-
公开(公告)号：CN114192482A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010991804.8
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种气体喷头的清洁系统及清洁方法，清洁系统包括：用于供应清洁液的清洁液供应模块，用于供应超纯水的超纯水供应模块，用于供应干燥气体的干燥气体供应模块，以及清洁组件，清洁组件用于在清洁处理期间保持要被清洁的气体喷头，并使注入的清洁液、超纯水及干燥气体穿过气体喷头的气体通孔。本发明能够实现气体喷头非原位的自动清洗。
-
公开(公告)号：CN114068297A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010755051.0
申请日：2020-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开一种沟槽缺陷修复方法，涉及半导体技术领域。该沟槽缺陷修复方法以解决沟槽容易因为毛细作用力发生塌陷，且在氧化物的作用下，塌陷的沟槽无法复原，导致半导体器件的漏电不良的技术问题。沟槽缺陷修复方法包括提供半导体衬底，半导体衬底上包括待刻蚀层；对待刻蚀层进行反应离子刻蚀形成沟槽；利用湿法清洗工艺对沟槽进行清洗，以去除沟槽内的残留物；利用干法清洗工艺对所述去除了残留物的沟槽进行修复。
-
公开(公告)号：CN113972133A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010728015.5
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开一种半导体结构的制造方法及系统，涉及半导体器件制造技术领域。在确保膜层的质量情况下，提高图形的质量。该方法包括提供半导体衬底。将半导体衬底送入第一工艺腔室，并采用旋涂工艺在半导体衬底上形成第一膜层。将形成有第一膜层的半导体衬底送入真空锁腔室，并加热半导体衬底。将形成有第一膜层且加热后的半导体衬底送入第二工艺腔室，并采用沉积工艺在第一膜层上形成第二膜层。本发明还提供一种半导体结构的制造系统。
-
公开(公告)号：CN113948415A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010698591.X
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种回收装置、回收方法和回收系统，涉及半导体器件制造技术领域。确保回收装置持续回收副产物的情况下，提高半导体制造的效率。该回收装置包括主回收支路和辅助回收支路。主回路支路与产生副产物的处理腔连通。辅助回收支路与主回收支路并联。本发明还提供应用了上述回收装置的回收方法和回收系统。
-
公开(公告)号：CN113941211A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010701306.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种烟气处理装置、半导体制造设备以及烟气处理方法。涉及半导体技术领域，以解决在对工艺腔室进行清洁或者维修时，工艺腔室内的烟气容易发生泄露，对人体产生伤害，以及对外界环境产生影响的技术问题。该烟气处理装置用于排放工艺腔室内的烟气。烟气处理装置包括：清洁气体通入管路、烟气排出管路以及与烟气排出管路连通的烟气处理室。清洁气体通入管路和烟气排出管路均用于与工艺腔室连通。清洁气体通入管路用于向工艺腔室通入清洁气体。烟气排出管路用于将工艺腔室在清洁气体的作用下排出的烟气排放至烟气处理室。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937090A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202010604966.1
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/64 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器，包括：底电极；介电层，介电层形成在底电极上；顶电极组件，顶电极组件形成在介电层上，顶电极组件包括自介电层的一侧依次层叠形成的第一顶电极、第二顶电极以及第三顶电极；其中，第一顶电极为金属层，第二顶电极为掺杂碳、硼的硅锗层，第三顶电极为掺杂硼的硅锗层。本申请通过在第一顶电极、第三顶电极之间形成掺杂碳、硼的硅锗层，这样在第一顶电极上形成了掺杂碳、硼的硅锗层与掺杂硼的硅锗层的双重结构，大大减少了电阻增加，同时还减少了掺杂硼的硅锗层的残余应力,降低其对电容器的介电层产生的机械应力，解决了介电层的漏电问题。
-
公开(公告)号：CN113013233A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110216899.0
申请日：2021-02-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种叠层环栅的沟道结构及其制备方法，属于半导体工艺技术领域，能够提供集成度更高、栅控更好的器件。本发明的沟道结构包括硅衬底、沟道层以及多层硅层和多层支撑层，多层硅层依次层叠在硅衬底上，支撑层设于硅衬底与硅层之间和相邻两层硅层之间，沟道层设于硅层的表面，沟道层为WS2层。本发明的制备方法包括如下步骤：提供一硅衬底；在硅衬底上形成硅层和支撑层；在硅层的表面形成沟道层。本发明的沟道结构及其制备方法可用于GAAFET器件。
-
公开(公告)号：CN112582256A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011321703.6
申请日：2020-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体量子计算的应变纯化硅衬底及其形成方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中外延纯化硅受衬底自然硅同位素成分的影响较大、纯化硅层电子迁移率较小的问题。应变纯化硅衬底包括自然硅衬底、绝缘层和应变纯化硅层，应变纯化硅层中引入张应力。形成方法为在基础衬底上外延形成多层硅锗缓冲层，多层硅锗缓冲层中的锗掺杂浓度逐渐增加，在硅锗缓冲层上形成应变纯化硅层，得到施主衬底；提供自然硅衬底；在施主衬底和/或自然硅衬底上形成绝缘层；将施主衬底与自然硅衬底键合，去除硅锗缓冲层和基础衬底，得到应变纯化硅衬底。该应变纯化硅衬底和形成方法可用于半导体量子计算。
-
公开(公告)号：CN108807279B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810664793.5
申请日：2018-06-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该半导体结构的制作方法包括：步骤S1，形成具有凹槽的基底，基底包括衬底与介电层；步骤S2，在凹槽中设置半导体材料，形成纳米线；步骤S3，在纳米线的裸露表面上以及介电层的裸露表面设置结构层，纳米线的材料与结构层的材料相同的制作方法中，在基底中形成凹槽，然后在凹槽中填充半导体材料，形成纳米线，该纳米线的材料与结构层的材料相同，这样该纳米线实际上作为该结构层的种子层，使得后续生长得到的结构层的缺陷较少，质量较好，进一步保证了该半导体结构具有良好的性能。
-
公开(公告)号：CN111933753A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010818164.0
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供一种波导型光电探测器及制造方法，第一衬底的正面形成有包覆层，包覆层中形成有氮化硅光波导，第二衬底的正面形成有锗外延层，第一衬底和第二衬底的正面键合之后，从第二衬底的背面进行减薄，以暴露锗外延层，而后在锗外延层上形成光电探测器，从而实现氮化硅光波导与锗基探测器的集成。由于氮化硅光波导具有较低的传输损耗，能够提高光的传输效率，同时氮化硅波导与锗基光电探测器之间能形成高质量的氮化硅/锗界面，提高光电探测器的响应度以及光电转换能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
397
records
(took 0.069 seconds)
