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公开(公告)号：CN107390767A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710650676.9
申请日：2017-08-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源，设有启动电路、基准核心电路、由温度检测电路、温度逻辑开启电路和高低温温度补偿电路构成的温度补偿电路。启动电路向基准核心电路注入电流使其正常工作，基准核心电路基于阈值电压和热电压的一阶温度补偿原理，采用CMOS型自偏置电流产生电路产生电流并经过有源负载产生基准电压VREF，温度检测电路提取MOS器件的阈值电压进行温度检测，经温度补偿逻辑开启电路进行逻辑处理后输出给高低温温度补偿电路，高低温温度补偿电路针对对不同的工作温度范围进行补偿并将补偿结果反馈耦合到基准核心电路输出的基准电压中，实现宽温度工作条件下低温度系数和高电源抑制比的全MOS电压基准源。
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公开(公告)号：CN107204755A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710432878.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K3/0231 , H03K3/012 , H03K3/011
Abstract: 一种高精度的自适应张弛振荡器，利用电容预充电原理抵消设于振荡电路中的充放电控制电路产生的延时，包括振荡电路、第一电容预充电电路和第二电容预充电电路，电容预充电电路用于给振荡器充放电电容预充电，振荡电路在电容预充电电路预充电电平的基础上进行充放电，电容两次充电产生的误差延时抵消，使振荡器工作在预设的频率上，实现显著提高频率‑控制电流线性度，且本发明不是直接通过提升比较器或者RS触发器的速度来减小延时，而是通过两次充电过程抵消控制电路产生的延时以及随外界环境变化的失调的影响，显著地提高了振荡器的精度，并且具有很强的温度稳定性和电源电压抑制即自适应性。
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公开(公告)号：CN107085132A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710351208.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R19/00 , H03K19/0185
Abstract: 一种正电压供电下的高精度负压检测电路，包括采样电压生成电路、带隙基准电压源、高精度电压比较器和输出驱动器，采样电压生成电路包括低压线性稳压管LDO和电阻分压网络，低压线性稳压管LDO稳定输出固定2.5V电压Vo与输入的负电压信号IN通过电阻分压得到正采样电压Vn，将Vn与带隙基准电压源产生的正基准电压Vref通过高精度电压比较器进行比较，Vn、Vref分别连接高精度电压比较器的负、正向输入端，比较结果通过输出驱动器输出对应的逻辑控制信号OUT，当输入信号IN为要检测的负电压信号时，输出驱动器输出逻辑高电平“1”，否则输出逻辑低电平“0”，实现了正电压供电下输入负电压信号的检测。
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公开(公告)号：CN105827223A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610098736.6
申请日：2016-02-23
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/687 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H03K17/687 , H01L29/7818
Abstract: 本发明公开了一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构，巧妙地利用高压电平移位电路中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容进行充电，高压电平移位电路的电源端为高侧浮动电源VB，参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路进行控制，VB和PGD之间设有第一寄生二极管和第二寄生二极管，自举控制电路由高侧信号和低侧信号控制，当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平，或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时，自举控制电路的输出PGD为高电平VCC，VCC通过第一寄生二极管和第二寄生二极管对外部自举电容进行单向充电。本发明充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。
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公开(公告)号：CN119311064A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411402623.1
申请日：2024-10-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高瞬态响应无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，属于稳压电路领域，包括包括基准电压产生单元、辅助上拉单元、主调整单元和辅助下拉单元。本发明采用高压MOS器件实现无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，能够减小芯片面积，提高电路的瞬态响应速度，为驱动级电路提供稳定的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114938135B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210445598.X
申请日：2022-04-26
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于降压变换器的多模式有源瞬态响应控制方法，降压变换器包括基本拓扑功率级和控制级；基本拓扑功率级包括输入电源Vin、上管MOS1、下管MOS2、电感L和其寄生电阻RL、输出电容CO和负载RO；控制级包括控制器和ATR控制模块。通过检测输出电压的大小，斜率和平均相电流通过一种比较算法产生有源瞬态响应控制信号。本发明相较于传统的有源瞬态响应控制方法能够更快速的稳定负载从重载切为轻载时产生的输出电压过冲。
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公开(公告)号：CN115360231B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202211039857.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种低回滞电压的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备工艺，晶体管包括：位于器件底部的集电极，在集电极之上设有集电区，集电区包括交替排布的P+集电区和N+短路区，在集电区上方设有N型场截止层，场截止层之上设有N‑型漂移区，在漂移区上表面设有按一维阵列排布的沟槽，沟槽内设有栅氧化层和多晶硅栅极，栅氧化层位于多晶硅栅极与沟槽内壁之间，在漂移区上方设有P型体区，P型体区位于相邻两个沟槽之间，且与沟槽侧壁接触；在P型体区之上设有N+发射区和P+型接触区，接触区上连接有发射极，发射极两侧设有绝缘介质层，其特征在于，在场截止层与集电区之间设有N‑高阻区。制备工艺特征在于，场截止层由背面氢注形成，背面结构均采用激光退火工艺。
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公开(公告)号：CN113990965B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202111230806.6
申请日：2021-10-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种混合石墨烯电极的半导体器件及其制造方法，该器件的元胞结构包括：N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，表面设有与N型外延层形成肖特基接触的石墨烯电极和金属电极，衬底下面设有与N型衬底形成欧姆接触的金属背电极。本发明的优点在于石墨烯具有极高的透光率和可调控的功函数，其与功函数较高的金属在N型外延层表面组成混合电极，可使器件的暗电流降低，噪音降低，灵敏度提高，检测弱信号能力增强，波长探测范围增大，性能稳定性提高。还可以降低器件正向导通状态时的开启电压，以及降低阻断状态下的泄漏电流，提高击穿电压。本发明器件可应用于光电领域和功率领域。
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公开(公告)号：CN117153693A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311096525.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/44 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种高耐压、低导通电阻ITO薄膜晶体管及其制备方法，包括以下步骤：S10、获取衬底；S20、在所述衬底上形成栅极；S30、在所述栅极上形成栅氧；S40、在所述栅氧上形成ITO有源层；S50、在所述ITO有源层一侧形成ITO阶梯层；S60、在所述ITO阶梯层上形成漏极；在所述ITO有源层未设置ITO阶梯层的一侧形成源极。本发明通过拉偏漏极和栅极之间的水平距离，显著提高了ITO薄膜晶体管的击穿电压；同时引入ITO阶梯层，利用ITO材料电流能力易受厚度调控的特点，降低非交叠区域ITO沟道导通电阻，获得了更为优异的导通电阻与击穿电压间的关系。
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公开(公告)号：CN113764173B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202111202503.3
申请日：2021-10-15
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成Y电容的平面变压器，涉及电磁兼容和磁性元器件设计领域。一次侧绕组与二次侧绕组交错排列，其寄生电容改善了二次侧整流二极管的噪声传导路径。辅助绕组一端与原边地相连，另一端悬空，与二次侧绕组形成集成Y电容(CY)，改善了一次侧开关管和二次侧整流二极管的噪声传导路径。本发明在保持完全交叉换位结构平面变压器低漏感、高效率优点的前提下，利用了一次侧绕组与二次侧绕组之间的寄生电容，使其成为了引导噪声的低阻抗路径，几乎消除了级间电容带来的不利影响，可以有效减小开关电源对外的传导噪声干扰。同时通过将Y电容集成，可以进一步减小开关电源的面积，有利于开关电源的小型化，提高了开关电源的功率密度。
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