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公开(公告)号：CN103000807A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210537544.2
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R1)4Ti、(R1R2N)4Ti、(R1O)4Ti、((R1)3Si)4Ti及TiM4的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br；沉积Te前驱体，所述Te前驱体包括(R1)2Te、(R1R2N)2Te、((R1)3Si)2Te的一种或一种以上，其中R选自含1~10个碳的直链、支链或环状的烷基或烯基；沉积Sb前驱体，所述Sb前驱体包括(R1)3Sb、(R1R2N)3Sb、(R1O)3Sb、((R1)3Si)3Sb、SbM3的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br。本发明制备的TiSbTe相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN101931049A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010271248.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低功耗抗疲劳的相变存储单元，包括：下电极，位于下电极之上的介质材料过渡层，位于介质材料过渡层之上的复合相变材料层以及复合相变材料层之上的上电极；介质材料过渡层采用第一介质材料，为Ta2O5、TiO2、CeO2中的一种或多种；复合相变材料层为相变材料和第二介质材料构成的复合材料，第二介质材料为SiO2、HfO2、Ta2O5、TiO2、CeO2中的一种或多种。本发明还提供了制备该低功耗抗疲劳的相变存储单元的方法，所得相变存储单元可减小热量损失，防止相变材料挥发，提高热稳定性，优化界面，减小相变前后应力变化，有利于器件性能的稳定，一方面降低了器件功耗，另一方面提高了器件的抗疲劳特性。
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公开(公告)号：CN101665916A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910196760.3
申请日：2009-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种制备相变材料的溅射靶材的方法，其首先将已使用过的具有孔隙的相变材料溅射靶材通过抛光工艺去除其表面的氧化物和杂质，再采用去离子水清洗已经过抛光处理的溅射靶材，接着将经过清洗后的溅射靶材放入真空炉中烘干，最后将与所述溅射靶材同材质的靶材粉末填充在经过烘干的溅射靶材的孔隙中，然后再将所述溅射靶材放在真空热压烧结炉中进行热压烧结以制备出新的相变材料的溅射靶材，如此可有效降低生产成本，避免资源的浪费。
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公开(公告)号：CN114944452B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210158712.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阈值选通材料、阈值选通器件单元及其制备方法，所述阈值选通材料的化学通式为(InxTey)aM1‑a，其中0.1≤x/y≤1，0＜x＜100，0＜y＜100，x+y＝100，0＜a≤0.2，M为包括至少一种第六主族元素的阈值开关材料。本发明的阈值选通器件单元具有漏电流低、阈值电压低、选通比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119536438A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411590368.8
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种电流绝对值产生电路，包括：电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第二电流源和第一电流源的差值的第一电流；翻转电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第一电流源和第二电流源的差值的第二电流，电流绝对值输出电路，用于输出所述第一电流或所述第二电流的绝对值。本发明能够将实时测量的目标图像像素与训练目标像素之间差别转换成电流的差值。
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公开(公告)号：CN119072219A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411035002.4
申请日：2024-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于一类硫系化合物的开关器件及其存储设备，所述硫系化合物的化学通式为(SxSeyTe100‑x‑y)100‑zMz，其中M是Sb、Sn、Si、Ge、Bi、Pb、ln、Ga、As、C、P、N中的一种或几种，x、y、z满足0≤x≤100，0≤y≤100，10≤z≤90。本发明开关器件和存储设备功耗极低、操作速度快、泄漏电流低、集成密度高，可用于高密度与三维海量存储器的制造。
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公开(公告)号：CN118613141A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410844936.6
申请日：2024-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SeTe选通管材料及选通管器件，所述SeTe选通管材料的化学式为SexTe1‑x，其中0.1≤x≤0.9。本发明是一种双向阈值开关型选通管材料，提高选通管的热稳定性，降低选通管的漏电流，增强选通管的寿命和可靠性，在非挥发性存储器、电子开关和可重构电路等领域具有重要的应用前景，可为电子设备提供更高性能、更低功耗的解决方案。
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公开(公告)号：CN110061131B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910329526.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法，其中，相变材料包括钽元素、锑元素及碲元素，相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，x、y、z均指元素的原子百分比，且1≤x≤25，0.5≤y:z≤3，x+y+z＝100。本发明的TaxSbyTez相变薄膜材料具有相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点，其中，Ta5.7Sb37.7Te56.6具有165℃的十年数据保持力，将其应用于相变存储器中器件单元具有6ns的操作速度和高于100万次的擦写次数。同时，本发明的TaxSbyTez相变材料的晶粒非常小，在400℃退火处理30分钟后，晶粒尺寸依然小于30纳米，这对于器件的稳定性、低功耗、成品率非常重要。本发明的相变存储器单元的制备方法与CMOS工艺相兼容，便于精确控制相变材料的成分。
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公开(公告)号：CN115000296A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210551303.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料中嵌入原子级厚度的过渡金属界面材料的方式改善材料的存储性能。该相变存储器具有快速、低功耗的擦写特性，稳定的多级电阻态以及较好的疲劳特性，有望应用于神经形态器件及高密度存储领域。
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