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公开(公告)号：CN102994976B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110266477.0
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法，提供了一种用于层数连续可调的石墨烯的多元衬底，它包括：金属基底，所述金属基底为低溶碳金属M1，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中0＜x＜0.5；采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法覆盖在所述金属基底上的金属薄膜，所述金属薄膜为至少一层高溶碳金属M2，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中1＞x＞0.5；其中，M1为Cu，M2选自Ru、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、V、Rh、Pd、Co、lr、Pt、Mo、W、Zn或其组合。还提供了基于该多元衬底的层数连续可调的石墨烯，以及它们的制备方法。
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公开(公告)号：CN102994976A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110266477.0
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法，提供了一种用于层数连续可调的石墨烯的多元衬底，它包括：金属基底，所述金属基底为低溶碳金属M1，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中0＜x＜0.5；采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法覆盖在所述金属基底上的金属薄膜，所述金属薄膜为至少一层高溶碳金属M2，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中1＞x＞0.5；其中，M1为Cu，M2选自Ru、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、V、Rh、Pd、Co、lr、Pt、Mo、W、Zn或其组合。还提供了基于该多元衬底的层数连续可调的石墨烯，以及它们的制备方法。
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公开(公告)号：CN110127652A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910408208.X
申请日：2019-05-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂碳材料及其制备方法和在超级电容器中的应用，该氮掺杂碳材料的制备方法包括：（1）以无水乙醇作为溶剂，加入锌盐、表面活性剂、吡咯、正硅酸乙酯和稀盐酸并混合，得到溶胶，所述锌盐为硝酸锌、和醋酸锌中的至少一种；（2）将所得溶胶静置规定时间后，再经干燥处理，得到凝胶；（3）将所得凝胶在700℃～1100℃下进行热处理后，再经刻蚀和清洗，得到所述氮掺杂碳材料。
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公开(公告)号：CN103219066A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210017879.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种二维石墨烯与一维纳米线复合的柔性导电薄膜及其制备方法。所述制备方法包括：将石墨烯、纳米线与分散助剂分散到溶剂中，超声震荡，得到分散良好的石墨烯/纳米线溶液，经真空抽滤、干燥后，得到石墨烯/纳米线复合薄膜。所述复合薄膜厚度为10nm-1000μm，有良好的强度和柔性，方块电阻在0.001-3000Ω/sq.范围内，电导率为0.01-5000S/cm。本发明得到的石墨烯/纳米线复合薄膜具有良好的强度、柔性和导电性，厚度可控、形状可剪裁，并且制备过程简单，易于操作，制备成本低，适合于太阳电池、储能、散热、催化、传感及导电复合材料领域。
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公开(公告)号：CN103213970A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210016253.9
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种高质量石墨烯粉体和石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其包括：利用氢氧火焰快速加热的方法分解有机物产生高活性碳原子，然后由活性碳原子在绝缘或催化剂衬底上重构成石墨烯。本发明可以在绝缘衬底上直接生长高质量的石墨烯，并且通过超声等方法可以得到无衬底支撑的高质量石墨烯粉体。与传统的用化学剥离法得到的石墨烯相比，本发明操作简单，成本低廉，可得到缺陷少、导电性好、质量高的石墨烯。本发明还可在催化剂薄膜衬底上制备高质量的石墨烯透明导电薄膜，其质量和导电性接近于传统CVD法的最优值。本发明制备得到的石墨烯可在光电器件如铜铟镓硒、碲化镉、染料敏化等太阳能电池，平板显示、超级电容器、场发射材料、锂离子电池等领域中有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102842354A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110165401.9
申请日：2011-06-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01B1/24 , H01B13/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明属于纳米复合材料领域，具体涉及一种新型的三维网络结构石墨烯基背电极材料及其制备方法。特征在于本发明所述制备方法采用具有三维连续孔结构的金属模板作为催化剂，利用化学气相沉积法生长石墨烯，石墨烯层数为1-20，采用刻蚀液和有机溶剂去除金属模板和支撑材料，获得三维连续石墨烯网络结构，之后将上述石墨烯网络与粘结剂复合获得三维网络结构石墨烯基背电极材料。本发明工艺简单，过程易控制，导电性能优异，制备成本低，适合于CdTe和多晶硅等太阳能电池领域。
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公开(公告)号：CN114068197A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010783430.0
申请日：2020-08-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种改性电极及其制备方法和应用，所述改性电极包括：负载有碳基活性物质的集流体作为电极，以及包覆在所述电极表面的聚合物薄膜；所述聚合物薄膜是由小分子有机物单体通过电化学法原位聚合而成；所述小分子有机物单体至少包含一个碳碳双键和一个含有杂原子的基团，其中含有杂原子的基团选自羧基、羟基、羰基、醛基、磺酸基、磷酸基、硝基、氨基、巯基、酰胺基、酯基、卤代基团和氰胺基中的至少一种。
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公开(公告)号：CN103214032B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310153657.7
申请日：2013-04-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01G23/047
Abstract: 本发明涉及一种氢等离子体辅助氢化制备黑色二氧化钛的方法，所述方法包括：将二氧化钛置于密闭系统，抽真空使所述密闭系统的压力小于30Pa；向所述密闭系统通入氢气和氩气的混合气氛；加热所述二氧化钛，调节所述混合气氛的流量以使所述密闭系统中的压力为50～500pa；开启射频电源以产生活性氢等离子体处理所述二氧化钛规定的时间，其中利用所述射频电源电离氢气分子以产生活性氢等离子体用于还原所述二氧化钛而得到黑色二氧化钛。
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公开(公告)号：CN103382026A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210134577.2
申请日：2012-05-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种高质量石墨烯的低成本宏量制备方法，该方法包括使石墨与添加物发生局部或插层反应，其边界官能团化或形成插层石墨，再由球磨或者超声方法剥离石墨得到石墨烯。本发明得到的石墨烯具有水溶性，可以形成良好的石墨烯水溶胶。与传统的用化学剥离法得到的石墨烯相比，本发明操作简单，成本低廉，可得到缺陷少、导电性好、质量高的石墨烯，可宏量制备。本发明制备得到的石墨烯可在光电器件如铜铟镓硒、碲化镉、染料敏化等太阳能电池，平板显示、超级电容器、场发射材料、锂离子电池等领域中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102176338A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110057896.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01B1/02 , H01B1/04 , H01B13/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种复合导电材料，所述复合导电材料为石墨烯/铜纳米线复合导电材料，包括：石墨烯、铜纳米线和粘接剂；其中铜纳米线占石墨烯重量的重量分数为1％-99％，所述粘接剂占石墨烯/铜纳米线总重量的重量分数为1％-50％；所述石墨烯层数为1～20，石墨烯面积大小为1～2500μm2；所述铜纳米线的长径比为10～10000。本发明还提供所述复合导电材料的制备方法以及含有该复合导电材料的背电极。本发明提供了一种低成本、电学性能优异、可大规模生产的复合导电材料。
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