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公开(公告)号：CN101100740A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710072596.6
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种磁控溅射半球面薄膜的制备方法，它涉及半球面薄膜的制备方法。它解决了现有镀半球面薄膜的装置中磁控靶固定不动，加热台旋转的同时进行摆动，需要专用夹具装夹待镀工件的问题。本发明的方法为：一，选用靶材，并将衬底材料置于旋转加热台上，整个装置位于真空仓内；二，密封真空仓，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三，启动加热灯组，加热并保温；四，向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，预溅射，控制气体流量，在衬底上加负偏压；五，采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来镀膜；六，待真空仓内温度降至室温时即制得半球形薄膜。本发明的待镀工件装夹方便，使镀膜过程稳定，所制备的半球形薄膜均匀，靶材的利用率高。
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公开(公告)号：CN102492922B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110443573.8
申请日：2011-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，它涉及一种石墨烯的制备方法。本发明要解决现在制备石墨烯的方法存在成本高的问题。方法：一、清洗单晶硅片衬底；二、对清洗后单晶硅片衬底进行真空保温处理；三、首先进行启辉，然后进行溅射，即得到GeC原料；四：将GeC原料进行高温灼烧，即得到石墨烯。优点：一、降低了灼烧温度低，达到减低能耗、减成本的目的；二、厚度均匀一致；三、易于转移。本发明主要用于制备石墨烯。本发明主要用于制备石墨烯。
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公开(公告)号：CN102280514B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110231460.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备方法，涉及一种太阳能电池及其制备方法。本发明要解决现有以非晶硅材料为本征层存在带隙较宽、吸收系数偏小的问题。太阳能电池包括透明衬底(1)、透明导电薄膜(2)、P型窗口层(3)、本征层(4)和N型层(5)。方法：将透明衬底(1)上镀上透明导电薄膜(2)；在透明导电薄膜(2)上镀上P型窗口层(3)；清洗、加热、保温，通入氩气，反溅清洗；制备本征层(4)；制备N型层(5)，即完成本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备。本发明太阳能电池结构新颖，制备工艺简单、易操作；本征层为碳锗薄膜，具有窄带隙，光学吸收较大的优点，可提高太阳能电池的光电转化效率。用于太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN100480419C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710072596.6
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种磁控溅射半球面薄膜的制备方法，它涉及半球面薄膜的制备方法。它解决了现有镀半球面薄膜的装置中磁控靶固定不动，加热台旋转的同时进行摆动，需要专用夹具装夹待镀工件的问题。本发明的方法为：一、选用靶材，并将衬底材料置于旋转加热台上，整个装置位于真空仓内；二、密封真空仓，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三、启动加热灯组，加热并保温；四、向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，预溅射，控制气体流量，在衬底上加负偏压；五、采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来镀膜；六、待真空仓内温度降至室温时即制得半球形薄膜。本发明的待镀工件装夹方便，使镀膜过程稳定，所制备的半球形薄膜均匀，靶材的利用率高。
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公开(公告)号：CN101532123A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910071762.X
