公开(公告)号：CN100511714C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200710131530.X

申请日：2007-09-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  闾锦 ,  陈裕斌 ,  左正 ,  濮林 ,  张荣 ,  韩平 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

Abstract: 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH4或乙硅烷Si2H6采用低压化学气相沉积方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH4采用低压化学气相沉积技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。

公开(公告)号：CN101123277A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710131530.X

申请日：2007-09-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  闾锦 ,  陈裕斌 ,  左正 ,  濮林 ,  张荣 ,  韩平 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

Abstract: 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH4或乙硅烷Si2H6采用低压化学气相外延方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH4采用低压化学气相外延技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。