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公开(公告)号：CN119947404A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411526726.9
申请日：2024-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/17 , H10K85/60 , H10K101/30
Abstract: 提供一种可靠性良好的发光器件。提供一种发光器件，其包括第一电极、第二电极及EL层。EL层位于第一电极与第二电极间。EL层包括发光层和电子注入层。电子注入层包含金属或金属的氧化物、第一有机化合物及第二有机化合物。第一有机化合物是包括具有供电子基团的第一缺π电子型杂芳环的有机化合物。第二有机化合物是包括具有第二缺π电子型杂芳环的有机化合物。第二有机化合物的LUMO能级比第一有机化合物的LUMO能级低0.20eV以上。
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公开(公告)号：CN119684284A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411312444.9
申请日：2024-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D471/04 , H10K50/17 , H10K85/60
Abstract: 提供一种具有电子传输性对水的溶解性低的有机化合物。提供一种发光器件、发光装置及电子设备。提供一种由下述通式(G1‑1)表示的有机化合物。R2至R9中的至少任一个是由通式(R‑1)或(R‑2)表示的基，其他分别独立地表示氢(包括氘)、碳原子数为1至10的烷基、碳原子数为3至10的环烷基、碳原子数为1至10的烷氧基、取代或未取代的碳原子数为2至10的环状仲氨基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基、或者取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基，α1表示取代或未取代的碳原子数为6至30的亚芳基，n表示1或2，R11至R26分别独立地表示氢(包括氘)或碳原子数为1至10的烷基，p及q分别独立地表示0或1。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119053169A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410603096.4
申请日：2024-05-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/12 , H10K59/12 , H10K85/60 , H10K101/30
Abstract: 提供一种特性良好的发光器件、发光装置以及电子设备。本发明是一种形成在同一绝缘表面上的多个发光器件之一的发光器件，该发光器件包括第一电极、第二电极以及第一电极与第二电极之间的有机化合物层，在多个发光器件之间第一电极分开，第二电极由多个发光器件共同使用，有机化合物层包括第一发光层、第二发光层以及第一发光层与第二发光层之间的中间层，在多个发光器件的每一个中第一发光层、中间层及第二发光层的轮廓对齐或大致对齐，中间层包括第一层，第一层是包含金属、第一有机化合物及第二有机化合物的混合层，第一有机化合物包括具有供电子基团的菲咯啉环，第二有机化合物包括缺π电子型杂芳环。
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公开(公告)号：CN119604125A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411209721.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可用于高清晰的显示装置且具有低驱动电压及良好的电流效率的发光器件。提供一种通过光刻工序制造的包括多个发光单元及位于发光单元之间的中间层的串联型发光器件，其中，中间层包括金属或金属氧化物、包含具有供电子基团的第一缺π电子型杂芳环的第一有机化合物及具有第二缺π电子型杂芳环的第二有机化合物的第一区域，第二有机化合物的LUMO能级比所述第一有机化合物的LUMO能级小0.30eV以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119233668A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410847030.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可用于高清晰显示装置的驱动电压低、电流效率良好的发光器件。提供一种串联型发光器件，该发光器件利用光刻工序制造并包括多个发光单元和位于发光单元间的中间层，中间层是包括金属氧化物及包含具有供电子基团的菲咯啉环的有机化合物的层，中间层与阳极侧的发光单元接触。
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公开(公告)号：CN118742077A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410333329.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可以适用于高清晰显示装置的串联型发光器件。本发明的一个方式是一种发光器件，该发光器件包括第一电极、与第一电极对置的第二电极以及第一电极和第二电极之间的第一发光层及第二发光层，在第一发光层和第二发光层之间包括第一层，第一层的GSP_slope(mV/nm)为正负号与第一发光层的GSP_slope(mV/nm)相反的值。(注意，GSP_slope(mV/nm)是在膜的表面电位为V(mV)且厚度为d(nm)时由V/d表示的参数)。
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公开(公告)号：CN119096716A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380036410.9
申请日：2023-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够得到高清晰、具有高可靠性且制造成本低的发光装置的发光器件。提供包括第一电极、第二电极以及位于其间的第一层及第二层的发光器件，所述第一层位于比所述第二层更靠近的第一电极一侧，所述第一电极及第一层为在各发光器件中独立的层，所述第二电极及第二层为多个发光器件共用的连续的层，所述第一层包括包含发光物质的发光层及第一电子传输层，所述第二层包括第二电子传输层，所述第一电子传输层位于所述发光层与所述第二电子传输层间，所述第一电子传输层包含具有电子传输性且玻璃转化温度为110℃以上的第一化合物，所述第二电子传输层包含具有电子传输性的第二化合物。
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公开(公告)号：CN119836131A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411400522.0
申请日：2024-10-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种特性良好的发光器件。在包括形成于同一绝缘表面上的多个有机化合物层的发光器件中，有机化合物层包括第一发光层、第二发光层以及中间层，中间层包括第一层，第一层包含金属或金属化合物、第一有机化合物及第二有机化合物，第一有机化合物包括缺π电子型杂芳环，第二有机化合物包括两个以上的杂芳环，该两个以上的杂芳环彼此键合或稠合而总共包括三个以上的杂原子，第二有机化合物具有作为多齿配体由三个以上的杂原子中的两个以上与金属或金属化合物相互作用的功能。
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公开(公告)号：CN118891970A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380027960.4
申请日：2023-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/19 , H10K71/20 , H10K71/40 , H10K101/20
Abstract: 提供一种高清晰且高效率的显示装置。提供一种发光器件的制造方法，包括如下步骤：形成第一电极，在第一电极上形成包括在第一发光层与第二发光层之间的包含碱金属或碱金属化合物的中间层的有机化合物层，通过光刻法加工有机化合物层，进行加热处理，以覆盖第一电极及有机化合物层的方式形成第二电极。
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