申请日：2009-04-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 磁控共溅射制备无氢非晶碳化锗薄膜的方法，它涉及制备无氢非晶碳化锗薄膜方法。本发明现有方法得到的氢化碳化锗薄膜热稳定性差、高温红外性能下降的问题。本方法如下：将经过丙酮、质量浓度为99.5％的乙醇溶液和去离子水清洗的硫化锌加热后保温，然后通入氩气进行反溅清洗，再施加溅射功率启辉，预溅射3～5分钟至压强降至0.1帕～2帕，然后在脉冲负偏压为0～－200伏、占空比为10％～90％的条件下，对经过步骤二处理的硫化锌表面施镀，然后在真空条件下自然冷却至室温，即得无氢非晶碳化锗薄膜。本发明所得的无氢非晶碳化锗薄膜的折射率可以在2.0～4.0较大的范围内调节，本发明方法所得无氢非晶碳化锗薄膜热稳定性好、高温红外性能优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100494479C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710072595.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，它涉及薄膜的制备方法。它解决了现有溅射出的薄膜面积较磁控靶面积小、均匀性较差和靶材的利用率低的问题。本发明的方法为：一、选用靶材，并将衬底置于旋转加热台上；二、将加热台用真空仓密封，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三、启动加热灯组，加热到沉积薄膜所需要的温度并保温；四、向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，控制气体流量，在衬底上加负偏压，移开挡板，开始向衬底表面镀膜；五、采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来控制镀膜；六、待真空仓内温度降至室温时即制得薄膜。本发明改变了现有的只能用大靶才能制备大面积薄膜的现状，膜厚易于控制，而且薄膜的均匀度高。
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公开(公告)号：CN101177779A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710144777.5
申请日：2007-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法，它涉及碳化硅反射镜表面的涂膜方法。它解决了现有反射镜的两相具有相差悬殊的硬度值，使抛光的均匀性受到影响，加工难度高；反射镜的粗糙度较高、表面易损伤的问题。本发明的方法为：一、将碳化硅反射镜进行清洗；二、将碳化硅反射镜置于磁控溅射真空仓内的加热台上；三、将真空仓内抽真空，对碳化硅反射镜加热；四、通入Ar气，启动电离电源，对碳化硅反射镜表面进行电离清洗；五、向反射镜表面进行磁控溅射沉积镀膜。本发明方法制备的硅膜致密性好，覆盖了碳化硅表面的两相组织，易于抛光，光学精度高，硅膜与反射镜表面的结合性好。
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公开(公告)号：CN101100739A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710072595.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，它涉及薄膜的制备方法。它解决了现有溅射出的薄膜面积较磁控靶面积小、均匀性较差和靶材的利用率低的问题。本发明的方法为：一，选用靶材，并将衬底置于旋转加热台上；二，将加热台用真空仓密封，抽真空，通入Ar气，电离清洗；三，启动加热灯组，加热到沉积薄膜所需要的温度并保温；四，向真空仓内通入启辉气体，施加溅射功率，控制气体流量，在衬底上加负偏压，移开挡板，开始向衬底表面镀膜；五，采用两台步进电机分别控制旋转加热台和靶的运行轨迹来控制镀膜；六，待真空仓内温度降至室温时即制得薄膜。本发明改变了现有的只能用大靶才能制备大面积薄膜的现状，膜厚易于控制，而且薄膜的均匀度高。
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公开(公告)号：CN102492922A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110443573.8
申请日：2011-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，它涉及一种石墨烯的制备方法。本发明要解决现在制备石墨烯的方法存在成本高、能耗高的问题。方法：一、清洗单晶硅片衬底；二、对清洗后单晶硅片衬底进行真空保温处理；三、首先进行启辉，然后进行溅射，即得到GeC原料；四：将GeC原料进行高温灼烧，即得到石墨烯。优点：一、降低了灼烧温度低，达到减低能耗、减成本的目的；二、厚度均匀一致；三、易于转移。本发明主要用于制备石墨烯。本发明主要用于制备石墨烯。
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公开(公告)号：CN102280514A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110231460.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本征层为碳锗薄膜的太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池及其制备方法。本发明要解决现有以非晶硅材料为本征层存在带隙较宽、吸收系数偏小的问题。太阳能电池包括透明衬底(1)、透明导电薄膜(2)、P型窗口层(3)、本征层(4)和N型层(5)。方法：将透明衬底(1)上镀上透明导电薄膜(2)；在透明导电薄膜(2)上镀上P型窗口层(3)；清洗、加热、保温，通入氩气，反溅清洗；制备本征层(4)；制备N型层(5)，即完成本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备。本发明太阳能电池结构新颖，制备工艺简单、易操作；本征层为碳锗薄膜，具有窄带隙，光学吸收较大的优点，可提高太阳能电池的光电转化效率。用于太阳能电池领域。
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