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公开(公告)号：CN104192835A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410466181.7
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的影响，能有效避免相邻存储单元工作时的串扰问题。本发明的石墨烯闪存存储器的工艺简单，操作简便，在低功耗下便能实现石墨烯闪存存储器数据快速的写入擦除及读取功能。
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公开(公告)号：CN103143057B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110448776.6
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/生物活性干凝胶及其制备工艺与应用。其组分包括石墨烯和生物活性干凝胶，所述生物活性干凝胶包含如下摩尔百分含量的组分：CaO25~80mol%，SiO20~70mol%，B2O30~70mol%，P2O52~10mol%；所述石墨烯的含量为0.0024-0.024wt%。本发明将石墨烯引入生物活性干凝胶中，使其矿化时间从正常的7-30天缩短到0.5到5小时；所用的溶胶凝胶制备工艺可以彻底避免高温合成过程，从而满足了与药物、细胞或生长因子复合制成具有骨组织生长促进和治疗功能的生物医用修复或填充材料的要求。
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公开(公告)号：CN103774113A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410062801.0
申请日：2014-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明提供一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括如下步骤：先制备铜镍合金箔作为衬底，将所述衬底置于压强为20～5000Pa的化学气相沉积腔室中，使所述衬底的温度保持在950～1090℃，并通入温度为50～100℃的源物质，同时通入保护气体生长10分钟～3小时，从而在所述铜镍合金箔衬底表面制备形成六方氮化硼薄膜。该方法通过控制生长参数可以在铜镍合金衬底上制备不同尺寸六方氮化硼晶畴以及不同厚度的连续膜。制备的六方氮化硼晶畴边长最大可达上百微米，而且结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼薄膜在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。
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公开(公告)号：CN103642494A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310740394.X
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种荧光碳基量子点的制备方法，所述荧光碳基量子点的制备方法至少包括：提供氧化的碳基量子点粉体；提供溶剂，并将所述氧化的碳基量子点粉体分散在所述溶剂中，得到氧化的碳基量子点溶液；在所述氧化的碳基量子点的溶液中加入掺杂剂，利用溶剂热反应使所述氧化的碳基量子被还原，以得到被掺杂的碳基量子点。本发明以氧化处理后的碳基量子点为原料，由溶剂热还原与掺杂同步进行的技术方案，采用多种易得的非金属化合物或金属化合物通过溶剂热反应对以石墨烯量子点及碳量子点为代表的碳基量子点进行还原和掺杂，产物的产率高，实现碳基量子点荧光光谱的调控，并提高量子产率。
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公开(公告)号：CN102392225B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110206608.6
申请日：2011-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/186 , C01B2204/065
Abstract: 本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨烯纳米带。本发明利用了石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子过饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。主要应用于新型石墨烯光电器件领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103265020A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310200476.5
申请日：2013-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种宏量制备石墨烯量子点粉体的方法，本方法从天然鳞片石墨出发，分三步实现宏量制备粉状石墨烯量子点：第一步将天然鳞片石墨转变为石墨纳米颗粒，第二步将石墨纳米颗粒转变为一阶插层纳米氧化石墨，第三步将一阶插层纳米氧化石墨置于非密封有盖坩埚中，在空气中热处理获得石墨烯量子点粉体；本发明方法以价格低廉的天然鳞片石墨为原料，结合可以量产的球磨粉碎和插层技术、以及独特的热处理工艺，实现了从插层纳米氧化石墨颗粒到石墨烯量子点粉体的100%转变，突破了目前只能在溶液中获取量子点的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN102353911B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110254095.6
申请日：2011-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035 , G01R15/00
Abstract: 一种基于扰动补偿的环境场下高灵敏度磁测量装置及实现方法，该方法包括：由第二积分器、低通滤波器、第二反馈电阻和反馈线圈构成的第二反馈支路和基于该支路形成的第二磁通锁定环路，实现环境磁场低频扰动补偿。基于该方法构建的超导磁传感器可同时实现对环境场的高通响应频率特性和对电路噪声的低通响应频率特性，保证在不影响微弱信号测量的前提条件下，抑制环境场扰动对SQUID磁测量的影响，避免溢出现象发生。该方法基于超导磁传感器，适用于待测磁场信号频率高于环境场扰动频段(直流-30Hz)的应用环境。
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公开(公告)号：CN103245424A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210024730.6
申请日：2012-02-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法及装置，所述SNSPD系统包括SNSPD器件和偏置树；所述偏置树具有DC端口、DC&RF端口、RF端口；所述偏置树的DC&RF端口与SNSPD器件的一端相连，SNSPD器件的另一端接地；所述提高SNSPD系统抗电干扰能力的方法为：在所述DC端口与SNSPD器件的接地端之间连接一电阻。本发明操作简单，不改变器件结构，不需要增加滤波电路或屏蔽，仅需并联适当阻值的电阻就能提高系统抗电干扰能力，成本低；不改变探测电脉冲信号的形状、幅度与宽度；不会形成反射脉冲从而影响器件性能；不影响探测系统的暗计数率及量子效率。
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公开(公告)号：CN103241728A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210032772.4
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供了一种制备石墨烯纳米孔阵列的方法，包括以下步骤：1）将碳源溶液涂敷在多孔阳极氧化铝模板的表面；2）将步骤1）所获得的表面涂有碳源的多孔阳极氧化铝模板压在金属基底表面，剥离所述多孔阳极氧化铝模板，使碳源保留在所述金属基底表面并使碳源保留与所述多孔阳极氧化铝模板表面一致的图案；3）将步骤2）所获得的金属基底于氢气和氩气的混合气流下进行退火处理，将碳源转变为石墨烯纳米孔阵列。本发明所得到的纳米孔阵列是联系的纳米孔阵列结构，并非单个或几个纳米孔；纳米孔孔径可以通过PAA本身的模板效应来调节，也可以通过后期的生长和刻蚀进一步调节，因此，孔径的可控性非常优异。
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公开(公告)号：CN102994976A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110266477.0
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法，提供了一种用于层数连续可调的石墨烯的多元衬底，它包括：金属基底，所述金属基底为低溶碳金属M1，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中0＜x＜0.5；采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法覆盖在所述金属基底上的金属薄膜，所述金属薄膜为至少一层高溶碳金属M2，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中1＞x＞0.5；其中，M1为Cu，M2选自Ru、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、V、Rh、Pd、Co、lr、Pt、Mo、W、Zn或其组合。还提供了基于该多元衬底的层数连续可调的石墨烯，以及它们的制备方法。
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