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公开(公告)号：CN111272158B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201911310478.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 无锡北微传感科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G01C17/38
Abstract: 本发明公开了复杂磁扰动场景MEMS电子罗盘的动态方位角解算方法，包括：获取多冗余传感器中加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值；判断是否需要进行滤波；若需要进行滤波，构建扩展卡尔曼滤波器，输出加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值的最优估值；若不需要进行滤波，直接输出多冗余传感器中加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值；分别用倾角补偿算法、磁场比例角补偿算法和陀螺仪Z轴积分算法解算方位角；根据载体当前运动姿态进行数据融合，得到最优方位角。本发明提供的复杂磁扰动场景MEMS电子罗盘的动态方位角解算方法，使MEMS电子罗盘在磁扰动和动态条件下，自适应完成准确的方位角解算，提高定向精度；算法结构简单，收敛速度快。
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公开(公告)号：CN113270478A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110443694.6
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本申请公开了一种化合物半导体续流功率晶体管。包括：衬底、缓冲层、势垒层，缓冲层设置于衬底上，势垒层设置于缓冲层上，势垒层上设置有源极、漏极和栅极，栅极位于源极和漏极之间，势垒层中设有用于形成电子陷阱的陷阱区，陷阱区位于源极和漏极之间，栅极不接触陷阱区。通过在势垒层中设置陷阱区，当器件工作时，在栅极上施加的正负电压需要向陷阱区抽取或注入电子，以此实现器件平缓的导通和关断，降低了器件被感应电压击穿或烧毁的风险，提高了化合物半导体功率晶体管在系统中的可靠性。
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公开(公告)号：CN109300877B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810980479.8
申请日：2018-08-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底中的通孔结构及其制造方法，该结构包括衬底、贯穿衬底的通孔、衬底表面的富电荷层、通孔侧壁、衬底表面以及富电荷层表面的绝缘层；所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有富电荷层，其中含有高浓度的电荷，且富电荷层围绕于通孔的孔口周围。该制造方法的步骤为：以半导体材料作为衬底，在所述衬底的第一表面制作富电荷层；在所述衬底的第一表面制作深孔；在深孔内壁、衬底第一表面以及富电荷层表面上制作绝缘层；向深孔中填充导电材料；减薄所述衬底的第二表面，露出深孔的底部。采用该通孔结构可以实现三维集成系统电学性能的改善和可靠性的提升。
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公开(公告)号：CN111403591A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811530871.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/113 , H01L41/22 , H01L41/277
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级超声波芯片组件及其制造方法，其中晶圆级超声波芯片组件包含晶圆基板、超声波元件、第一保护层、导电线路、第二保护层、传导材料、特用芯片、导电柱及焊接部。晶圆基板包含贯通晶圆基板的贯通槽。超声波元件曝露于贯通槽。导电线路位于第一保护层上，并连接超声波元件。第二保护层覆盖导电线路，第二保护层具有对应于超声波元件的开口。传导材料接触超声波元件。特用芯片连接晶圆基板，使贯通槽在特用芯片及超声波元件间形成空间。导电柱设置于贯穿特用芯片、晶圆基板及第一保护层的穿孔中，并分别连接导电线路及焊接部。
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公开(公告)号：CN109300877A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810980479.8
申请日：2018-08-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种半导体衬底中的通孔结构及其制造方法，该结构包括衬底、贯穿衬底的通孔、衬底表面的富电荷层、通孔侧壁、衬底表面以及富电荷层表面的绝缘层；所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有富电荷层，其中含有高浓度的电荷，且富电荷层围绕于通孔的孔口周围。该制造方法的步骤为：以半导体材料作为衬底，在所述衬底的第一表面制作富电荷层；在所述衬底的第一表面制作深孔；在深孔内壁、衬底第一表面以及富电荷层表面上制作绝缘层；向深孔中填充导电材料；减薄所述衬底的第二表面，露出深孔的底部。采用该通孔结构可以实现三维集成系统电学性能的改善和可靠性的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104867905B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510138166.4
申请日：2015-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/52 , H01L23/552 , H01L23/62 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底，信号通孔和地通孔，其中衬底为P型背景掺杂；所述通孔是由多晶硅填充的通孔；所述信号通孔为N型掺杂；所述地通孔为P型掺杂。本方法为：1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)在衬底第一表面上粘附一干膜层，图形化干膜层，使干膜层在一部分深孔上形成开口；3)向干膜层上有开口的深孔填充掺杂第一导电类型杂质的多晶硅，去掉干膜；4)向剩余深孔中填充掺杂第二导电类型杂质的多晶硅。对于高速/高频系统，采用该结构将不需要对原先硅通孔布局布线和版图进行调整，即能获得信号完整性和电源完整性的提升。同时本发明具有工艺简单，成本低，效果好的优势。
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公开(公告)号：CN106370958A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610934313.3
申请日：2016-10-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: G01R31/003 , G01N21/88 , G01N29/0681 , G01N2291/0232 , G01N2291/02881 , G01N2291/0289
Abstract: 本发明公开了一种内嵌微流道的LTCC基板测试方法和装置，该方法包括对LTCC基板样品进行初步检测；对通过初步检测的LTCC基板样品分别进行低温贮存测试、高温贮存测试和高低温循环测试，并对每次测试后的LTCC基板样品进行检测。该方法和装置对内嵌微流道的LTCC基板进行了低温贮存、高温贮存、温度循环等系列环境科目测试，检测内嵌微流道LTCC基板的质量无损和结构完整性，得出其在地面模拟使用环境中是否可靠的定性结论。
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公开(公告)号：CN102437110B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110391525.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法，首先在基片上制作垂直孔；然后在所述基片的表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面；然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构，可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆或芯片到芯片的方式进行堆叠并形成三维集成结构。石墨烯由于其特有的弹道疏运机制，具有非常高的电导率，有利于提高垂直互连结构的电信号传输性能，特别有利于高频高速电信号的传输，可减小垂直互连结构间及对其它电路的干扰。
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公开(公告)号：CN102569487B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210015241.4
申请日：2012-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发明通过将P型和N型有源区设计成上下非垂直对称结构，有效增大了P型有源区到N型有源区的距离，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，即增大了探测器件I区的有效厚度，突破了高阻硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。
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公开(公告)号：CN102496632B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110452444.5
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0203 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于键合基片的超薄硅PIN高能粒子探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的器件层硅片和支撑层硅片，以及二者之间的二氧化硅层，其中：所述器件层硅片的正面有掺杂形成的P+区，所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层，所述P+区上面覆盖有薄金属层，该薄金属层边缘具有场板结构；所述支撑层硅片在对应于器件层硅片P+区的位置开有窗口形成空腔结构，暴露出器件层硅片的背面，该空腔结构为下宽上窄的倒扣桶状；所述器件层硅片暴露的背面区域为掺杂形成的N+区；所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的超薄探测器可测量粒子能量及鉴别粒子种类，应用于核物理探测等领域中。
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