公开(公告)号：CN117498854A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311220391.3

申请日：2023-09-20

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 刘芳 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  解尧明 ,  梁英宗 ,  池泊明 ,  李东镁

IPC分类号： H03K19/08 ,  H03K19/094 ,  H03K19/173 ,  H03K19/003

摘要： 本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT驱动电路及芯片。所述IGBT驱动电路包括死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管。死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；电平位移模块用于对第一控制信号进行电平位移处理生成高压域控制信号；延时电路模块用于对第二控制信号进行延时处理生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下生成轨到轨输出的驱动信号。本发明可实现不同电压域的匹配，提高响应速度，且可实现良好的延时匹配特性，避免第一驱动管与第二驱动管直通，节省功耗。

公开(公告)号：CN115911100B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310192045.2

申请日：2023-03-02

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  鹿祥宾 ,  朱松超 ,  李君建 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  董子斌

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：初始衬底；阱区，形成于初始衬底；体区和漂移区，形成于阱区；源极，形成于体区靠近漂移区一侧；载流子吸附层，形成于体区，载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，载流子吸附层的一端延伸至体区远离漂移区一侧，另一端延伸至源极并紧贴源极底部，载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层，形成于阱区，并位于体区底部；漏极，形成于漂移区；栅极，形成于体区上；场板，形成于漂移区上。通过本发明提供的晶体管，能够减少载流子在体区内聚集，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。

公开(公告)号：CN115863397A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310056857.4

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN115642182A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211461416.4

申请日：2022-11-16

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  余山 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  张东

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：硅衬底；阱区；第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，形成于阱区的两侧；第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状梯形体结构，第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；第一漏极重掺杂区与第一漏极金属电极构成第一漏极，第二漏极重掺杂区与第二漏极金属电极构成第二漏极；体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，形成于阱区。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN115241183B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211122807.3

申请日：2022-09-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  张泉 ,  尹强 ,  田俊

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L23/64

摘要： 本申请涉及半导体领域，提供一种电压钳位的超结器件及制造方法。所述超结器件包括有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构和电阻结构，所述平板电容结构与所述电阻结构串联连接构成RC吸收电路；所述RC吸收电路与源极和截止环区相连，用于对超结器件的漏源电压进行电压钳位。本申请在超结器件的终端区集成RC吸收电路，将器件漏源电压钳位在安全电压值范围内，可以减缓器件电压电流振铃，防止器件因过压击穿而损坏；充分利用超结器件终端区芯片面积，不需要额外占用超结器件有源区面积，不会引起超结器件其它参数的退化，提高系统的集成度和可靠性。

公开(公告)号：CN115128427B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211036892.1

申请日：2022-08-29

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  张东嵘 ,  鹿祥宾 ,  付振 ,  刘芳

IPC分类号： G01R31/26 ,  G06N3/04

摘要： 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种MOS器件寿命预测方法、装置、电子设备、介质及程序产品。所述MOS器件寿命预测方法包括：获取MOS器件在老化实验条件下的指标参数偏离初始值预定范围的参数退化量数据，并建立参数退化量时间序列；根据时间序列分解算法处理所述参数退化量时间序列得到分解后的数据；将所述分解后的数据作为样本数据，并利用所述样本数据训练Holt‑Winters模型；利用训练后的所述Holt‑Winters模型对所述MOS器件进行寿命预测。上述技术方案减少了现有技术中因对MOS器件进行完整的加速应力实验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了MOS器件的生产周期，解决了MOS器件生产效率低的问题。

公开(公告)号：CN115064446B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210990168.6

申请日：2022-08-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  田俊 ,  张泉 ,  尹强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及功率半导体领域，具体公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第一预定区域刻蚀得到至少一个Ai深沟槽，在所述Ai深沟槽中填充掺杂浓度为NAi的第一外延层形成第i层第一导电类型的外延柱；通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第二预定区域刻蚀得到至少一个Di深沟槽，在所述Di深沟槽中填充掺杂浓度为NDi的第二外延层形成第i层第二导电类型的外延柱；循环上述步骤在晶圆中制作超结结构。该技术方案可以解决传统深沟槽单次外延填充产生的空洞问题；主要用于制备超结半导体器件。

公开(公告)号：CN115373950A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211316658.4

申请日：2022-10-26

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  邓永峰 ,  陈燕宁 ,  梁英宗 ,  付振 ,  刘芳 ,  吴波 ,  郁文 ,  王凯 ,  刘倩倩 ,  余山

IPC分类号： G06F11/30 ,  G06F16/16 ,  G06F16/178 ,  G06F21/60

摘要： 本发明涉及芯片领域，公开一种工控机与数据监测系统。所述工控机包括：监测模块，用于在监测到所述工控机上的特定数据文件夹内的生产数据发生变化的情况下，获取所述特定数据文件夹内发生变化的生产数据的生成时间；提取模块，用于提取所述特定数据文件夹的原始数据摘要；插入模块，用于将所述生成时间作为时间戳插入所述原始数据摘要中，以形成所述特定数据文件夹的第一数据摘要；以及发送模块，用于发送所述特定数据文件夹的名称与所述第一数据摘要。由此，本发明可有效地避免生产数据被篡改，以确保生产数据的真实准确性。

公开(公告)号：CN115064582B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210944541.4

申请日：2022-08-08

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王帅鹏 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底，衬底内形成有第一阱区、第二阱区、体区和漂移区；场板，形成漂移区的顶部，具有向上突出于漂移区表面的台阶部和向下凹陷至漂移区内的突出部，台阶部具有同一水平高度，突出部为中间厚两端薄的构型；至少两个具有第一导电类型的反型体，反型体为月牙型构型，形成于场板的突出部的下方且位于突出部的两端位置；源极形成于体区内，漏极形成于漂移区内远离源极的一侧，栅极形成于漂移区和体区的上表面，且栅极的多晶硅覆盖部分场板。通过本发明提供的晶体管，能够降低场板两端的表面电场，提高击穿电压，提升器件的可靠性。

公开(公告)号：CN115128427A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202211036892.1

申请日：2022-08-29

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  张东嵘 ,  鹿祥宾 ,  付振 ,  刘芳

IPC分类号： G01R31/26 ,  G06K9/62 ,  G06N3/04

摘要： 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种MOS器件寿命预测方法、装置、电子设备、介质及程序产品。所述MOS器件寿命预测方法包括：获取MOS器件在老化实验条件下的指标参数偏离初始值预定范围的参数退化量数据，并建立参数退化量时间序列；根据时间序列分解算法处理所述参数退化量时间序列得到分解后的数据；将所述分解后的数据作为样本数据，并利用所述样本数据训练Holt‑Winters模型；利用训练后的所述Holt‑Winters模型对所述MOS器件进行寿命预测。上述技术方案减少了现有技术中因对MOS器件进行完整的加速应力实验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了MOS器件的生产周期，解决了MOS器件生产效率低的问题。