公开(公告)号：CN108364863A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810010472.3

申请日：2018-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  宋雄飞 ,  昝武 ,  许浒 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属-二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属-二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属-二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属-二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。

公开(公告)号：CN108364863B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201810010472.3

申请日：2018-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  宋雄飞 ,  昝武 ,  许浒 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属‑二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属‑二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属‑二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。