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公开(公告)号：CN103903973B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410078021.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高K介质。通过高温真空旋涂液态金属铝的方法在石墨烯上形成铝种子层是一种新颖的方法，这种方法对石墨烯造成损伤最小，不破坏石墨烯的晶格结构。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN102709177B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210195407.5
申请日：2012-06-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上高k介质原子层沉积方法。本发明方法在石墨烯表面覆盖罗丹明缓冲层，通过原子层沉积实现高k介质在石墨烯表面的均匀淀积。利用罗丹明缓冲层是一种新颖的在石墨烯表面生长高k介质的方法，它可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中。另外，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103915348B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410157130.6
申请日：2014-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种制备石墨烯纳米线器件的方法。本发明在一块二氧化硅衬底上刻蚀出一条细长的纳米槽，通过掩模板在槽内淀积许多不连续铜小块，这些铜作为石墨烯成核位点；利用低压化学气相沉积在槽内生长一层石墨烯纳米线；利用原子层沉积在槽内生长高K介质，覆盖在石墨烯纳米线上，形成器件的高K栅介质；接着制作器件的源极、漏极和栅极的电极，形成石墨烯纳米线器件。该方法简单方便可靠，可以制备超长纳米线，石墨烯纳米线禁带宽度大，可利用原子层沉积在石墨烯上形成高K栅介质。该方法可以作为制备石墨烯纳米线器件的一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103928340A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410157127.4
申请日：2014-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/283 , H01L21/28079
Abstract: 本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体为一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法。本发明在高掺硅上有一层二氧化硅薄层作为衬底，利用掩模板，采用物理气相沉积的方法在衬底上淀积薄钼，然后在钼的两边淀积一些不联系的铜斑点。利用钼薄膜，在衬底上生长二硫化钼；利用两边的铜，生长石墨烯。生长的石墨烯与二硫化钼相连，作为电极；在二硫化钼上生长氮化硼作为保护层，最后形成二维的二硫化钼背栅器件。本发明方法可以直接生长出二维的二硫化钼背栅器件，不需要经过光刻等工艺步骤，方法简单方便，制备的器件性能良好。可以作为制备二维材料器件的基本方法。
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公开(公告)号：CN103915348A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410157130.6
申请日：2014-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/66439 , B82Y10/00
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种制备石墨烯纳米线器件的方法。本发明在一块二氧化硅衬底上刻蚀出一条细长的纳米槽，通过掩模板在槽内淀积许多不连续铜小块，这些铜作为石墨烯成核位点；利用低压化学气相沉积在槽内生长一层石墨烯纳米线；利用原子层沉积在槽内生长高K介质，覆盖在石墨烯纳米线上，形成器件的高K栅介质；接着制作器件的源极、漏极和栅极的电极，形成石墨烯纳米线器件。该方法简单方便可靠，可以制备超长纳米线，石墨烯纳米线禁带宽度大，可利用原子层沉积在石墨烯上形成高K栅介质。该方法可以作为制备石墨烯纳米线器件的一种基本方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103903973A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410078021.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高K介质。通过高温真空旋涂液态金属铝的方法在石墨烯上形成铝种子层是一种新颖的方法，这种方法对石墨烯造成损伤最小，不破坏石墨烯的晶格结构。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103915328A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410078090.6
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/28229 , C23C16/45525
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱会吸附水分子,这样就提供了原子层沉积所需的足够成核位点,通过原子层沉积可以在石墨烯上形成均匀连续的高K介质薄膜。这种方法不破坏石墨烯的晶格结构，并且简单方便，与传统加工工艺兼容，易于大面积生产。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN102709169A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210195515.2
申请日：2012-06-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用锌种子层在石墨烯上形成高k介质的原子层沉积方法。本发明采用电子束蒸发的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的锌种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高k介质。利用锌种子层在石墨烯上生长高k介质是一种新颖的的方法，它可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103915328B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410078090.6
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用石墨烯带电在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用使石墨烯上带有电荷,把石墨烯放在一个电场下,通过感应带电使石墨烯上感应上电荷,通过电荷在石墨烯上引入极化陷阱,极化陷阱会吸附水分子,这样就提供了原子层沉积所需的足够成核位点,通过原子层沉积可以在石墨烯上形成均匀连续的高K介质薄膜。这种方法不破坏石墨烯的晶格结构，并且简单方便，与传统加工工艺兼容，易于大面积生产。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103915327B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410078022.X
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉积方法在石墨烯上淀积高K介质。由于存在很多的岛状石墨烯片，能提供足够的成核位点，可以形成连续的高K介质薄膜。该方法简单方便可靠，对石墨烯造成影响小，可以作为在石墨烯上形成高K介质一种基本方法。
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