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公开(公告)号：CN103915328B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410078090.6
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱会吸附水分子,这样就提供了原子层沉积所需的足够成核位点,通过原子层沉积可以在石墨烯上形成均匀连续的高K介质薄膜。这种方法不破坏石墨烯的晶格结构，并且简单方便，与传统加工工艺兼容，易于大面积生产。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103915327B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410078022.X
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉积方法在石墨烯上淀积高K介质。由于存在很多的岛状石墨烯片，能提供足够的成核位点，可以形成连续的高K介质薄膜。该方法简单方便可靠，对石墨烯造成影响小，可以作为在石墨烯上形成高K介质一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103928305A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410157129.3
申请日：2014-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/205 , C01B31/04
CPC classification number: H01L21/02414 , C01B32/186 , H01L21/02491 , H01L21/02527 , H01L21/0262
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种通过控制衬底上的石墨烯成核位点生长石墨烯的方法。本发明是在一块铜或二氧化硅衬底上，通过控制衬底上石墨烯成核位点来生长各种形状的连续的石墨烯，其中利用一块设计好形状的掩模板，用物理气相沉积的方法在衬底上淀积上很小点状的铜作为石墨烯成核位点，通过控制成核位点让石墨烯生长成特定形状的连续的石墨烯。该方法简单方便可靠，可以作为低压化学气相沉积生长石墨烯的一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103915327A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410078022.X
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L21/02304
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉积方法在石墨烯上淀积高K介质。由于存在很多的岛状石墨烯片，能提供足够的成核位点，可以形成连续的高K介质薄膜。该方法简单方便可靠，对石墨烯造成影响小，可以作为在石墨烯上形成高K介质一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103915319A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410157128.9
申请日：2014-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/02527 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/0405
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种转移CVD石墨烯制备石墨烯器件的方法。在一块衬底上（如二氧化硅衬底），利用一块设计好形状的掩模板，采用物理气相沉积的方法在衬底上淀积一层薄铜，之后再在衬底上淀积制备器件所需的金属电极金；利用低压化学气相沉积的方法在电极之间生长石墨烯，不需旋涂PMMA，直接刻蚀铜，去除完铜后进行清洗，即可制备得石墨烯器件。本发明方法简单方便可靠，不需旋涂PMMA，减少对石墨烯的玷污和损伤，改善石墨烯器件电极接触电阻。该方法是转移的CVD石墨烯制备石墨烯器件的一种基本方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915348A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410157130.6
申请日：2014-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/66439 , B82Y10/00
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种制备石墨烯纳米线器件的方法。本发明在一块二氧化硅衬底上刻蚀出一条细长的纳米槽，通过掩模板在槽内淀积许多不连续铜小块，这些铜作为石墨烯成核位点；利用低压化学气相沉积在槽内生长一层石墨烯纳米线；利用原子层沉积在槽内生长高K介质，覆盖在石墨烯纳米线上，形成器件的高K栅介质；接着制作器件的源极、漏极和栅极的电极，形成石墨烯纳米线器件。该方法简单方便可靠，可以制备超长纳米线，石墨烯纳米线禁带宽度大，可利用原子层沉积在石墨烯上形成高K栅介质。该方法可以作为制备石墨烯纳米线器件的一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103903973A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410078021.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高K介质。通过高温真空旋涂液态金属铝的方法在石墨烯上形成铝种子层是一种新颖的方法，这种方法对石墨烯造成损伤最小，不破坏石墨烯的晶格结构。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103903973B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410078021.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高K介质。通过高温真空旋涂液态金属铝的方法在石墨烯上形成铝种子层是一种新颖的方法，这种方法对石墨烯造成损伤最小，不破坏石墨烯的晶格结构。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN104157561A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410389035.9
申请日：2014-08-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用二维金属层厚度来降低石墨烯电极接触电阻的方法。通过物理气相沉积（PVD）的方法在石墨烯器件上淀积金属电极。制作一种石墨烯/二维金属层/金的结构。通过调节二维金属层的厚度来调节石墨烯与二维金属层的接触，调节接触势垒，使接触势垒最低，通过这种方法来降低石墨烯接触电阻。通过这种方法可以有效地来降低石墨烯接触电阻，从而制备性能优良的石墨烯器件，而且这方法简单方便。该方法可以作为制备二维材料器件的一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103915328A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410078090.6
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/28229 , C23C16/45525
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱会吸附水分子,这样就提供了原子层沉积所需的足够成核位点,通过原子层沉积可以在石墨烯上形成均匀连续的高K介质薄膜。这种方法不破坏石墨烯的晶格结构，并且简单方便，与传统加工工艺兼容，易于大面积生产。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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