公开(公告)号：CN101123277A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710131530.X

申请日：2007-09-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  闾锦 ,  陈裕斌 ,  左正 ,  濮林 ,  张荣 ,  韩平 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

Abstract: 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH4或乙硅烷Si2H6采用低压化学气相外延方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH4采用低压化学气相外延技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。

公开(公告)号：CN100344006C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200510094747.9

申请日：2005-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  刘成祥 ,  周圣明 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在一定500-1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500-1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700-900℃和600-800℃生长层厚分别为15-20nm和5-15nm的5-10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。

公开(公告)号：CN1307687C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200410041677.6

申请日：2004-08-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  修向前 ,  毕朝霞 ,  刘斌 ,  于英仪 ,  俞慧强 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34

Abstract: 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330-400℃，只通入金属有机源三甲基铟5-15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。

公开(公告)号：CN1913178A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610086105.9

申请日：2006-08-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  江若琏 ,  张荣 ,  韩平 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  赵红 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构：在蓝宝石衬底上设有厚度在50－2000nm的低温和高温GaN材料，GaN材料上分别设有15－80nm和15－100nm的5－50个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述底镜上设有n－AlxGal－xN/i－GaN/p－AlxGal－xN结构的谐振腔：即设有20－80nm厚的高温n－AlxGal－xN，5－30nm厚的高温i－GaN吸收层，20－80nm厚的高温p－AlxGal－xN，Al组分x≥0.3作为探测器的谐振腔；最后是层厚分别为15－80nm和15－100nm的0－30个周期的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜即顶镜完成RCE紫外探测器结构。

公开(公告)号：CN1300387C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200410065676.5

申请日：2004-11-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  张荣 ,  陈琳 ,  谢自力 ,  顾书林 ,  施毅 ,  韩平 ,  沈波 ,  江若琏 ,  朱顺明 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/44 ,  H01L21/20

Abstract: 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，先在蓝宝石衬底上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜制成掩膜区，利用离子束，光刻，电子束曝光方法在掩膜区蚀刻出图形窗口，蓝宝石图形表面蚀刻至粗糙或者被蚀刻深度80nm-2μm，然后将掩膜用腐蚀的方法去除，即可得到图形蓝宝石衬底，用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至蚀刻区被GaN铺满，继续生长可以得到低位错密度氮化镓薄膜。

公开(公告)号：CN1900745A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610088286.9

申请日：2006-07-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  刘成祥 ,  赵红 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: G02B5/08 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L51/00 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5－50nm厚的低温LT－GaN、50－2000nm厚的高温HT－GaN和或加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN；最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5－50nm厚的低温LT－GaN/50－2000nm厚的高温HT－GaN/和或包括加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN/最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN结构。

公开(公告)号：CN1800445A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510095459.5

申请日：2005-11-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 韩平 ,  王荣华 ,  夏冬梅 ,  刘成祥 ,  谢自力 ,  赵红 ,  修向前 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  施毅 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/52

Abstract: 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH4、C2H4为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C2H4分压0.01～0.15Pa，GeH4分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH4分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。

公开(公告)号：CN1763268A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510094184.3

申请日：2005-09-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  刘成祥 ,  韩平 ,  周圣明 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205

Abstract: 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10－60分钟；然后在500－1050℃温度范围通入载气H2和或N2，NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1－50sccm；NH3气500－7000sccm；N与Ga之摩尔比为500－3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500－1050℃温度下，时间为10－60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。

公开(公告)号：CN1632186A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200410065676.5

申请日：2004-11-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  张荣 ,  陈琳 ,  谢自力 ,  顾书林 ,  施毅 ,  韩平 ,  沈波 ,  江若琏 ,  朱顺明 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/44 ,  H01L21/20

Abstract: 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，先在蓝宝石衬底上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜制成掩膜区，利用离子束，光刻，电子束曝光方法在掩膜区蚀刻出图形窗口，蓝宝石图形表面蚀刻至粗糙或者被蚀刻深度80nm－2μm，然后将掩膜用腐蚀的方法去除，即可得到图形蓝宝石衬底，用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至蚀刻区被GaN铺满，继续生长可以得到低位错密度氮化镓薄膜。

公开(公告)号：CN1186786C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN02113081.7

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐晓峰 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/00 ,  H01L21/00

Abstract: 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体的方法：采用溶胶-凝胶法并结合掺杂铁磁性离子如Fe、Co或Mn、Ni等制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜：先制备ZnO胶体溶液，将一定量分析纯醋酸锌和磁性金属盐，铁和锌的原子浓度比为1～15%，溶解在无水乙醇中，均匀搅拌，最终得到ZnO胶体溶液，ZnO胶体溶液滴加匀涂覆在旋转的Si片上，将薄膜在室温～100℃下放置一段时间后，然后在240℃～300℃热处理数分钟后，在500℃～900℃，氮气气氛下热处理0.5-1.5小时。溶胶-凝胶法制备薄膜材料具有技术简单，低耗费，易于获得大面积的薄膜等优点。可以制得多组分均匀混合物。