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公开(公告)号：CN101642893B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910194558.7
申请日：2009-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不锈钢衬底的精密抛光方法，包括：按比例配制抛光液；将待抛光的不锈钢衬底5固定于抛光头4底部，加压装置7将抛光头4作用于抛光台6上，并且抛光台6、抛光头4在转动装置带动下旋转，同时抛光液2被输送至抛光垫1表面，使抛光液2、抛光垫1及不锈钢衬底5三者充分接触；将不锈钢衬底5表面进行化学机械抛光至表面完全成镜面，立即清洗即可。经本发明抛光后的不锈钢衬底，其表面平整光滑，均方根粗糙度仅0.7纳米，克服了其他抛光方法所无法满足的平坦度及粗糙度的要求。
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公开(公告)号：CN101372560B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810201230.9
申请日：2008-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法，用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO2磨料稀释成浓度10％(质量分数)以下，作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入水解，然后加入酸在90-100℃陈化，制得酸性AlOOH溶液。将水玻璃稀释到10％以下，通过强阳离子交换树脂，制得活性硅酸。最后按照粒子生长法将制得的AlOOH溶液和硅酸滴入到硅溶胶中，加入一定量碱，控制pH值在8-11之间，恒温加热并剧烈搅拌，陈化2小时。硅基上生长的铝硅复合物中，硅铝的原子比例可以按照AlOOH和活性硅酸的比例控制。制得的磨料能够扩展磨料存在的pH值范围；提高化学机械抛光的应用范围；能够改善表面化学性质。
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公开(公告)号：CN101462729B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200810204996.2
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/32
Abstract: 本发明公开了一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃生产方法，包括下列步骤：在加有去离子水的容器中，加入水可溶性碱溶解，然后加入工业硅粉，常压下逐渐升温，反应温度控制在40-100℃，随反应产生的气体排出的水蒸汽经冷却回流至反应容器内，反应结束后，冷却，经过滤或沉降后获得水玻璃水溶液。本发明的工艺制得的水玻璃可用作生产超纯硅溶胶的原料，有效降低了超纯硅溶胶的生产成本。
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公开(公告)号：CN101671538A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196101.X
申请日：2009-09-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法，包括下列步骤：1)在硅溶胶中加入有机添加剂，搅拌溶解，而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液；2)将分散液置于带有聚四氟内衬的高压釜中，密封后，加热反应；3)反应完毕后离心分离、提纯、烘干，最终制得氧化硅/氧化铈复合磨粒。采用本发明制得的氧化硅/氧化铈核壳复合磨料中没有均相成核的氧化铈粒子，该复合磨粒适用于超大规模集成电路和玻璃的化学机械抛光，其优点是有效提高抛光去除率和选择比，并可以降低表面的粗糙度，消除划痕等缺陷。
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公开(公告)号：CN100582002C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710040302.1
申请日：2007-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种无碲存储材料、制备方法及应用。其特征在于所述的存储材料为硅-锑混合物，组成通式为SixSb100-x，0＜x＜90，优先推荐组成为5≤x≤70。所述的材料在外部能量作用下为电驱动、激光脉冲驱动或电子束驱动。通过调整这种材料中两种元素的组份，可以得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。所提供的材料体系具备如下优点：较好的可调性、较强的数据保持能力、较简单的成份和制备工艺、对半导体设备没有污染、较好的可加工性、环境友好性等，具有广阔的应用前景。硅-锑合金材料是用于存储器的理想存储介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101597066A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910054211.2
申请日：2009-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子及光电子材料技术领域，具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括：将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液；弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得的硅胶体晶种尺寸大，可达10～30nm；且浓度高，胶体颗粒质量百分比浓度范围是10％～20％。本发明制备的大粒径高浓度的硅溶胶晶种可用于制备更大粒径和更高浓度的硅溶胶研磨颗粒胶体水溶液，且该制备方法具有节能、高效和方便的优点。
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公开(公告)号：CN101465324A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810204987.3
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L27/24
Abstract: 本发明揭示一种实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法，该方法首先采用室温等离子体活化键合技术将有外围电路的硅片与外延了pn结的SOI片键合；并在150℃－400℃下低温退火，以加强键合强度；然后用KOH溶液腐蚀掉SOI片的体硅部分，并且腐蚀自动停止在埋氧层，用稀释的HF酸溶液漂掉埋氧层，从而使pn结外延层转移到有外围电路的硅片上，在硅外延层上沉积阻挡层、相变材料，最后通过反应离子刻蚀得到想要的单元器件结构，该结构适用于高密度、高速存储。本发明通过室温等离子活化键合技术使得在低于400℃的退火条件下即可得到较强的键合强度，避免了硅片上已有的电路结构受到高温退火的影响而引起的性能衰变。
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公开(公告)号：CN100440535C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510026541.2
申请日：2005-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L27/105 , H01L27/24 , H01L21/336 , H01L21/8239
Abstract: 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、漏上制备10-100nm的引出电极，这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可逆相变电阻，一个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的集成，可有效提高相变存储器的集成度。
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公开(公告)号：CN101299454A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810038907.1
申请日：2008-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米复合相变材料的制备方法。特征在于利用相变材料中各个原素之间不同的化学性能，在相变材料制备过程中通入适量反应气体，使相变材料中的一种或者多种元素在材料生长过程中优先与反应气氛反应并形成固体化合物，与反应剩余相变材料形成复合材料：化合物将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、微小的区域，从而把相变材料的相变行为限制在小区域内，减小了相变材料的晶粒；同时因为形成的固体化合物与相变材料间“取长补短”，充分弥补了单一材料的缺点，产生了单一材料所不具备的优越的性能。纳米复合相变材料应用到相变存储器中，不仅提升了相变存储器的加热效率，降低了器件的功耗，而且又提高了器件存储速度、数据保持能力等。
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公开(公告)号：CN101236780A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810033924.6
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56 , G11C16/02 , H01L27/115
Abstract: 本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。为了最大限度的利用存储器面积，本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存储阵列能够布满整个存储芯片是本发明最大的优势之处。为了实现上述优势，本发明首先对存储阵列下的外围电路作一合理分割，其次对分割后的外围电路相互控制问题提出一套解决方案，最后基于上述两点提出了外围电路的拼接方案。以此在电路设计层面彻底实现三维立体结构相变存储芯片。
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