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公开(公告)号：CN110349761B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910606403.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01G13/00
Abstract: 本发明提供一种具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，包括：在具有通孔阵列的平板上沉积第一金属层，使平板及通孔的侧壁上均覆盖第一金属层；在平板上的第一金属层上形成可溶性保护层，形成可溶性保护层的可溶性材料同时填充于通孔阵列中；去除平板上的可溶性保护层，保留通孔阵列中填充的可溶性材料；在平板上的第一金属层上电镀第二金属层；去除通孔阵列中填充的可溶性材料，使通孔侧壁上的第一金属层暴露；蚀刻平板上的金属层和通孔侧壁上的金属层，完全去除通孔侧壁上的金属层，部分去除平板上的金属层，得到带有通孔阵列的平板电容结构。本发明的带有通孔阵列的平板电容结构制造方法，制造工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN111786124A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010786025.4
申请日：2020-08-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供了一种电磁超表面，包括多个编码子模块，每个编码子模块包括沿预设方向依次设置的：第一介质板、第二介质板、金属反射地板、第三介质板、气压开关，其中，第二介质板内部设置有基本单元空槽和垂直通孔，基本单元空槽的底部与垂直通孔连通；第三介质板内部设置有液态金属储液槽，液态金属储液槽与第二介质板中的垂直通孔连通；金属反射地板，由带孔的金属贴片组成，中心设置有开孔，与垂直通孔连通；气压开关设置在第三介质板的底部，并与第三介质板中液态金属储液槽连通。
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公开(公告)号：CN111786123A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010783100.1
申请日：2020-08-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明提供了一种可重构电磁超材料，包括多个电磁超材料单元，每个电磁超材料单元包括沿预设方向依次设置的：第一介质板、第二介质板、金属反射地板、第三介质板、气压开关，其中，第二介质板内部设置有阶梯式空槽和垂直通孔，阶梯式空槽的底部与垂直通孔连通；第三介质板内部设置有液态金属储液槽，液态金属储液槽与第二介质板中的垂直通孔连通；金属反射地板，由带孔的金属贴片组成，中心设置有开孔，与垂直通孔连通；气压开关设置在第三介质板的底部，并与第三介质板中液态金属储液槽连通。
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公开(公告)号：CN105575938B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610108370.6
申请日：2016-02-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种硅基转接板及其制备方法，硅基转接板包括绝缘层、第一聚合物层和第一再布线层，第一聚合物层形成于绝缘层上，第一再布线层形成于第一聚合物层上，绝缘层开设有缺口，缺口的位置与第一再布线层地线位置至少部分重叠，以形成一不完整结构的绝缘层，本发明改善了转接板的信号传输特性，减小了信号的传输损耗，对高频信号的改善尤其明显，提高了传输线的信号完整性，提升了硅基转接板的整体性能，仅通过在绝缘层开设的缺口就提升了硅基转接板的传输性能，结构和工艺流程简单、易于实现。
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公开(公告)号：CN103839903B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410086565.6
申请日：2014-03-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，特别涉及一种带散热功能的三维堆叠芯片的制造方法，芯片包括顶层芯片单元、底层芯片单元及芯片基板。顶层芯片单元垂直连接在底层芯片单元的上方；芯片基板与底层芯片单元的底部连接。本发明提供的带散热功能的三维堆叠芯片及其制造方法，高热导率的散热单元制作工艺成熟、结构简单、制作成本低。散热单元将堆叠芯片热量直接从芯片内部传导至封装体外部进行散热，散热效率高。同时，在散热单元的上、下表面制作孔、槽、缝等结构，使散热层在长宽高尺寸一定的情况下，散热面积有效的增大，从而增加了散热单元的散热效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104459420A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410841720.0
申请日：2014-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C-V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。
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公开(公告)号：CN120049200A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510048551.3
申请日：2025-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种漏波天线单元和漏波天线阵列，其中漏波天线单元包括驱动贴片、微带馈线、多个低频漏波贴片、多个高频漏波贴片以及依次叠放的第一介质板、第二介质板、第三介质板、金属反射地板和第四介质板；多个低频漏波贴片以及多个高频漏波贴片设置于第一介质板的上表面，其中，多个高频漏波贴片环绕在多个低频漏波贴片外侧，每相邻两个高频漏波贴片间的距离相等；驱动贴片位于第一介质板与第二介质板间，金属反射地板处具有通孔，微带馈线设置于第四介质板下方，微带馈线的连接端与馈电接口连接，通孔沿垂直于金属反射地板方向上的投影与微带馈线相交。上述方案能提高对漏波天线的使用效率。
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公开(公告)号：CN118563315A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410531445.6
申请日：2024-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明涉及一种适用于混合键合的基体及其表面处理方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有的对晶圆或芯片表面的亲水性修饰方法难以提升介质表面亲水性的问题。所述方法包括：步骤1：提供基体；步骤2：对所述基体表面进行等离子体激活，实现表面羟基的初步修饰；步骤3：对所述基体表面进行清洗，实现表面水膜吸附；步骤4：对基体表面进行有机硅酸酯蒸汽处理，形成更多的表面羟基。本发明可以增加基体表面羟基密度，从而使其表面亲水性能得到提升。
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公开(公告)号：CN118299334A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410465894.5
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/13 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种基板结构和基板结构的制造方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中利用DAF将硅桥粘贴在基板的容纳槽中，但是上述引入的DAF是一种不确定的异物，使EMIB基板结构存在硅桥应力分布不均的问题，进而导致基板结构具有开裂的可靠性风险的问题。该基板结构包括：基板和硅桥结构。基板具有容纳槽，硅桥结构设置于容纳槽内。绝缘层覆盖于硅桥结构和基板上，部分绝缘层用于将硅桥结构埋入基板内。多个基板焊盘位于绝缘层的表面。硅桥结构包括：硅桥和粘结层。硅桥具有硅桥布线，粘结层设置于硅桥，且位于背离硅桥布线的一面。粘结层的材质和绝缘层的材质相同，硅桥通过粘结层与基板连接。
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公开(公告)号：CN118173507A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410302177.0
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/18 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种封装芯片，包括：热沉，热沉适用于对芯片进行热传导；热界面材料层，设置在芯片和热沉之间，适用于将芯片产生的热量通过热界面材料层传导至热沉；框架，框架包覆芯片和热沉，以将芯片和热沉固定在框架中，并且热沉穿过框架与外部冷源相连通；其中，框架内填充有第一填充物，框架和第一填充物适用于对芯片进行热隔绝；框架的热导率小于1W/mK；第一填充物的热导率小于0.5W/mK。
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