公开(公告)号：CN119311064A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411402623.1

申请日：2024-10-09

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  周颖豪 ,  王闻逸 ,  郑逸飞 ,  袁伟民 ,  杜雨琪 ,  时龙兴

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种高瞬态响应无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，属于稳压电路领域，包括包括基准电压产生单元、辅助上拉单元、主调整单元和辅助下拉单元。本发明采用高压MOS器件实现无片外电容的PMOS驱动级稳压电路，能够减小芯片面积，提高电路的瞬态响应速度，为驱动级电路提供稳定的电压。

公开(公告)号：CN119766225A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411833259.4

申请日：2024-12-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  郑逸飞 ,  王闻逸 ,  宋明宇 ,  董千恒 ,  钱钦松 ,  时龙兴

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/003 ,  H03K19/01

Abstract: 本发明公开了一种采用氮化镓全集成工艺基于高压电容的电平移位电路，包括抗噪电平转换单元、噪声钳位单元、高速锁存单元、复位单元；抗噪电平转换单元能够实现低侧输入信号到高侧输出信号的转换，而且其对称结构能够有效抑制共模噪声；噪声钳位单元功能是有效抑制dVS/dt噪声对电路影响以及钳位关键节点电压防止击穿；高速锁存单元功能是将输入脉冲信号快速还原为电平信号；复位单元的功能是产生脉冲信号打开开关管帮助关键节点泄放电荷；上述整体电路能较好解决传统电平移位电路在电路功耗与传输延时的折衷问题、电平移位电路延迟随VS变化以及受dVS/dt噪声影响失效的问题。