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公开(公告)号：CN104297551A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410502198.3
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种皮纳安级直流电流源高精度校准系统，涉及半导体器件直流电流特性测量技术领域。包括数字多用表、高值电阻/短路器、线性稳压电源和有源校准适配器，所述有源校准适配器的电阻信号输入端与所述高值电阻/短路器连接，所述有源校准适配器的电阻电压信号输出端与所述数字多用表连接，所述有源校准适配器的电源信号输入端与所述线性稳压电源连接。所述有源校准适配器并设有皮纳安级直流电流源电流信号输入端接口。本发明解决了现有技术的使用局限性（仅适用于具有保护端子输出的微小电流）和测量误差大（默认保护端电压与高值电阻电压相等，默认保护端输出没有线性度）等问题，具有很高的市场推广价值。
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公开(公告)号：CN104076312A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410293662.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体特性分析仪高值电压的精确校准方法，涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备技术领域。包括以下步骤：将高压分压器送往上级计量技术机构，获取其1000V～3000V的分压比，并计算其电压系数，确定其是否满足预期校准要求；如果不满足要求，则复现上级计量技术机构的温湿度环境，在1000V下利用高精度多功能校准器，标定上述高压分压器的1000V标准分压比的量值；利用标定好的高压分压器对被校半导体特性分析仪进行1000V～3000V范围内任意电压值的校准。所述方法提高了半导体特性分析仪测量高值电压的准确性。
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公开(公告)号：CN103049639A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210423663.5
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京经纬恒润科技有限公司
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于MCM的噪声参数测量不确定度评定方法，属于测试计量领域。本发明以等效噪声参数方程作为噪声参数测量不确定度评定的测量模型，并利用从测量平台测得的物理量求解函数方程，得到反映等效噪声参数分布情况的数据，并从等效噪声参数导出噪声参数及其分布，最后得到噪声参数测量的不确定度。该方法有效的结合了数学随机仿真、物理测量边界判据和最小二乘法优化判据，使得噪声参数不确定度评定更加有效、真实、可靠；该方法符合国际标准，仿真方式灵活，可应用的测量系统种类多，普适性高。
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公开(公告)号：CN205608168U
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201620421174.X
申请日：2016-05-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本实用新型公开了一种用于校准在片高值电阻测量系统的标准件，涉及计量技术领域。本实用新型的标准件包括衬底，在衬底上注入硼离子，在注入硼离子的衬底上设有若干对金属电极，每一对金属电极构成一个独立单元，在同一个衬底上的所有的金属电极的高度和长度相同，不同独立单元中的金属电极两个电极之间的间距均相等，金属电极的宽度是自同一衬底的行和列的一端开始呈递增或递减排列；衬底的外形尺寸及金属电极的外形尺寸和个数根据需要校准的目标阻值而定。本实用新型提出的标准件具有良好的重复性和长期稳定性，可以满足高值电阻测量系统计量校准的需要，确保量值准确一致。
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公开(公告)号：CN204142821U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420559417.7
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本实用新型公开了一种皮纳安级直流电流源高精度校准系统，涉及半导体器件直流电流特性测量技术领域。包括数字多用表、高值电阻/短路器、线性稳压电源和有源校准适配器，所述有源校准适配器的电阻信号输入端与所述高值电阻/短路器连接，所述有源校准适配器的电阻电压信号输出端与所述数字多用表连接，所述有源校准适配器的电源信号输入端与所述线性稳压电源连接，所述有源校准适配器并设有皮纳安级直流电流源电流信号输入端接口。本实用新型解决了现有技术的使用局限性（仅适用于具有保护端子输出的微小电流）和测量误差大（默认保护端电压与高值电阻电压相等，默认保护端输出没有线性度）等问题，具有很高的市场推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205944041U
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201620833539.X
申请日：2016-08-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种校准用在片电容标准件，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本实用新型所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
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公开(公告)号：CN204666259U
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201520406600.8
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本实用新型公开一种用于显微红外热像仪响应时间参数测试的模拟脉冲温度源，涉及辐射测温装置技术领域。所述温度源包括红外辐射源和光学调制器，红外辐射源与光学调制器正对设置，所述红外辐射源发出的恒定的红外信号传输至光学调制器，光学调制器对所述恒定的红外信号进行调制，得到变化的红外辐射信号，模拟物体辐射温度的变化。该模拟脉冲温度源能够模拟物体辐射温度的变化，能够精确控温，具有高发射率以及良好的温度均匀性。
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公开(公告)号：CN202994854U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201320010837.5
申请日：2013-01-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本实用新型公开了一种微波低噪声封装器件用噪声参数测试夹具，包括基座、测量块、固定块和滑块，基座内部设置有两条平行滑轨，滑块沿滑轨滑动、并与基座内壁配合，固定块固定于基座端部，基座的另一端设有与驱动滑块滑动的螺杆，测量块置于固定块与滑块之间，测量块上设有与之铰接的中心压块，所述中心压块的中部设有弹性的压紧头。本实用新型用于微波低噪声封装器件的噪声参数测量系统中，从而完成噪声参数的测量。
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公开(公告)号：CN207457105U
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201721626135.4
申请日：2017-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N23/046
Abstract: 本实用新型公开了一种X-CT系统用测量夹具，属于测试夹具领域。所述测量夹具包括：样品台，底面设置与扫描转台匹配的定位凹台；载片柱，下部与所述样品台螺纹连接，且所述载片柱的旋转轴与所述样品台的旋转轴平行，中部为柱体，上部为设置在所述柱体顶面上、与所述柱体成一体结构的透明薄板；胶片，用于粘结待测器件，粘贴在所述透明薄板的表面。上述技术方案中，透明薄板不会相对样品台产生相对位移，进而微小器件也不会发生位移，测量结果准确、可靠，同时透明薄板减小了对X射线的衰减，实现了用X-CT高准确度地测量微小器件的结构，填补了微小器件测试夹具的空白。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204924451U
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201520534740.3
申请日：2015-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本实用新型公开了一种微波功率器件瞬态温度测量系统，涉及微波功率器件温度测量装置技术领域。所述测量系统包括：红外辐射探测器，与放大大路的信号输入端连接，用于采集微波功率器件发出的红外辐射信号；放大电路，与数据采集卡的信号输入端连接，用于将采集的红外辐射信号进行放大处理；数据采集卡，与工控计算机进行双向数据交互，用于根据工控计算机的控制进行数据采集；工控计算机，用于处理数据采集卡采集的数据，并将采集卡采集的电信号转换为温度数据进行存储并显示。通过所述测量系统能够实现对微波功率器件周期性和非周期性的任意瞬态温度的测量，且测量速度快，精度高。
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