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公开(公告)号：CN103500796A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310478675.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于氧化物的透明阻变随机存储器RRAM，包括三层结构：上电极，阻变层薄膜和下电极，所述上电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种；所述阻变薄膜材料为ZrO2；所述下电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种。本发明还提供制备RRAM的方法。本发明采用溶胶凝胶法，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资少；制得的RRAM器件一致性好，可以实现大面积RRAM器件的制备。
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公开(公告)号：CN103441135A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310367267.X
申请日：2013-08-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法，通过在原有的衬底晶体管的漏极和源极同时分别制作具有MIM结构的阻变存储器结构，最后分别在衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金属、第二层层间介质、第二层栓塞、MIM结构层、第三层层间介质、第三层栓塞、第二层金属和钝化层，实现所述衬底晶体管与阻变存储器的串联。本发明将1T1R结构中的阻变存储器和1R结构中的阻变存储器同时制作，工艺条件完全相同，可以减少光刻次数，减少制作成本，同时将1T1R结构和1R结构集成在一起，还能方便这两种结构中阻变存储器特性的比较，有助于研究电流过冲对器件转变特性的影响。
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公开(公告)号：CN103177761A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110439905.5
申请日：2011-12-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/74 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种阻变存储设备及其操作方法。该设备包括：设置成矩阵形式的多个阻变存储单元，每个阻变存储单元包括开关元件和阻变器件，所述开关元件控制端连接字线，一端连接阻变器件，另一端连接位线；字线解码器，对输入的地址信号进行解码，导通至少一个阻变存储单元中的开关元件；驱动电路，通过位线与所述开关元件的导通同步地向所述阻变器件两端施加前沿缓慢变化的电压脉冲。利用上述实施例的方案，能够提高阻变器件耐久特性，例如减小高低阻值窗口退化和器件随转变次数失效。
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公开(公告)号：CN102915703A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210425355.6
申请日：2012-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管至第四晶体管、存储电容、有机发光二级管OLED、旁路电路、数据线、第N-1扫描线和第N扫描线。本发明采用存储电容的第二端接第一晶体管的源极，以及OLED与旁路电路并联，使得流过OLED的电流完全由数据电压决定，而与第一晶体管的阈值电压无关。本发明在不过多增加晶体管、电容及控制线的数量的同时，使得流经OLED的电流完全依赖于数据线的数据电压，能够精确地实现阈值电压补偿以保持显示亮度的均匀恒定，有利于提高开口率及显示分辨率，并且提高了抑制阈值电压分布不均匀的能力。因此，本发明具有较高的实用价值，有望广泛用于微电子和平板显示产业。
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公开(公告)号：CN102890910A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210389785.7
申请日：2012-10-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、存储电容和发光二极管；其中，第一晶体管为同步双栅薄膜晶体管，第二晶体管为异步双栅薄膜晶体管。本发明的像素驱动电路只在传统的2T1C电路的基础上引入一同步双栅结构和异步双栅结构，增加一预充电电压及一条反馈线，既有效增加了存储电容在非选通阶段对数据电压的保持效果，又有效地实现了驱动晶体管的阈值电压补偿，从而确保了显示器发光亮度的均匀性与稳定性。相比于大部分为实现数据保持和阈值补偿而采用的像素驱动电路，节省了晶体管、电容及控制线，大大简化了电路结构，从而提高了开口率和分辨率并降低了实现成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102722600A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210135029.1
申请日：2012-04-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02D10/45
Abstract: 本发明公开了一种芯片功耗的计算方法，包括以下步骤：A：选定芯片的工艺及工作电压，对该工艺下的逻辑门标准单元在不同输入状态下进行SPICE仿真；B：根据仿真结果，为每个逻辑门标准单元建立输入状态与泄漏功耗对应的查找表；C：读取芯片的电路网表中的逻辑门，判断该逻辑门输入为芯片的总输入还是其他逻辑门的输出；D：根据判断结果计算该逻辑门的每一个输入等于 或 的概率；E：根据查找表中该逻辑门的输入状态与泄漏功耗的对应关系以及逻辑门输入状态的概率，计算该逻辑门的泄漏功耗；F：遍历芯片中逻辑门获取每一逻辑门的泄漏功耗，对所获逻辑门的泄漏功耗进行累加获得芯片的泄漏功耗。本发明能提高基于统计意义上的芯片功耗的计算精度。
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公开(公告)号：CN102637742A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210127626.X
申请日：2012-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区，且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率，而且本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN101847688B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010163100.8
申请日：2010-04-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法，该方法包括：S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态；S2、在SET过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态；S3、在RESET过程中施加一个反向电压脉冲，使阻变存储器的阻变材料从低阻态转为高阻态。本发明提出的电流电压控制方法可以显著的减小器件阻值的离散性，并同时可以提高低阻态的阻值，从而减小器件的工作电流，降低功耗。
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公开(公告)号：CN102280465A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010207339.0
申请日：2010-06-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/24 , H01L29/872 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C17/06 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触的金属层和半导体层，并且金属层与半导体层之间的界面呈非平面的形状。该阻变随机访问存储器件可以减小在芯片上的占用面积并提供大的驱动电流，从而提高了存储密度。
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公开(公告)号：CN102270654A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010198033.3
申请日：2010-06-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/1253 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法，该阻变随机访问存储器件包括阻变存储元件，所述阻变存储元件包括两个电极以及夹在两个电极之间的阻变材料层，并且具有双极阻变特性；以及肖特基二极管，所述肖特基二极管包括彼此接触的金属层和半导体层，其中，所述肖特基二极管的金属层与所述阻变存储元件的一个电极连接。本发明实现了按照双极方式工作的1D-1R配置的阻变随机访问存储器件。
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