公开(公告)号：CN110993562B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201911084206.6

申请日：2019-11-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  郭晓娇 ,  张海马 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准，在半导体薄膜上制备器件。本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。

公开(公告)号：CN110993562A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911084206.6

申请日：2019-11-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  郭晓娇 ,  张海马 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准，在半导体薄膜上制备器件。本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。