一种利用邻对位醛基取代的芳基酚检测过氧化物的方法

    公开(公告)号:CN104596954A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201410756494.6

    申请日:2014-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种利用邻对位醛基取代的芳基酚检测过氧化物的方法,包括:制备邻对位醛基取代的芳基酚,然后配制等摩尔比邻对位醛基取代的芳基酚与脂肪族胺的复合物的溶液,将溶液涂到基底表面,挥发除去溶剂即得传感薄膜;将传感薄膜置于过氧化物蒸气氛围中,同时检测光谱信号的变化,即实现对过氧化物的检测。本发明检测方法简单、快速,无需催化剂,解决了材料本身的溶解性和稳定性问题,使薄膜的制备更容易,该传感薄膜可检测低到1ppt的过氧化物蒸气,有望在相应的环境污染、公共安全领域等到广泛应用,同时在相关传感材料的设计方面具有指导意义。

    一种可检测仲胺的化合物及其制备和应用

    公开(公告)号:CN103694269A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201310613296.X

    申请日:2013-11-27

    Abstract: 本发明涉及一种可检测仲胺的化合物及其制备和应用,该化合物含有硼酯及与其通过共轭结构相连氟硼吡咯结构单元其结构通式如(I)所示,其中R1和R2各自独立的选自苯、萘、蒽、芘、咔唑、三苯胺、连二萘、噻吩、喹啉、咪唑、罗丹明;其制备方法简单、产率高、易分离、纯度高。本发明的化合物结构新颖,对仲胺的检测快速灵敏,其与仲胺发生作用时,薄膜的颜色由红色变为紫色,且荧光发生淬灭;由该类化合物制备的试纸和薄膜与仲胺作用后,在几分钟内颜色和荧光均发生明显改变,肉眼可见,可以十分方便地对仲胺进行鉴别。

    高透光基体上复合微纳结构阵列、方法及其应用

    公开(公告)号:CN101544348B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN200910049955.5

    申请日:2009-04-24

    Abstract: 高透光基体上复合微纳结构阵列、方法及其应用,其特征在于以高透光基体上的导光材料微纳结构阵列作为检测用荧光共轭聚合物的支撑结构。首先在石英等高透光材料基体上制备导光材料的微纳结构阵列及二次结构阵列,然后将对特定被分析物有传感性能的荧光共轭聚合物包覆到纳米结构基体的表面形成复合微纳结构阵列,用于目标物检测。本发明将不同导光材料微纳结构阵列用作荧光共轭聚合物的附着基底,利用微纳结构大比表面积、倏逝波效应、微谐振腔作用等,提高检测灵敏度、信号强度、延长使用寿命和提高重复利用性能。本发明可应用于固体、液体及气体分子的特异性和高灵敏度检测。

    荧光共轭聚合物与有机金属配合物复合传感材料及应用

    公开(公告)号:CN101864294A

    公开(公告)日:2010-10-20

    申请号:CN201010196198.7

    申请日:2010-06-09

    Abstract: 本发明涉及一类有机金属配合物与荧光共轭聚合物构建的复合传感材料、制备方法及应用,其特征在于所述的复合传感材料由荧光共轭聚合物和有机金属配合物组成;通过物理直接混合时,荧光共轭聚合物与有机金属配合物二者的摩尔比范围为1000∶1~100∶1;其中,荧光共轭聚合物为给体,有机金属配合物为受体,二者之间必须能发生电荷转移或能量转移。荧光共轭聚合物与有机金属配体二者的配比为300∶1-500∶1。所述的复合传感材料可以采用物理直接混合或共价键相连方法制备。所提供的材料包括环境污染物、毒品、化学物质和生物物质等。尤其是化学物质中的爆炸物、毒品和生物物质中的蛋白质、核酸等。

    一种液-液萃取装置及萃取方法

    公开(公告)号:CN100528276C

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200710041620.X

    申请日:2007-06-05

    Abstract: 本发明涉及了一种液-液萃取装置及萃取方法,其特征在于所述的装置由圆盘部件和驱动马达构成;其中圆盘部件(1)包含两个或两个以上的微管道网络单元;所述的微管道网络单元在圆盘上以圆盘圆心为基点呈圆形阵列排布;每个微管道网络单元靠近圆心的一端连接至少两个微池;每个微管道网络单元远离圆心的一端连接一个微池;每个微管道网络单元远离圆心端所连接小池的体积大于其靠近圆心端所连接所有小池的体积之和;每个微管道网络单元包含至少一个T型分叉结构。本发明提供的方法系利用离心方式进行乳化和破乳,具有萃取速度快、效率高的特点,其装置结构简单,易于实现自动化。本发明可应用于分析化学、食品工业、生物医药等领域。

