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公开(公告)号：CN101417880A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810137597.9
申请日：2008-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58
Abstract: 低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种硼化物基陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料烧结温度及压力过高、烧结致密度低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料由硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂制成；添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末。本发明的方法如下：一、将硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂混合；二、再放入无水乙醇中进行超声波清洗分散，球磨混合，烘干；三、热压烧结后冷却即可。本发明在1800～1850℃、30MPa下烧结所获得低温烧结硼化物基陶瓷材料的组织均匀、致密，且晶粒度细小，同时力学性能优良，相对密度为96％以上，强度和韧性分别高达786MPa和7.12MPam1/2。本发明方法的工艺简单实用，成本低廉、易于推广。
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公开(公告)号：CN100480419C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710072596.6
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种磁控溅射半球面薄膜的制备方法，它涉及半球面薄膜的制备方法。它解决了现有镀半球面薄膜的装置中磁控靶固定不动，加热台旋转的同时进行摆动，需要专用夹具装夹待镀工件的问题。本发明的方法为：一、选用靶材，并将衬底材料置于旋转加热台上，整个装置位于真空仓内；二、密封真空仓，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三、启动加热灯组，加热并保温；四、向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，预溅射，控制气体流量，在衬底上加负偏压；五、采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来镀膜；六、待真空仓内温度降至室温时即制得半球形薄膜。本发明的待镀工件装夹方便，使镀膜过程稳定，所制备的半球形薄膜均匀，靶材的利用率高。
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公开(公告)号：CN101391895A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810064759.0
申请日：2008-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 梯度防/隔热陶瓷基复合材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷基复合材料及其制备方法。本发明解决了现有硼化物陶瓷基均质复合材料热导率单一的问题，提供了一种梯度防/隔热陶瓷基复合材料及其制备方法。本发明材料由防热层、第一中间过渡层、第二中间过渡层、第三中间过渡层和隔热层组成。本发明材料的制备方法如下：将经过超声清洗、球磨、烘干的用于制备各层的原材料粉体按顺序平铺在石墨模具中，然后在惰性气氛的条件下，将混合物升温后保温5min即得。本发明制备工艺简单、成本低，本发明防热端的室温热导率为89.77W/m·℃；1800℃时的热导率为61.86W/m·℃；而隔热端的室温热导率最低能达到8.58W/m·℃；1800℃时的热导率最低能达到18.27W/m·℃。
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公开(公告)号：CN101315435A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710072299.1
申请日：2007-06-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可见光波段内碳化硅反射镜的高反膜及其制备方法，目前，在大型太空望远镜、大型地面望远镜、预警卫星、探测卫星、侦察卫星、气象卫星、高能激光及激光雷达等设备为了满足其设计要求，反射镜表面在特定波长范围内的反射率是一个关键的指标。采用反应烧结法制备出形状复杂的反射镜体，对反射镜进行基本机械加工和表面处理，然后按以下步骤：a.对反射镜的表面进行清理；b.用磁控溅射设备进行镀膜处理；c.对反射膜层精加工。本发明应用于可见光波段的碳化硅反射镜反射率大于97％反射膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN100433371C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710071698.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的a-Si:H太阳电池及制备方法，它涉及一种非晶硅太阳电池及其制备方法。它解决了现有p型非晶硅层太阳电池转化效率较低的问题。