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公开(公告)号：CN102994976B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110266477.0
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法，提供了一种用于层数连续可调的石墨烯的多元衬底，它包括：金属基底，所述金属基底为低溶碳金属M1，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中0＜x＜0.5；采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法覆盖在所述金属基底上的金属薄膜，所述金属薄膜为至少一层高溶碳金属M2，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中1＞x＞0.5；其中，M1为Cu，M2选自Ru、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、V、Rh、Pd、Co、lr、Pt、Mo、W、Zn或其组合。还提供了基于该多元衬底的层数连续可调的石墨烯，以及它们的制备方法。
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公开(公告)号：CN102994976A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110266477.0
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法，提供了一种用于层数连续可调的石墨烯的多元衬底，它包括：金属基底，所述金属基底为低溶碳金属M1，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中0＜x＜0.5；采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法覆盖在所述金属基底上的金属薄膜，所述金属薄膜为至少一层高溶碳金属M2，或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x，式中1＞x＞0.5；其中，M1为Cu，M2选自Ru、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、V、Rh、Pd、Co、lr、Pt、Mo、W、Zn或其组合。还提供了基于该多元衬底的层数连续可调的石墨烯，以及它们的制备方法。
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公开(公告)号：CN101567395B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910051996.8
申请日：2009-05-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , C23C14/34
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法。本发明在n型ZnO基透明导电薄膜的膜面形成大量排列规则、结构均匀、连通良好且具有一定深度的微孔结构。这种表面织构化的薄膜具备良好的光捕获性能，且同时具有高的电导率。这种利用直流磁控连续溅射制备的表面织构化高性能n型ZnO基透明导电薄膜，其工艺简单，质量易于监控，适于大规模生产；可保持本体膜良好的柱状晶结构，孔与孔之间连通完好，保持了ZnO基膜的高电导率；织构表面上的微孔，无论是均匀性还是重复性都是传统使用的上述两种方法无法比拟的，且孔的深度和直径在一定范围内可控；膜层在可见光区平均透过率达到90％以上，迁移率最高达35.4cm2/V·S，电阻率达到1.003×10-4Ω·cm，方块电阻达到0.9Ω/□。
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公开(公告)号：CN102312192A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010217130.2
申请日：2010-06-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供了一种籽晶层辅助的表面织构化氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。本发明借助衬底上氧化锌籽晶层或掺杂氧化锌籽晶层的辅助，将掺杂氧化锌薄膜沉积过程中同时发生的成核/生长过程分离成两个独立的阶段，即形成高定向、致密籽晶层和以该籽晶层为起始晶核快速生长出表面粗糙的织构化薄膜。本发明制备的氧化锌薄膜具有独特特点的高度织构化表面(更好的陷光或光捕获效应)，其透明导电性能远优于同类文献报道。本发明简单易行、制造成本低，适于大规模生产，能与太阳电池制备工艺匹配，在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101567395A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910051996.8
申请日：2009-05-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , C23C14/34
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法。本发明在n型ZnO基透明导电薄膜的膜面形成大量排列规则、结构均匀、连通良好且具有一定深度的微孔结构。这种表面织构化的薄膜具备良好的光捕获性能，且同时具有高的电导率。这种利用直流磁控连续溅射制备的表面织构化高性能n型ZnO基透明导电薄膜，其工艺简单，质量易于监控，适于大规模生产；可保持本体膜良好的柱状晶结构，孔与孔之间连通完好，保持了ZnO基膜的高电导率；织构表面上的微孔，无论是均匀性还是重复性都是传统使用的上述两种方法无法比拟的，且孔的深度和直径在一定范围内可控；膜层在可见光区平均透过率达到90％以上，迁移率最高达35.4cm2/V·S，电阻率达到1.003×10－4Ω·cm，方块电阻达到0.9Ω/□。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101660121B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910195702.9
申请日：2009-09-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供了一种阴阳离子共掺的n型氧化锌基透明导电薄膜，所述掺杂的阳离子为高价阳离子Mn+，n为3、4、5或6；所述掺杂的阴离子为低价阴离子Xm-，m＝1。本发明采用高真空磁控溅射技术(High-vacuum Magnetron Sputtering)，利用高价阳离子和低价阴离子双重促进氧化锌薄膜的n型透明导电性能，制备出高性能的阴阳离子共掺氧化锌多晶薄膜。含低价阴离子的化合物作为助熔剂还可以促进氧化锌基多晶薄膜的结晶，提高薄膜的可见透光性和电子导电性性能。本发明获得的高性能氧化锌基透明导电薄膜制备工艺简单，可见透明和导电性能优越，成本低廉，在太阳能电池和光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102585776A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019839.0
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C09K5/06
Abstract: 本发明的课题是提供一种三维石墨烯/相变储能复合材料及其制备方法。解决的手段是，石墨烯与相变储能材料原位复合，其中以具有三维结构的多孔石墨烯作为导热体和复合模板，以固-液相变的有机材料作为储能材料和填充剂。三维多孔石墨烯与相变材料复合，相变储能材料被分隔在各个孔腔，与石墨烯壁紧密结合，有效热接触面积大幅度提高，高度联通的石墨烯三维导热网络通道将快速实现系统换热。另一方面，多孔石墨烯的毛细吸附力将液态相变储能材料局域化，可有效防止渗流。因此三维石墨烯泡沫拥有较好的可设计性，成为更轻和更高效的电子器件散热材料。
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公开(公告)号：CN102995119B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110266167.9
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，涉及一种新型的大尺寸六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法。所述制备方法包括采用金属单质及其多元合金作为催化剂，利用化学气相沉积法制备六角形石墨烯单晶畴。石墨烯单晶畴为双层结构，其质量优异，双层覆盖率90％以上。本发明工艺简单，过程易控制，适合于晶体管和光调制器等微纳米电子及光子器件领域。
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公开(公告)号：CN102181825B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110058098.2
申请日：2011-03-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种TiO2基透明导电膜，所述导电膜包括：衬底层，所述衬底为普通玻璃、石英玻璃、陶瓷基板、SrTiO3(STO)或LaAlO3(LAO)衬底；籽晶层，所述籽晶层为具有锐钛矿结构的TiO2籽晶层或具有锐钛矿结构的掺杂TiO2籽晶层；所述籽晶层的厚度为20nm～250nm；在所述籽晶层上利用该籽晶层诱导生长的掺杂TiO2覆盖层；所述覆盖层中掺杂元素总量为Ti元素的0.25mol％～20mol％，所述掺杂TiO2的掺杂元素包括Nb、Ta、V、Sc、Zr、Hf、Cr、Mo和W中的一种或几种；其中，所述籽晶层和所述覆盖层的总厚度为600nm～3.0μm。本发明还提供所述TiO2基透明导电膜的制备方法以及含有所述所述TiO2基透明导电膜的器件。
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公开(公告)号：CN102583340A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019931.7
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明的课题是提供一种低温气相还原的高导电石墨烯材料的制备方法。制备方法利用具有高温区和低温区的多温区加热设备，通过将具有氧化石墨烯的低温区和具有还原剂的高温区加热至一定的温度，还原出高导电石墨烯。本发明的高导电石墨烯材料的制备方法，在低温条件下，实现氧化石墨烯在较低的温度下快速、高效还原，低温气相反应保持了氧化石墨烯较完整的结构，从而制备出高导电的石墨烯粉或石墨烯纸和高透光、高导电的石墨烯薄膜。本发明制备的石墨烯材料导电性、力学强度和柔韧性良好，可有效地解决现有高温热处理或低温液相化学还原方法破坏石墨烯结构的瓶颈问题。
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