公开(公告)号：CN102544186B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201210015141.1

申请日：2012-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 樊超 ,  于民 ,  杨昉东 ,  田大宇 ,  王金延 ,  金玉丰

IPC: H01L31/118 ,  H01L31/18 ,  G01T3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。

公开(公告)号：CN102544186A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210015141.1

申请日：2012-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 樊超 ,  于民 ,  杨昉东 ,  田大宇 ,  王金延 ,  金玉丰

IPC: H01L31/118 ,  H01L31/18 ,  G01T3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。

公开(公告)号：CN102569487B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201210015241.4

申请日：2012-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  樊超 ,  杨昉东 ,  田大宇 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发明通过将P型和N型有源区设计成上下非垂直对称结构，有效增大了P型有源区到N型有源区的距离，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，即增大了探测器件I区的有效厚度，突破了高阻硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。

公开(公告)号：CN102569487A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210015241.4

申请日：2012-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  樊超 ,  杨昉东 ,  田大宇 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发明通过将P型和N型有源区设计成上下非垂直对称结构，有效增大了P型有源区到N型有源区的距离，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，即增大了探测器件I区的有效厚度，突破了高阻硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。