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公开(公告)号：CN115034377B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210559184.X
申请日：2022-05-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，具体为一种光子神经元器件单元及光子神经计算器件。本发明的光子神经元器件单元是由波导、神经元材料上、下组合形成的片上光子器件结构；光子神经元材料具有双向转变特性，在操作前为非晶态或晶态，当施加的光强超过阈值时，部分或全部材料会转变为熔融的液态，产生光吸收率/透过率变化，实现神经元功能；光子神经计算器件的结构包括：光子神经突触单元和光子神经元器件单元；光子神经突触单元对光信号进行调制，通过波导复用后传递到光子神经元器件单元；光子神经元器件单元通过波导直接与下一个神经突触单元相连接；以此类推，构建大规律神经计算网络。本发明可以以满足高速、低能耗的光子神经计算应用需求。
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公开(公告)号：CN117382321A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311169355.9
申请日：2023-09-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明实施例提供一种涉及二维原子晶体材料转移技术领域，具体涉及一种用于制备晶圆级二维材料阵列的方法，包括：按预设比例配制混合溶液；制备上表面具有多个PDMS凸起的PDMS印章，使多个PDMS凸起以预设图案样式规则排布；在生长衬底上生长连续的单层二维TMDs薄膜；使PDMS印章的PDMS凸起与单层二维TMDs薄膜粘贴；通过混合溶液使单层二维TMDs薄膜与生长衬底分离；将与PDMS凸起上表面接触部分之外的单层二维TMDs薄膜剥离，得到图案化单层二维TMDs薄膜；将图案化单层二维TMDs薄膜转移到目标衬底上。通过该方法转印晶圆尺寸的图案化单层二维材料解决了现有技术无法低成本、高效、简单的转印大尺寸的单层二维TMDs薄膜，无法满足大规模晶粒集成的问题。
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公开(公告)号：CN110993562B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201911084206.6
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准，在半导体薄膜上制备器件。本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。
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公开(公告)号：CN116634764A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310564446.6
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法。本发明存储器件由基于硅衬底的读晶体管与二维材料写晶体管在垂直方向上堆叠而成；其中，通过绝缘层与写晶体管的栅氧化层刻蚀形成上下晶体管互连通道，使写晶体管源/漏极金属与读晶体管栅极金属相连；下方的读晶体管具有与MOSFET的对称物理结构，在栅极以及侧墙的掩蔽作用下，通过与MOSFET的自对准离子注入工艺在沟道上形成掺杂和阴极/阳极掺杂区域。本发明器件具有优异的电学性能，结构紧凑，工艺与传统CMOS兼容，且解决了传统硅基器件漏电过高的问题，可应用于4F2高性能高带宽的3D存储应用领域。
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公开(公告)号：CN110993528B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201911084203.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于湿法刻蚀技术领域，具体为一种湿法刻蚀单面基板的装置。本发明装置主要包括导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器；其中导热底座是槽壁顶端带关卡的导热浅槽底座及防刻蚀液渗漏的垫子等组成；溶液刻蚀杯是略比底座小的通孔刻蚀容器；防液体蒸发盖为带圆孔的容器盖。本发明设计的湿法刻蚀平板的装置，具有装置结构简单、重复使用性较高、成本低、可实现平板的大面积刻蚀等优势，能满足各领域对大面积单面平板材料的刻蚀的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115863441A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211659843.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于二维材料的边缘接触晶体管及其制备方法。本发明晶体管，沟道层为二维材料，其边缘与源/漏电极接触；沟道层为一层，或者为多层，构成叠层纳米片晶体管；源极之间的连接、漏极之间的连接为刻蚀通孔后沉积连接金属；环栅连接为刻蚀通孔后钝化二维材料边缘再沉积连接金属，或使用高肖特基接触势垒金属进行连接。沟层为多层的晶体管，同层源/漏/顶栅电极由一步或分步掩模工艺制备。本发明提出的边缘接触工艺与3 nm以下先进制程兼容；结合二维材料有效抑制短沟道效应和叠层纳米片晶体管大电流，提出二维材料新型晶体管结构及其制备方法，拓展其在集成电路先进制程中的应用前景。
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公开(公告)号：CN113736207A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110943447.2
申请日：2021-08-17
Abstract: 本发明涉及一种多组份表面化有机‑无机复合纳米粒子及制备方法和应用，制备过程中，利用活性聚合方法制备系列不同组成和不同分子量的含聚(甲基)丙烯酸叔丁酯的嵌段聚合物；利用三氟乙酸同时对两种及以上嵌段聚合物上的叔丁基基团进行选择性水解，通过水解诱导自组装过程制备得到纳米自组装粒子；利用所得纳米自组装粒子核内的羧基基团与金属离子进行络合，通过还原剂的还原反应原位生成有机‑无机复合纳米粒子。与现有技术相比，本发明制备得到的新型多组份表面化有机‑无机复合纳米粒子的壳层含两种及以上聚合物成份、核内含金属纳米粒子，本方法同时具有表面功能化可调、组装体形貌可控、操作简便、通用性强、固含量高等优点。
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公开(公告)号：CN109524039B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811391853.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法，能够在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的结构，包含交叉阵列单元、阻态扩展功能线群、输入线群、输出线群、单元连接线群；其中，阻态扩展功能线群通过多条末端为第一选通器的阻态扩展功能线，连接起交叉阵列单元中每两条相邻的横线或纵线，各个第一选通器根据控制端信号使所在阻态扩展功能线的信号路连通或断开，使接受输入信号的横线或纵线上所接的忆阻器并联，实现阻态扩展。本发明还实现了在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的方法，以及对交叉阵列中忆阻器阻值写入的方法。本发明具有掉电不易失、适应神经网络大量加权求和中对多阻态的需求的特点。
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公开(公告)号：CN107665894B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710815408.8
申请日：2017-09-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11521
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明利用二维材料能带工程，实现了准‑非挥发存储特性，在写入速度纳秒级的情况下，数据保持能力达到几十秒，这一特性对于大幅降低随机存储器的功耗有重大帮助。本发明的二维半浮栅存储器的制备方法，包括能带设计、材料堆叠设计和电极版图设计。该存储器在保持纳秒级写入特性的前提下，大幅提升数据保持能力至几十秒；数据保持能力的提高可以极大的降低高速存储技术由于频繁刷新导致的功耗问题。
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公开(公告)号：CN109524039A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811391853.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法，能够在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的结构，包含交叉阵列单元、阻态扩展功能线群、输入线群、输出线群、单元连接线群；其中，阻态扩展功能线群通过多条末端为第一选通器的阻态扩展功能线，连接起交叉阵列单元中每两条相邻的横线或纵线，各个第一选通器根据控制端信号使所在阻态扩展功能线的信号路连通或断开，使接受输入信号的横线或纵线上所接的忆阻器并联，实现阻态扩展。本发明还实现了在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的方法，以及对交叉阵列中忆阻器阻值写入的方法。本发明具有掉电不易失、适应神经网络大量加权求和中对多阻态的需求的特点。
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