
申请日：2008-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种发光元件、发光装置、以及电子设备。其中具体公开了在一对电极之间具有EL层的发光元件中，EL层在用作阳极的电极和具有发光性的第四层(发光层)之间至少包括具有空穴注入性的第一层(空穴注入层)、具有空穴传输性的第二层(第一空穴传输层)、及具有空穴传输性的第三层(第二空穴传输层)，并且通过形成第二层的最高占据轨道能级(HOMO能级)的绝对值比第一层及第三层的最高占据轨道能级(HOMO能级)的绝对值大的结构，降低从用作阳极的电极一侧注入的空穴的移动速度，以提高发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN1925140A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128855.8
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的目的是高产率地制造半导体器件，在所述半导体器件内，在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括：在基底上形成分离层；通过在分离层上形成无机化合物层、第一导电层，和含有机化合物的层，并形成与含有机化合物的层和无机化合物层接触的第二导电层，从而产生形成元件的层；和在将第一柔性基底固定在第二导电层上之后，在分离层处将分离层与形成元件的层分离。
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公开(公告)号：CN119096716A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380036410.9
申请日：2023-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够得到高清晰、具有高可靠性且制造成本低的发光装置的发光器件。提供包括第一电极、第二电极以及位于其间的第一层及第二层的发光器件，所述第一层位于比所述第二层更靠近的第一电极一侧，所述第一电极及第一层为在各发光器件中独立的层，所述第二电极及第二层为多个发光器件共用的连续的层，所述第一层包括包含发光物质的发光层及第一电子传输层，所述第二层包括第二电子传输层，所述第一电子传输层位于所述发光层与所述第二电子传输层间，所述第一电子传输层包含具有电子传输性且玻璃转化温度为110℃以上的第一化合物，所述第二电子传输层包含具有电子传输性的第二化合物。
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公开(公告)号：CN118370022A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280077242.3
申请日：2022-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种使用难以形成氧加成物的主体材料并且发光效率高的荧光发光器件。或者，提供一种可靠性良好的电子器件或发光器件。提供一种在阳极和阴极之间至少包括发光层的发光器件，发光层包含作为呈现荧光发光的发光物质的第一有机化合物及具有荧蒽骨架的第二有机化合物，第一有机化合物的最大峰波长为λmax(nm)，在将第一有机化合物的发射光谱中的最大峰强度的1/e的强度所对应的波长设为λn(nm)，将λn(nm)中的比λmax更长波长一侧且最短的波长设为λ1(nm)，将λn(nm)中的比λmax更短波长一侧且最长的波长设为λ2(nm)的情况下，λ1与λ2之差为5nm以上且45nm以下。
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