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公开(公告)号：CN114937636A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210346826.8
申请日：2022-03-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种三维互补场效应晶体管及其制备方法。本发明将两种不同极性的场效应晶体管进行三维堆叠，通过同一个共栅极同时控制两个晶体管的导通状态，经互连金属连接两个晶体管的漏电极端，构建成三维互补场效应晶体管；制备步骤包括：在SOI顶层硅上形成有源区硅；在有源区硅上形成源漏接触金属；沉积一下介质层；形成共栅极；沉积一上介质层；在上介质层上形成二维半导体材料；在二维半导体材料上形成源漏接触金属；进行互连通孔的光刻、刻蚀和金属淀积，形成互连金属。本发明提供的三维互补场效应晶体管，能够提高集成电路单位集成密度，在工艺上易于实现，在逻辑电路、光电集成系统中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108364863B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810010472.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属‑二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属‑二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属‑二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN112466930A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011282535.4
申请日：2020-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/44 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN109188858B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201811047914.8
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，具体为一种高精密硅基通孔掩膜版分体图形结构。本发明的通孔掩膜版分体图形结构，以双面抛光的硅片为基底，包括正面图形和反面图形；正面图形包括从整体图形中分离的带有对准标记的高精度图形和带有对准标记的低精度图形，或者为分别带有对准标记多组不同精度的图形；反面图形，为涵括正面所有图形的方形，用于整体厚度减薄；通孔掩膜板在加工过程中，高精度图形和低精度图形先后使用，通过两者相同的对准标记进行位置对准，来完成整体图形的加工。本发明设计的高精度硅基掩膜版设计图形结构，具有机械强度高、重复使用性高、成本低、图形设计自由灵活等优势，能满足各领域对高精度通孔掩膜版的需求。
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公开(公告)号：CN110993562A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911084206.6
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准，在半导体薄膜上制备器件。本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817756A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910041813.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电存储器技术领域，具体为一种基于二维异质结光波长诱导的非易失光电存储器及其制备方法。本发明利用二维材料中的缺陷能级对不同波长的光产生不同的光学响应，在电场的驱动下实现不同的电荷存储状态，通过沟道二维材料双极性的变化以及光吸收层中电荷数目的阶梯性改变，实现器件的非易失性多值存储。本发明制备方法包括，在衬底上利用机械剥离或者化学气相沉积获得作为光吸收层的二维材料，然后利用干法转移技术将具有双极性的二维材料堆叠至光吸收层之上，作为器件的沟道。本发明制备的具有多值存储能力的新型非易失光电存储器，在未来的数据光电存储领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109801921A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910041497.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为基于双极性二维材料来构筑双栅结构非易失性电荷陷阱存储器。本发明利用双极性二维材料作为沟道材料，应用双栅结构调控沟道载流子的极性，来实现动态可配置的多级单元存储器。本发明制备过程，包括先在衬底上利用物理机械剥离或者化学气相沉积获得作为沟道的双极性二维材料，然后利用原子层沉积生长顶栅介电层作为电荷捕获层和电荷阻挡层，以及采用光刻工艺形成特定的金属电极。本发明通过双栅电压调控实现了动态可配置的多级单元存储，不再受限于传统电荷陷阱存储器固定的器件特性工作模式，在未来的数据存储和神经形态计算的新型领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107665809A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710799122.5
申请日：2017-09-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，具体为一种可控层数的大面积二维过渡族金属化合物薄膜及其制备方法。本发明的过渡族金属化合物薄膜的基本化合化学式为MX2，其中M为V族元素，X为硫族元素。本发明制备方法，包括先在衬底上淀积一层前驱体，然后化学气相淀积反应形成过渡族金属化合物，其中包括使用物理气相沉积、电子束蒸发淀积一层金属M，或者原子层沉积、分子束外延淀积一层金属M的氧化物或者氮化物等。本发明可以制备大面积并可控层数的二维薄膜，突破了目前二维过渡族金属化合物薄膜无法大面积制备的局面，可望在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN103915328B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410078090.6
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱会吸附水分子,这样就提供了原子层沉积所需的足够成核位点,通过原子层沉积可以在石墨烯上形成均匀连续的高K介质薄膜。这种方法不破坏石墨烯的晶格结构，并且简单方便，与传统加工工艺兼容，易于大面积生产。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103500761B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310454949.4
申请日：2013-09-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于石墨烯纳米器件技术领域，具体为一种沟道宽度可控的石墨烯纳米带Fin-FET器件及其制备方法，适合于石墨烯纳米带Fin-FET器件的大面积制备。具体制备步骤为：先利用常规电子束光刻方法在石墨烯上制备套准标记以及Fin-FET器件的源/漏电极，再利用电子束套准在石墨烯样品上依次制备出石墨烯岛以及百纳米级的光刻胶线条图形，通过原子层淀积侧墙，实现对侧墙宽度的精确控制，再通过侧墙转移技术，以侧墙为掩膜版进行刻蚀，从而实现对石墨烯纳米带沟道宽度的精确控制。通过调节原子层淀积的周期数，能够实现大面积制备沟道宽度小于10nm的石墨烯纳米带Fin-FET器件阵列。
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