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公开(公告)号：CN117894830A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311717119.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理，得到氧终端。去除目标区域的保护层，并在氧终端的遮蔽下，在目标区域外延生长氮化铝，制备得到金刚石氮化铝异质结的导电沟道。在目标区域的氮化铝遮蔽下，对目标区域之外的氧终端进行氢等离子体处理，得到氢终端的导电沟道。在氢终端的导电沟道上制备源电极、漏电极，在氮化铝上制备栅电极，得到场效应晶体管。本发明避免了现有方式刻蚀深度难以控制、难以刚好刻蚀至异质结导电沟道上的问题，降低了器件制备难度。
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公开(公告)号：CN113933906B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202111350561.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心磁力探测模块及磁力探测系统。该金刚石NV色心磁力探测模块包括：连接有光纤的金刚石NV色心系综薄片、分别设置在金刚石NV色心系综薄片上下表面的磁通量聚集模块以及微波天线模块；金刚石NV色心系综薄片的侧面设有凹槽，光纤设于凹槽内；在金刚石NV色心系综薄片的表面溅射有镜面全反射镀层、且镜面全反射镀层避开凹槽；微波天线模块至少设置两个，分别设于金刚石NV色心系综薄片与磁通量聚集模块之间，微波天线模块用于与微波源连接；其中，金刚石NV色心系综薄片在激光和微波源的激发下产生的荧光，经过镜面
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公开(公告)号：CN111599747B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010386841.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法，该方法包括：在蓝宝石衬底的正面制备刻蚀阻止层，采用预设波长的激光在所述蓝宝石衬底的背面的预设位置将所述蓝宝石衬底打通，制备通孔；在制备通孔后的蓝宝石衬底的刻蚀阻止层上完成正面工艺，得到MMIC芯片，将所述MMIC芯片上所述通孔对应的刻蚀阻止层去除，制备完成通孔，这样制备通孔的方法对正面工艺制备的介质层或者器件等不会造成破坏，且制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN111599680B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010387480.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构金刚石肖特基结型场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，包括：在重掺杂P型金刚石衬底的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层；在缓冲层的上表面生长重掺杂p型金刚石外延层；光刻源区图形，刻蚀出柱状源区和垂直沟道；光刻出源区图形窗口，淀积源极金属，形成源电极；在重掺杂P型金刚石衬底的背面淀积漏极金属，形成漏电极；沉积栅极钝化层；光刻出栅形貌，淀积栅金属，剥离形成栅电极；淀积器件钝化层；光刻制作电极图形。本发明采用P+/P‑/P+结构形成开关器件，在高掺杂p型金刚石衬底的背面形成漏极欧姆接触；中间缓冲层采用低掺杂p型金刚石，栅极采用肖特基接触，提高了开关频率。
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公开(公告)号：CN114686971B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210213400.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C30B25/00 , C30B29/04 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供了一种MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法，属于气相沉积技术领域，包括：钼托底座以及分体的钼环，钼环层叠置于钼托底座上，且其外表面不凸出于钼托底座的外表面，钼环具有外接于金刚石衬底的通孔。本发明提供的MPCVD单晶金刚石生长钼托，能够解决金刚石衬底与卡槽侧壁的面面接触导致散热不均、结碳层难于清理、及金刚石衬底移动的问题。钼托结构简单，便于操作，在金刚石生长过程中，散热均匀，成本低廉，便于清洁，解决了在单晶金刚石生长时存在的一系列问题，对于研究高质量单晶金刚石的生长具有重大意义。
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公开(公告)号：CN114540952B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210051168.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，属于异质外延金刚石制备技术领域，包括以下步骤：以MgO衬底为基础衬底，通过光刻和刻蚀制备金字塔形状的MgO衬底，并通过高温溅射将金属Ir结合，形成Ir/MgO复合衬底，通过在Ir/MgO复合衬底上完成异质外延金刚石的生长，最后，Ir/MgO复合衬底连同外延金刚石一并从高温状态快速降温，利用Ir/MgO复合衬底和外延金刚石热膨胀系数的不同，使二者脱离，以完成异质外延金刚石的制备，并达到Ir/MgO复合衬底可重复利用的目的。本发明提供的一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，有助于制备人为可控厚度，表面均匀平坦，可重复利用衬底异质外延金刚石材料。
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公开(公告)号：CN115491764A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211213382.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法。该方法包括：在GaN衬底上表面生长外延层；在外延层的上表面生长外延金刚石；在外延金刚石上表面距离外延金刚石边缘的预设位置处进行激光切割，采用激光切割产生的热量将外延金刚石与外延层进行边缘分离，得到第一样品；将第一样品放入腐蚀溶液中进行腐蚀，将外延层腐蚀掉后，得到分离的外延金刚石与GaN衬底。本发明能够在不损伤GaN材料功能层的前提下，实现外延金刚石与GaN材料的彻底分离。
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公开(公告)号：CN112320788B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202011041650.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , C01G39/06 , C01G41/00 , C01B21/064 , C01B19/04
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开一种大尺寸二维材料异质结构的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在第一金属衬底上的第一二维材料表面生长氧化铝薄膜并旋涂光刻胶；采用电化学鼓泡法剥离第一二维材料；用生长有第二二维材料的第二金属衬底捞起第一二维材料；旋涂光刻胶并采用电化学鼓泡法剥离异质结构；使用目标衬底将剥离所得异质结构捞起，或重复多次捞起和剥离后，再用目标衬底将剥离所得的异质结构捞起，去除表面光刻胶及氧化铝。本发明提供的制备方法，可以有效的解决二维材料异质结构组装过程中材料界面间的污染，能够制备得到具有连续完整结构的大尺寸清洁界面二维材料异质结构。
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公开(公告)号：CN112331724B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011134697.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种金刚石NV色心光电传感器、阵列及其制备方法，所述光电传感器包括金刚石衬底、外延生长在金刚石衬底表面的掺氮外延层、设置在掺氮外延层上表面的滤光膜和生长在滤光膜表面的光电传感器。所述制备方法为在金刚石衬底上首先制作产生NV色心的金刚石柱，然后进行平面填充后，制作滤光膜和光电传感器，最后将平面填充的的材料去除，得到金刚石NV色心光电传感器阵列。本发明制备的金刚石NV色心光电传感器实现了微小尺寸的集成和批量化生产。
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