它的康宁玻璃的上端面与SnO2:F导电薄膜的下端面固定连接，SnO2:F导电薄膜的上端面与p-ta-C:B薄膜的下端面固定连接，p-ta-C:B薄膜的上端面与过渡p-a-Si:H(C)薄膜的下端面固定连接，过渡p-a-Si:H(C)薄膜的上端面与i-a-Si:H薄膜的下端面固定连接，i-a-Si:H薄膜的上端面与n-a-Si:H薄膜的下端面固定连接。本发明的方法按下列步骤进行：a.沉积SnO2:F导电膜，b.激光刻划，c.沉积p-ta-C:B薄膜，d.沉积过渡p-a-Si:H(C)薄膜、i-a-Si:H薄膜和n-a-Si:H薄膜，e.第一次硅刻划，f.蒸铝，g.第二次硅刻划。本发明具有提高电池的转化效率的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101298386A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810064612.1
申请日：2008-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化锆多孔陶瓷的制备方法，它涉及一种多孔陶瓷的制备方法。它解决了现有氧化锆多孔陶瓷的制备工艺难以控制、所得材料孔的分布不规则、均匀性较差的问题。方法：一、将ZrO2、C10H16和聚苯乙烯湿混，得浆料；二、浆料进行预冷，然后冷冻；三、冷冻后的浆料脱模后干燥，然后进行保温烧结，再冷却到室温，即得氧化锆多孔陶瓷。本发明制备工艺易于控制，且所得材料孔的分布规则、均匀性较好。
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公开(公告)号：CN100404270C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510010047.7
申请日：2005-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B41J2/335
Abstract: 热敏打印头的非晶金刚石耐磨保护层及其制备方法，它涉及热敏打印机中使用的热敏打印头的耐磨保护层及其制备方法，它是为了解决现有热敏打印头耐磨保护层因膜质疏松硬度较低而导致耐磨性差、使用寿命短及现有的耐磨保护层的制备方法使耐磨保护层应力高、结合性差的问题。本发明利用过滤阴极真空电弧系统在热敏打印头的表面沉积有非晶金刚石薄膜，所述非晶金刚石薄膜的厚度为0.3～2μm；本发明的制备步骤包括：一、清洗；二、划线；三、刻蚀；四、沉积；五、后处理。本发明的非晶金刚石耐磨保护层具有表面光滑，摩擦系数低以及导热性好的优点，其制备方法采用能量下降梯度法沉积，使耐磨保护层应力低、结合性强，延长了热敏打印头的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101096272A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710072312.3
申请日：2007-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 氮化硅基复合材料燃烧合成方法，它涉及一种材料的合成方法。本发明解决了目前高性能氮化硅陶瓷的制造方法成本高、生产周期长等问题；克服了现有燃烧合成工艺制备存在获得的产物易出现未完全转化、产物开裂或致密度较低等缺陷，拓宽了工艺范围，提高了工艺稳定性。本发明的方法步骤如下：一.称取原料；二.干燥，球磨混合，然后成型；三.将毛坯放入通有循环水的密闭压力容器中，充入10～500MPa的高压氮气，点火，原料自蔓延燃烧；即得到氮化硅基复合材料。本发明具有生产效率高、耗能少、成本低等突出优点，产品具有较低的摩擦系数、高致密度、优良的耐高温性能、优良的电加工性能，适合开发大尺寸、复杂形状陶瓷零件，应用范围广。
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公开(公告)号：CN100348968C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200610009791.X
申请日：2006-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供的是一种材料烧蚀过程发射光谱检测方法及检测装置。高温等离子体射流通过长焦透镜聚焦，经过光阑滤除杂散光，衰减片进行光强降低，滤光片进行紫外二级谱消除后，成像于石英光纤的端面；信号通过光纤输入光谱仪，由光谱仪进行分光和聚焦后成像于CCD相机的像素面阵表面。光谱仪和CCD相机通过RS232及IEEE488总线与计算机进行数据通讯，由专用软件进行控制和数据的采集与分析。本发明能够实现交流等离子体射流的诊断和防热材料超高温烧蚀过程的在线检测。
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公开(公告)号：CN100348951C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200610009792.4
申请日：2006-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供的是一种可应用于恶劣环境下的高性能光电位置控制装置。它包括激光发射器、光电管、可调电阻、石墨片、可调支架和模拟电子开关，光电管安装在可调支架上，激光发射器位于光电管前方，石墨片为圆心带有小孔的圆片型结构、它固定在激光发射器和光电管构成的光路中靠近光电管的一侧，光电管接收激光发射器光源光信号并将其转化为模拟电压信号通过导线与可调电阻相连，可调电阻通过导线与模拟电子开关相连。本发明能够在高温、强磁和强弧光干扰的实验环境中正常工作。经实验表明，在外界存在由10000VAC引发磁场干扰和等离子电弧引发的强弧光环境中，本发明能够正常工作且其位置判别灵敏度在0.1mm左右。
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