    一种狭缝装置制作方法
    87.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100483161C

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200710039450.1

    申请日:2007-04-13

    Abstract: 本发明涉及一种狭缝装置及其制作方法,其特征在于所述的狭缝装置是由位于中心的狭缝芯片和狭缝芯片辅助装置两部分构成,狭缝芯片安放在狭缝芯片辅助装置的中空结构中,狭缝芯片中心含有一定大小的狭缝,狭缝芯片铺助装置固定狭缝芯片。所述的狭缝是通过腐蚀工艺在硅衬底中间形成的,其尺寸由掩膜版曝光尺寸决定,改变掩膜版曝光尺寸可制成不同尺寸的狭缝。所述的狭缝芯片辅助装置是通过四角打孔螺钉对狭缝芯片进行夹持固定的。其制作方法包括狭缝芯片的整体设计、制作以及组装三步。所涉及的狭缝装置可依实际需要制作,便于光学检测仪器的微型化。

    一种三维植入式微电极阵列的制作方法

    公开(公告)号:CN100431487C

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200710036837.1

    申请日:2007-01-25

    Abstract: 本发明涉及了一种三维植入式微电极阵列的制作方法,特征在于直接采用商品化的金属丝作为电极材料,并将金属丝嵌入利用微细加工技术制作的模具基片的微细凹槽中,一方面利用模具基片上的微细管道通过电化学腐蚀方法实现金属丝的定点断裂,并在断面处形成尖端;另一方面通过在模具基片上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS),利用聚合后的PDMS形成夹持金属丝电极的底座支撑部分;然后将包含金属丝的PDMS从模具基片上剥离切割,通过氧等离子轰击后叠加键合在一起组装成三维微电极阵列。本发明提供了一种加工简单、成本低廉的三维植入式微电极阵列制作方法,可用于加工制作进行神经疾病治疗、神经康复以及神经生物学基础研究的植入式微电极阵列。

    一种三维植入式微电极阵列的制作方法

    公开(公告)号:CN101006920A

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:CN200710036837.1

    申请日:2007-01-25

    Abstract: 本发明涉及了一种三维植入式微电极阵列的制作方法,特征在于直接采用商品化的金属丝作为电极材料,并将金属丝嵌入利用微细加工技术制作的模具基片的微细凹槽中,一方面利用模具基片上的微细管道通过电化学腐蚀方法实现金属丝的定点断裂,并在断面处形成尖端;另一方面通过在模具基片上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS),利用聚合后的PDMS形成夹持金属丝电极的底座支撑部分;然后将包含金属丝的PDMS从模具基片上剥离切割,通过氧等离子轰击后叠加键合在一起组装成三维微电极阵列。本发明提供了一种加工简单、成本低廉的三维植入式微电极阵列制作方法,可用于加工制作进行神经疾病治疗、神经康复以及神经生物学基础研究的植入式微电极阵列。

    高速大动态范围磁场测量系统

    公开(公告)号:CN114442007B

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202210110472.7

    申请日:2022-01-29

    Abstract: 本发明提供一种高速大动态范围磁场测量系统,包括:捷变射频源,基于频率控制字产生中频信号;混频器连接中频信号及本振信号,输出射频信号;磁场检测模块,对磁场进行检测产生荧光信号及对应的数字电信号;锁相解调模块,输出荧光解调信号;闭环锁频模块,基于荧光解调信号跟踪计算当前周期相对于上一周期的微波频率移动量及磁场大小变化量,得到当前周期的微波中心频率及磁场大小,并将微波频率移动量转换为频率控制字以更新中频信号的频率。本发明将顺磁共振传感器从传统的小磁场测量拓展到大的动态范围;通过快速反馈跟踪,提高了磁测量速度,增强了在不同场强下磁测量的适应性。

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