公开(公告)号：CN103050624B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310025243.6

申请日：2013-01-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张中华 ,  宋三年 ,  宋志棠 ,  吕叶刚

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00

Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。该Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式为GaxGeySbzTew，其中0

公开(公告)号：CN103050624A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201310025243.6

申请日：2013-01-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张中华 ,  宋三年 ,  宋志棠 ,  吕叶刚

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00

Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。该Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式为GaxGeySbzTew，其中0