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公开(公告)号：CN1228859C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02106276.5
申请日：2002-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明揭露一种SOI金属氧化物半导体场效应晶体管，其包含一半导体基板、一层埋层氧化硅层、一硅层，并包含多个浅槽隔绝区域、一本体、一源极、一漏极、与一本体接触窗区域，其皆位于所述硅层中，其中所述本体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域分离。本发明的晶体管更包含一层栅极氧化硅层、一多晶硅栅极与一分支多晶硅层，所述分支多晶硅层与所述多晶硅栅极呈T形连接，其延伸经过所述源极并超过所述本体接触窗区域。本发明的晶体管更包含一栅极接触窗，所述栅极接触窗位于所述多晶硅栅极的延伸线上并连接至所述多晶硅栅极。
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公开(公告)号：CN1551368A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038130.0
申请日：2004-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/78618 , H01L2029/7857
Abstract: 本发明是关于一种半导体组件、累积模式多重闸晶体管及其制造方法。本发明的半导体组件的结构包括：一累积模式(accumulation mode)多重闸晶体管，其中上述累积模式多重闸晶体管包括：至少一半导体鳍部，位于一绝缘层上，其中该半导体鳍部分别含有具有第一掺杂类型的一源极、一漏极以及一沟道区；一闸介电层，位于上述沟道区上；以及一多重闸电极，于上述闸介电层上。
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公开(公告)号：CN1551336A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410008061.9
申请日：2004-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/7624 , H01L21/84 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供一种具多厚度的绝缘层上半导体的结构及其形成方法，提供一晶圆，此晶圆具有重叠位于基材上的埋入绝缘层上的一半导体膜(具有至少两区域)。覆盖半导体膜至少两区域中的一者，以提供具有一第一厚度的至少一半导体膜覆盖部分，保留暴露半导体膜至少两区域中的至少一者，以提供具有第一厚度的至少一半导体膜暴露部分。在一实施例中，至少一暴露半导体膜部分的至少一部分进行氧化，以提供至少一部分氧化、暴露半导体膜部分。接着，此暴露半导体膜的氧化部分被去除，而保留具有小于第一厚度的第二厚度的半导体膜的一部分。
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公开(公告)号：CN1516287A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03100978.6
申请日：2003-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管(TBMOS)，可应用在传统本体(Bulk)基材或部分空乏绝缘层上覆硅(PD SOI)基材中，用来在栅极与基材之间形成穿隧连接(Tunnel Connection)。本发明所述晶体管中的栅极座具有稍长于一般栅极座的长度，并且在栅极座的一端具有与另一端反相的离子植入区，可允许N型金属氧化物半导体晶体管中的空穴，P型金属氧化物半导体晶体管中的电子，由栅极穿隧到基材中。由于空穴电流可自我限制，因此可应用于操作电压大于0.7伏特的情况，并且可避免现有的晶体管元件具有过大漏电流的缺点。另外，本发明的晶体管结构还可避免N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管之间的串扰(Crosstalk)现象。
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公开(公告)号：CN1503372A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN03153891.6
申请日：2003-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/1054 , H01L29/66795 , H01L29/7842 , H01L29/7854 , H01L29/78687
Abstract: 具有多重闸极及应变的通道层的晶体管的结构包括由垂直型半导体层构成的源极、汲极和通道区所构成的晶体管，以及用以使通道区中具有一应变的应力层。其中，闸极绝缘层位于垂直型鳍形半导体层的通道区表面，闸极电极位于闸极绝缘层上，并包覆对应于通道区的垂直型鳍形半导体层的两侧壁和一顶面。此外，本发明并提供具有多重闸极及应变的通道层的晶体管的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1482673A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN02131611.2
申请日：2002-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明涉及一种具有应变平衡结构的CMOS元件及其制造方法，首先提供一绝缘层上有硅层的基底；其次，在此硅层上成长一硅锗层，其中此硅层处于双轴拉伸应变情况之下，而此硅锗层处于双轴压缩应变情况之下，以获得应变平衡结构；接著，在此硅锗层上形成一第二硅层，其中此第二硅层具有一第一厚度适用于一PMOS元件，及一第二厚度适用于一NMOS元件；然后，对于此基底施行图案化制程以定义出一PMOS元件区及一NMOS元件区；再者，在此第二硅层上形成闸极绝缘层；最后，在此闸极绝缘层上形成一闸极电极。
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公开(公告)号：CN101315933B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710166452.7
申请日：2007-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L27/088 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823437 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/088 , H01L27/1211 , H01L29/165 , H01L29/41791 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 本发明涉及一种具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，包括半导体基材；以及在半导体基材上的表面上设有第一鳍式场效应晶体管与第二鳍式场效应晶体管。第一鳍式场效应晶体管包括第一鳍片；以及覆盖于第一鳍片的上表面及多个侧壁上的第一栅极。第二鳍式场效应晶体管包括与第一鳍片相隔一鳍片间隙的第二鳍片；以及覆盖于第二鳍片的上表面及多个侧壁上的第二栅极。第一栅极与第二栅极为电性隔离。第一栅极与第二栅极的栅极高度大于约一半的鳍片间隙。
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公开(公告)号：CN100517754C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710003352.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823864 , H01L29/1083 , H01L29/6656 , H01L29/7842
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体元件和半导体结构，包括一栅极堆叠位于半导体基底上方。一间隙壁衬层位于栅极堆叠的侧壁，且间隙壁衬层具有一部分位于基底上方。一间隙壁位于间隙壁衬层上方，PMOS元件的间隙壁较佳具有张应力，且NMOS元件的间隙壁较佳具有压应力。本发明所述的金属氧化物半导体元件和半导体结构，可分别于LDD区和袋型区产生局部应力，抑制了LDD区和袋型区掺杂物的扩散，减少了源极和漏极间的漏电流。
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公开(公告)号：CN101425528A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810173518.X
申请日：2008-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/76224 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L29/861 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 本发明提出一种衬底中埋植二极管的相变存储器，包括半导体衬底；二极管；和相变元，所述相变元在所述二极管之上并与所述二极管电连接。所述二极管包括第一导电类型的第一掺杂半导体区，其中所述第一掺杂半导体区埋植在所述半导体衬底中；和第二掺杂半导体区，所述第二掺杂半导体区覆盖在所述第一掺杂半导体区之上并与其相邻接，其中所述第二掺杂半导体区的第二导电类型与所述第一导电类型相反。
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公开(公告)号：CN101393964A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200710161138.X
申请日：2007-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/12 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明公开一种包含相变化元件的存储装置及其形成方法，上述相变化元件具有：第一相变化层，具有第一平均晶粒尺寸；及第二相变化层，位于上述第一相变化层上。上述第一相变化层与上述第二相变化层为上述相变化元件的深度相关区，且上述第二相变化层具有不同于上述第一平均晶粒尺寸的第二平均晶粒尺寸。本发明能够减少初始复位电流并减少初始复位电流与后续复位电流之间的差距。
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