公开(公告)号：CN115000296A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210551303.7

申请日：2022-05-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周夕淋 ,  朱栩旭 ,  宋志棠 ,  宋三年

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法。该变存储材料包括范德华结构缓冲层以及过渡金属层与相变材料层交替堆叠组成的超晶格相变存储层。该相变存储器包括底电极层、界面相变存储材料、顶电极层。本发明通过在相变材料中嵌入原子级厚度的过渡金属界面材料的方式改善材料的存储性能。该相变存储器具有快速、低功耗的擦写特性，稳定的多级电阻态以及较好的疲劳特性，有望应用于神经形态器件及高密度存储领域。

公开(公告)号：CN113437214A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110708610.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周夕淋 ,  朱栩旭 ,  宋志棠 ,  宋三年 ,  吴良才

IPC: H01L45/00 ,  C30B29/68 ,  C30B29/46 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明涉及一种高度织构取向相变存储材料及其制备方法，所述相变存储材料包括范德瓦尔斯结构缓冲层和氮硫化合物‑GeTe超晶格结构；所述超晶格结构沿垂直于衬底表面的方向层状生长。本发明用高通量的制备方法实现了具有连续组分分布且具有高度织构取向的氮硫化合物相变材料，相变存储材料具有高度的织构取向，这有助于设计具有界面无序化特征的低功耗、高性能相变存储器单元，有望用于高速、高循环擦写次数和低功耗的非易失性存储器件。